Texas Instruments TPS22998單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)具有可配置上升時(shí)間,從而可更大限度地降低浪涌電流。該器件包含一個(gè)可在0.2V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道 MOSFET,并且支持10A的最大連續(xù)電流。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TPS22998單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
開(kāi)關(guān)可由一個(gè)打開(kāi)和關(guān)閉輸入 (ON) 控制,此輸入可與低壓控制信號(hào) (V IH =0.9V) 直接連接。TPS22998在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)具有固定快速輸出放電,將輸出下拉至接地。
Texas Instruments TPS22998采用10引腳WQFN封裝 (RYZ)(1.5mm × 2mm,間距為0.5mm)并可在自然通風(fēng)條件下的 –40°C至+105°C溫度范圍運(yùn)行。
特性
- 輸入工作電壓范圍 (V
IN):0.2V至5.5V - 偏置電壓范圍:2.2V至5.5V
- 最大持續(xù)電流:10A
- 導(dǎo)通電阻 (R
on) :4mΩ(典型值) - 帶三態(tài)引腳的可調(diào)壓擺率
- 快速輸出放電 (QOD):50Ω
- 熱關(guān)斷
- 低功耗
- 15μA(典型值) 導(dǎo)通狀態(tài) (I
Q) - 3μA(典型值) 關(guān)斷狀態(tài) (I
SD)
- 15μA(典型值) 導(dǎo)通狀態(tài) (I
功能框圖

TPS22998單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、產(chǎn)品概述與核心特性
TPS22998是德州儀器(TI)推出的高性能單通道負(fù)載開(kāi)關(guān),具有以下突出特性:
- ?超低導(dǎo)通電阻?:僅4mΩ(典型值),顯著降低功率損耗
- ?大電流能力?:支持最大10A連續(xù)電流,峰值可達(dá)15A
- ?寬電壓范圍?:輸入工作電壓0.2V-5.5V,偏置電壓2.2V-5.5V
- ?智能控制?:支持可調(diào)上升時(shí)間,通過(guò)CT引腳實(shí)現(xiàn)三種不同轉(zhuǎn)換速率
- ?快速放電?:內(nèi)置50Ω快速輸出放電(QOD)電阻
該器件采用1.5×2.0mm WQFN-10封裝,工作溫度范圍-40°C至+105°C,特別適合固態(tài)硬盤(pán)、工業(yè)PC和光模塊等應(yīng)用場(chǎng)景。
二、關(guān)鍵參數(shù)分析
1. 電氣性能亮點(diǎn)
- ?靜態(tài)電流?:
- 開(kāi)啟狀態(tài):15μA(典型值)
- 關(guān)閉狀態(tài):3μA(典型值)
- ?開(kāi)關(guān)特性?:
- 開(kāi)啟時(shí)間:37μs至3728μs(可通過(guò)CT引腳配置)
- 關(guān)閉時(shí)間:3μs(典型值)
- ?保護(hù)功能?:
- 熱關(guān)斷:150°C(典型值)觸發(fā),20°C滯后
- ESD保護(hù):±2000V HBM,±1000V CDM
2. 熱性能參數(shù)
| 熱參數(shù) | 數(shù)值(°C/W) |
|---|---|
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | 84.1 |
| 結(jié)到外殼熱阻 | 77.5 |
| 結(jié)到板熱阻 | 16.6 |
三、引腳功能詳解
- ? VBIAS(引腳1) ?:器件偏置電源(2.2V-5.5V)
- ? VIN(引腳2-4) ?:開(kāi)關(guān)輸入端,需并聯(lián)多個(gè)引腳以降低阻抗
- ? GND(引腳5) ?:器件接地
- ? VOUT(引腳6-8) ?:開(kāi)關(guān)輸出端,同樣采用多引腳并聯(lián)設(shè)計(jì)
- ? CT(引腳9) ?:上升時(shí)間控制引腳(三態(tài)配置)
- ? ON(引腳10) ?:使能控制引腳(VIH=0.9V)
四、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)
1. 浪涌電流抑制方案
?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?:
- 計(jì)算公式:Iinrush = CL × dVOUT/dt
- 示例配置:
- CL=470μF,VIN=1.8V
- 目標(biāo)浪涌電流<1A → 需要>677μs上升時(shí)間
- 將CT引腳接VBIAS可獲得900μs上升時(shí)間
?布局建議?:
- 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳
- 使用寬走線降低寄生電感
- 對(duì)稱布局減少熱電偶效應(yīng)
2. 電源時(shí)序控制
利用可調(diào)上升時(shí)間特性,可實(shí)現(xiàn):
- 多電源軌有序上電
- 敏感電路延遲供電
- 大容量負(fù)載軟啟動(dòng)
五、選型與設(shè)計(jì)建議
-
負(fù)載開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
325瀏覽量
20934 -
單通道
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
492瀏覽量
18910 -
浪涌電流
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
360瀏覽量
26157
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
單通道、超低電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22967數(shù)據(jù)表
5.5V、10A、導(dǎo)通電阻為 4mΩ 的負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22998數(shù)據(jù)表
TPS22998評(píng)估模塊用戶指南
TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments TPS22991低RON單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22999負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS2295x-Q1汽車級(jí)負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?TI TPS22997負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS22995低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS22996EVM負(fù)載開(kāi)關(guān)評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS22996雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS7H2221EVM負(fù)載開(kāi)關(guān)評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS22811負(fù)載開(kāi)關(guān)評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS22998評(píng)估模塊深度解析與應(yīng)用指南
TPS22992x系列負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS22998單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
評(píng)論