TPS22959 是一個小的、超低的 R 上 、單通道負載 開關與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V，支持最大 15 A 的連續電流。
*附件：tps22959.pdf

超低 R 的組合上以及 該器件非常適合驅動具有非常嚴格的壓降容差的處理器軌。 該器件的受控上升時間大大降低了大批量負載引起的浪涌電流 電容，從而減少或消除電源上的電壓下降。開關可以是 通過 ON 引腳獨立控制，該引腳能夠直接與低壓連接 來自微控制器或低壓分立邏輯的控制信號。該設備進一步 通過集成一個 224 Ω 下拉電阻器以實現快速輸出，減小了整體解決方案的尺寸 開關關閉時的放電 （QOD）。

TPS22959采用小型 3.00 mm x 3.00 mm WSON-8 封裝 （DNY）。The DNY 封裝集成了一個導熱墊，可在大電流和高電流下實現高功率耗散 溫度應用。該設備的特點是在自然通風溫度下運行 溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

• 集成單通道負載開關
• VBIAS 電壓范圍：2.5 V 至 5.5 V
• VIN 電壓范圍：0.8 V 至 5.5 V
• 超低 R上電阻
  • R上V 時 = 4.4 mΩ 在 = 5 V （V 偏見 = 5 V）
• 15 A 最大連續開關電流
• 低靜態電流
  • （V 為 20 μA 偏見 = 5 V）
• 低關斷電流
  • （V 為 1 μA 偏見 = 5 V）
• 低控制輸入閾值允許使用 1.2 V 或更高的 GPIO
• V寬的受控和固定轉換速率偏見和 V在
  • tRV 時 = 2663 μs 在 = 5 V （V 偏見 = 5 V）
• 快速輸出放電 （QOD）
• 帶導熱墊的 SON 8 引腳封裝
• ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
  • 2kV 人體模型 （HBM）
  • 1kV 充電器件模型 （CDM）

參數

方框圖

1. 產品概述

TPS22959是一款小型、超低導通電阻（R ON）的單通道負載開關，適用于驅動高電流電壓軌，具有嚴格的電壓降容差。該設備集成了N溝道MOSFET，可在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內工作，并支持最大連續電流達15A。

2. 主要特性

• ?超低導通電阻?：R ON = 4.4mΩ（在V IN = 5V，V BIAS = 5V時）
• ?高電流能力?：最大連續開關電流15A
• ?寬輸入電壓范圍?：0.8V至5.5V
• ?低靜態電流?：20μA（在V BIAS = 5V時）
• ?低控制輸入閾值?：支持1.2V或更高的GPIO電壓
• ?受控上升時間?：有助于減少大容性負載引起的浪涌電流
• ? 快速輸出放電（QOD） ?：集成224Ω下拉電阻，實現快速輸出放電
• ?小型封裝?：3.00mm x 3.00mm的8引腳WSON封裝

3. 應用領域

• 服務器
• 醫療設備
• 電信系統
• 計算設備
• 工業系統

4. 功能描述

• ?開關控制?：通過ON引腳獨立控制，ON引腳為高電平時使能開關。
• ?過壓和欠壓保護?：集成保護功能，防止電壓異常損壞設備。
• ?熱關斷?：在結溫超過125°C時自動關斷，保護設備免受過熱損害。
• ?輸出下拉電阻?：集成224Ω下拉電阻，當開關關閉時實現快速輸出放電。

5. 電氣特性

• ?導通電阻?：在V IN = 5V，V BIAS = 5V時，R ON 典型值為4.4mΩ，最大值為5.8mΩ。
• ?靜態電流?：在V BIAS = 5V時，I Q 典型值為26.0μA，最大值為27.0μA。
• ?上升時間?：在V IN = 5V，V BIAS = 5V時，t R 典型值為2663μs，最大值為3000μs。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：8引腳WSON封裝（DNY）
• ?尺寸?：3.00mm x 3.00mm

7. 布局指南

• ?輸入和輸出電容?：建議在VIN和VOUT引腳附近放置低ESR陶瓷旁路電容，以減小電壓波動和浪涌電流。
• ?熱管理?：使用通孔將暴露的熱焊盤連接到PCB的接地平面，以提高熱性能。
• ?組件布局?：將輸入、輸出和偏置電壓的旁路電容放置在盡可能靠近TPS22959引腳的位置。

8. 設計資源

• 提供PSPICE模型，可在TI產品頁面獲取，用于設計驗證和仿真。
• TI社區資源：包括TI E2E在線社區和設計支持，可獲取設計幫助和解答問題。