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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>功率半導(dǎo)體迎來漲價潮:英飛凌MOSFET預(yù)計漲幅12%

功率半導(dǎo)體迎來漲價潮:英飛凌MOSFET預(yù)計漲幅12%

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英飛凌CoolSiC? MOSFET Gen2:性能全面升級,工業(yè)應(yīng)用的理想選擇!

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品,單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506

RIGOL功率半導(dǎo)體動態(tài)性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250

iDEAL半導(dǎo)體與Mouser電子簽署全球銷售協(xié)議,基于SuperQ技術(shù)的功率元件進入量產(chǎn)

突破性的 SuperQ 技術(shù)標(biāo)志著自 25 年前 Super Junction 以來 硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進展。 ? 美國賓州利哈伊谷,2025年7月24日?– iDEAL半導(dǎo)體,一家
2025-07-28 16:18:19880

突圍進行時:功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化進行到哪了?

隨著全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速,新能源汽車、人形機器人等產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長,功率半導(dǎo)體市場需求呈指數(shù)級攀升。 中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場,發(fā)展前景十分廣闊。然而功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繁榮背后暗藏隱憂。 國內(nèi)功率
2025-07-18 14:51:45824

安世半導(dǎo)體CCPAK1212 MOSFET在線研討會回顧

近日,安世半導(dǎo)體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用,深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212 MOSFET,如何滿足下一代工業(yè)應(yīng)用的高功率需求。
2025-07-18 10:15:52887

美對等關(guān)稅引爆消費電子漲價!iPhone、筆電漲幅至少10%

行業(yè)資訊
jf_15747056發(fā)布于 2025-07-14 18:43:30

現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性,有機地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個前瞻故事(下篇)

、交流導(dǎo)語:6月初參加了第十七屆國際汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會(TMC2025),作為年會核心板塊的“新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇”,匯聚了英飛凌、Yole、比
2025-07-07 05:58:471038

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個前瞻故事(中篇)

、交流導(dǎo)語:6月初參加了第十七屆國際汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會(TMC2025),作為年會核心板塊的“新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇”,匯聚了英飛凌、Yole、比
2025-06-28 11:03:091535

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個前瞻故事(上篇)

、交流導(dǎo)語:上周去參加了第十七屆國際汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會(TMC2025),作為年會核心板塊的“新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇”,匯聚了英飛凌、Yole、比
2025-06-28 06:41:151313

大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)確實有實際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護中
2025-06-24 15:10:04

美國造車新勢力Rivian,下一代車型將使用英飛凌功率模塊

英飛凌預(yù)計將從2026年開始供貨。此外,英飛凌還將為該平臺提供其他產(chǎn)品,包括AURIX ?TC3x微控制器和電源管理IC。 ? HybridPACK Drive是英飛凌面向電動汽車的市場領(lǐng)先功率模塊
2025-06-22 00:02:002999

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤式電機驅(qū)動新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢,成為理想選擇。基本半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊,憑借其高性能與高可靠性,為盤式電機驅(qū)動器帶來革新突破。
2025-06-19 16:59:06729

英飛凌將為Rivian的R2平臺供應(yīng)用于電動汽車牽引逆變器的功率模塊

? 【 2025 年 6 月 10 日,德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)將為Rivian的R2平臺提供
2025-06-11 09:57:094156

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動
2025-06-09 07:07:17727

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

初級元器件知識之功率MOSFET

氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開關(guān)電源應(yīng)用。 他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET? 當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時候,它顯露出一些惱人的局限性。確實,你仍然可以在洗衣機、空調(diào)機
2025-06-03 15:39:43

功率半導(dǎo)體廠商揚杰科技上榜央視“CCTV品牌強國工程”

制造企業(yè)共同詮釋“功率擔(dān)當(dāng)、值得信賴”的精神內(nèi)涵,向全國乃至全球展示江蘇制造業(yè)的創(chuàng)新實力與品牌魅力。 當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來智能化、低碳化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵期,5G通信、新能源汽車、光伏儲能等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長,推動功率半導(dǎo)體
2025-05-27 18:55:491162

納微半導(dǎo)體推出12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源

近日,納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計,可適配功率密度達120kW的高功率服務(wù)器機架。
2025-05-27 16:35:011291

瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726

MDD辰達半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模縮減 比亞迪半導(dǎo)體首進前十

2025財年第二季度,英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財報,顯示全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已縮減至323億美元,這一變化標(biāo)志著市場格局的顯著調(diào)整。在這份財報
2025-05-13 11:23:501027

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計和驗證,適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境,重點確保可靠性與耐高溫
2025-04-22 17:06:39980

上汽英飛凌無錫擴建功率半導(dǎo)體項目 投資3.1億元提升產(chǎn)能!

近日,上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項目的環(huán)境影響評價(環(huán)評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣,計劃選址于無錫分公司,旨在進一步提升其生
2025-04-21 11:57:13787

科士達與英飛凌深入合作,全棧創(chuàng)新方案引領(lǐng)高頻大功率UPS市場新趨勢

?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力科士達大功率高頻UPS系統(tǒng)實現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達已共同攜手三十余年,
2025-04-16 10:26:26826

功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化先鋒:長晶科技的創(chuàng)新與崛起

場浪潮中,長晶科技憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈布局,成為國產(chǎn)化進程中的標(biāo)桿企業(yè)。 技術(shù)創(chuàng)新:突破高端功率器件壁壘 長晶科技聚焦功率半導(dǎo)體核心器件,在MOSFET和IGBT兩大領(lǐng)域取得顯著成果。在消費電子領(lǐng)域
2025-04-09 17:25:321180

功率半導(dǎo)體與集成技術(shù):開啟能源與智能新紀(jì)元

本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機遇,并對未來發(fā)展趨勢進行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,在新能源、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445

互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計

引言 隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2],已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件,最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50

半導(dǎo)體行業(yè)激蕩2025:缺貨、漲價與國產(chǎn)替代的突圍戰(zhàn)

半導(dǎo)體行業(yè)激蕩2025:缺貨、漲價與國產(chǎn)替代的突圍戰(zhàn)
2025-03-27 10:18:561648

從陳星弼院士無奈賣出超結(jié)MOSFET專利到碳化硅功率半導(dǎo)體中國龍崛起

中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍縷奮斗史。從陳星弼院士的超結(jié)MOSFET專利到全國產(chǎn)碳化硅(SiC)技術(shù)的崛起,這一歷程體現(xiàn)了中國在核心技術(shù)攻關(guān)
2025-03-27 07:57:17684

MOSFET與IGBT的區(qū)別

的主要因素,討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。 SMPS的進展一直以來,離線式SMPS產(chǎn)業(yè)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的功率元件發(fā)展所推動。作為主要的功率開關(guān)器件IGBT、功率MOSFET功率二極管正不斷
2025-03-25 13:43:17

MOSFET在AI中的應(yīng)用 #MOSFET #半導(dǎo)體 #電子 #人工智能

半導(dǎo)體
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2025-03-21 17:32:06

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

4月1日起漲價超10%,閃迪預(yù)計存儲供不應(yīng)求

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 ,日前,Sandisk(閃迪)發(fā)布漲價通知函顯示,Sandisk計劃從4月1日起對所有面向渠道和消費者客戶的產(chǎn)品漲價漲幅將超過10%。 ? Sandisk在通知函中表
2025-03-10 09:10:07811

見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價格首次低于IGBT!

進入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點:SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT!主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:221386

華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會

近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會,共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172

納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案,預(yù)計將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867

英飛凌FS03MR12A6MA1LB功率模塊產(chǎn)品概述

英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對混合動力和電動汽車進行了優(yōu)化。
2025-02-20 18:07:182813

全球半導(dǎo)體市場2024年預(yù)計強勁復(fù)蘇

根據(jù)知名調(diào)研機構(gòu)Counterpoint的最新報告,全球半導(dǎo)體市場(涵蓋存儲產(chǎn)業(yè))在2024年有望迎來強勁復(fù)蘇。預(yù)計全年營收將達到6210億美元,同比增長高達19%。這一顯著增長主要歸因于
2025-02-17 09:46:03888

功率半導(dǎo)體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導(dǎo)體發(fā)展新征程

2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場,打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺,集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742

2025年全球半導(dǎo)體市場將增至7050億美元

根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Gartner的最新數(shù)據(jù),全球半導(dǎo)體市場將迎來持續(xù)增長。預(yù)計2025年,全球半導(dǎo)體收入將達到7050億美元,同比增長12.6%。這一增長趨勢將在2024年強勁增長的基礎(chǔ)上得以實現(xiàn),2024年半導(dǎo)體收入預(yù)計為6260億美元,同比增長18.1%。
2025-02-08 16:36:441309

2025 廣州!功率半導(dǎo)體展重磅來襲,光伏、新能源汽車產(chǎn)業(yè)迎來新契機?

在全球科技蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,功率半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心支撐,正以前所未有的速度推動著光伏、新能源汽車等領(lǐng)域的變革。隨著中國在這些優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)力,功率半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體行業(yè)迎來了黃金
2025-02-08 09:11:49872

濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻?

近年來,隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導(dǎo)體器件的運行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501641

全球半導(dǎo)體營收預(yù)計大幅增長

近日,根據(jù)知名市場研究機構(gòu)Gartner的最新數(shù)據(jù)顯示,全球半導(dǎo)體行業(yè)在2025年有望迎來顯著增長。預(yù)計該年度的全球半導(dǎo)體營收將達到7050億美元,相較于前一年度實現(xiàn)12.6%的增幅。 這一
2025-02-06 11:35:03854

泰瑞達與英飛凌建立戰(zhàn)略合作,共推功率半導(dǎo)體測試發(fā)展

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體測試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(Teradyne)與功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌(Infineon)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,旨在共同推動功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展。 作為此次戰(zhàn)略合作
2025-02-06 11:32:51935

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:50:270

英飛凌泰國新廠破土動工,2026年初投產(chǎn)功率模塊

近日,英飛凌科技在泰國曼谷南部的北欖府正式啟動了一座新的功率半導(dǎo)體模塊制造廠的建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著英飛凌在制造布局多元化方面邁出了重要的一步。
2025-01-22 18:15:571282

英飛凌將在泰國新建半導(dǎo)體工廠

德國半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技(Infineon Technologies)近日宣布了一項重要決策,將在泰國設(shè)立一座全新的半導(dǎo)體工廠。這座工廠將專注于功率半導(dǎo)體的組裝工作,屬于“后工序”生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
2025-01-22 15:48:001025

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328

AUTO TECH China 2025 廣州國際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會:綠色動力,智領(lǐng)未來

隨著全球新能源汽車市場的快速擴張,中國市場表現(xiàn)尤為突出。功率半導(dǎo)體作為提升能源效率和車輛性能的關(guān)鍵技術(shù),正迎來前所未有的發(fā)展機遇。在中國,隨著國家政策的大力支持和市場需求的不斷增長,國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)
2025-01-06 09:30:23876

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