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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>我國在研發(fā)制造光刻機的核心技術(shù)和裝備領(lǐng)域取得突破

我國在研發(fā)制造光刻機的核心技術(shù)和裝備領(lǐng)域取得突破

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2025-08-13 09:41:341988

今日看點丨佳能再開新光刻機工廠;中國移動首款全自研光源芯片研發(fā)成功

? ? 時隔21年,佳能再開新光刻機工廠 ? 日前,據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道,佳能在當?shù)匾患椅挥跂心究h宇都宮市的半導體光刻設(shè)備工廠舉行開業(yè)儀式,這也是佳能時隔21年開設(shè)的首家新光刻機廠。佳能宇都宮工廠
2025-08-05 10:23:382173

UVlaser 266nm OLED修復#DUV光刻 #精密儀器 #光刻技術(shù)

光刻機
jf_90915507發(fā)布于 2025-08-05 09:44:55

光刻機實例調(diào)試#光刻機 #光學 #光學設(shè)備

光刻機
jf_90915507發(fā)布于 2025-08-05 09:37:57

佳能9月啟用新光刻機工廠,主要面向成熟制程及封裝應(yīng)用

7 月 31 日消息,據(jù)《日經(jīng)新聞》報道,日本相機、打印機、光刻機大廠佳能 (Canon) 位于日本宇都宮市的新光刻機制造工廠將于 9 月正式投入量產(chǎn),主攻成熟制程及后段封裝應(yīng)用設(shè)備,為全球芯片封裝
2025-08-04 17:39:28712

【「DeepSeek 核心技術(shù)揭秘」閱讀體驗】+混合專家

感謝電子發(fā)燒友提供學習Deepseek核心技術(shù)這本書的機會。 讀完《Deepseek核心技術(shù)揭秘》,我深受觸動,對人工智能領(lǐng)域有了全新的認識。了解Deepseek-R1 、Deepseek-V3
2025-07-22 22:14:08

中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

極紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實現(xiàn)先進工藝制程的關(guān)鍵路徑,半導體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當前,LPP-EUV 光源是極紫外光刻機所采用的主流光源,其工作原理是利用波長為 10.6um 的紅外
2025-07-22 17:20:36956

接觸電阻與傳輸線法TLM技術(shù)深度解密:從理論到實操,快速掌握精準測量核心

Flexfilm專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)突破,致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測解決方案。公司以核心技術(shù)為驅(qū)動,深耕半導體量測裝備及光伏電池電阻檢測
2025-07-22 09:52:231729

Macsen Labs鈉離子電池化學方面取得突破,申請臨時專利,并推進試點規(guī)模制造

) ,鈉離子電池的下一代陰極材料,鈉離子電池技術(shù)取得重大突破。 該公司已為其專有綜合工藝申請臨時專利。 該材料已經(jīng)公司的電化學和電池研發(fā)設(shè)施中對電池使用進行了優(yōu)化,并取得了可喜的成果,推動了試點規(guī)模制造的下一階段。 “這是一個有趣的故事,像我們這樣的制藥公司是
2025-07-22 09:16:35487

【「DeepSeek 核心技術(shù)揭秘」閱讀體驗】第三章:探索 DeepSeek - V3 技術(shù)架構(gòu)的奧秘

” 壓縮方案,降低計算資源消耗的同時,努力減少精度損失。 這背后反映的是 AI 技術(shù)發(fā)展中一個重要命題:如何在有限硬件條件下,讓模型既跑得快(效率高)又跑得穩(wěn)(精度夠),這種平衡藝術(shù),彰顯了技術(shù)研發(fā)的細膩
2025-07-20 15:07:25

核心技術(shù)突破+關(guān)鍵應(yīng)用支撐”,賽昉加速RISC-V生態(tài)突圍

2025RISC-V中國峰會的聚光燈下,賽昉科技亮點紛呈:憑借一系列突破核心技術(shù)及多領(lǐng)域場景化解決方案,為RISC-V生態(tài)突圍按下加速“快進鍵”。一.領(lǐng)先的RISC-VCPU+NoCIP,牢筑
2025-07-19 17:03:281275

奧松半導體8英寸MEMS項目迎重大進展 首臺光刻機入駐

光刻機的成功搬入,意味著產(chǎn)線正式進入設(shè)備安裝調(diào)試階段,距離8月底通線試產(chǎn)、第四季度產(chǎn)能爬坡并交付客戶的既定目標指日可待。這一目標的實現(xiàn),將實現(xiàn)各類MEMS半導體傳感器產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的無縫銜接,對重慶乃至整個集成電路行業(yè)都具
2025-07-17 16:33:121559

【「DeepSeek 核心技術(shù)揭秘」閱讀體驗】書籍介紹+第一章讀后心得

對 DeepSeek 的性能突破形成直觀的認識。同時,介紹 DeepSeek 的 模型家族 ,涵蓋通用語言模型、多模態(tài)模型、代碼生成與理解等領(lǐng)域,展現(xiàn)了 DeepSeek 大模型的不同細分領(lǐng)域取得的成就。 第2章
2025-07-17 11:59:04

國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材,尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷,國外企業(yè)對原料和配方高度保密,我國九成以上光刻膠依賴進口。不過近期,國產(chǎn)光刻領(lǐng)域捷報頻傳——從KrF
2025-07-13 07:22:006083

單機功率 17 兆瓦!全球最高,我國海上風電裝備突破

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 日前,中國華能宣布,全球單機功率和風輪直徑最大的直驅(qū)型漂浮式海上風電機組福建省福清市下線,單機功率 17 兆瓦,標志著我國在海上風電裝備制造領(lǐng)域取得新的突破。 ? 公開
2025-07-13 07:12:003932

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

引言 半導體制造與微納加工領(lǐng)域光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法,并探討白光干涉儀光刻圖形測量中
2025-06-30 15:24:55739

ASML官宣:更先進的Hyper NA光刻機開發(fā)已經(jīng)啟動

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,日前,ASML 技術(shù)高級副總裁 Jos Benschop 表示,ASML 已攜手光學組件獨家合作伙伴蔡司,啟動了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻機開發(fā)。這一舉措標志著
2025-06-29 06:39:001916

深圳 SMT:現(xiàn)代電子制造核心技術(shù)

深圳 SMT 作為現(xiàn)代電子制造核心技術(shù),在過去的發(fā)展中取得了輝煌成就,未來也將繼續(xù)引領(lǐng)電子制造行業(yè)的發(fā)展潮流,為全球電子產(chǎn)品的創(chuàng)新和升級提供堅實的技術(shù)支撐。而晉力達回流焊設(shè)備也將憑借其卓越的性能和不斷創(chuàng)新的技術(shù)深圳 SMT 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進程中發(fā)揮更加重要的作用,助力企業(yè)激烈的市場競爭中脫穎而出。
2025-06-23 14:17:241130

MEMS制造領(lǐng)域光刻Overlay的概念

MEMS(微機電系統(tǒng))制造領(lǐng)域光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機將不同層設(shè)計圖案對準精度的關(guān)鍵指標。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中,前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對準精度。
2025-06-18 11:30:491557

光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導體制造核心技術(shù),通過光刻特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127

【書籍評測活動NO.62】一本書讀懂 DeepSeek 全家桶核心技術(shù):DeepSeek 核心技術(shù)揭秘

對 DeepSeek 的性能突破形成直觀的認識。同時,介紹 DeepSeek 的 模型家族 ,涵蓋通用語言模型、多模態(tài)模型、代碼生成與理解等領(lǐng)域,展現(xiàn)了 DeepSeek 大模型的不同細分領(lǐng)域取得的成就
2025-06-09 14:38:28

我國為什么要發(fā)展半導體全產(chǎn)業(yè)鏈

我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的核心目的,可綜合政策導向、產(chǎn)業(yè)需求及國際競爭態(tài)勢,從以下四個維度進行結(jié)構(gòu)化分析:一、突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控1.應(yīng)對外部技術(shù)封鎖美國對華實施光刻機核心設(shè)備出口管制
2025-06-09 13:27:371250

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

引言 半導體制造與微納加工領(lǐng)域光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108

我國發(fā)展氫能船舶的必要性及AEM技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展前景

我國發(fā)展氫能船舶是應(yīng)對全球航運脫碳、保障能源安全、推動產(chǎn)業(yè)升級的戰(zhàn)略選擇。AEM技術(shù)憑借低成本、高適配性和快速響應(yīng)能力,有望成為氫能船舶領(lǐng)域核心技術(shù)路徑。
2025-05-27 17:07:56512

清華大學激光干涉光刻全局對準領(lǐng)域取得新進展

圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法,衍射光柵加工制造方面具有高效率、高靈活度的優(yōu)勢。但干涉光刻加工的光柵尺寸
2025-05-22 09:30:59570

云翎智能全國產(chǎn)化執(zhí)法記錄儀核心技術(shù)突破:自主可控新標桿

云翎智能推出的全國產(chǎn)化執(zhí)法記錄儀,以“北斗+5G+AI”技術(shù)融合為核心定位精度、通信穩(wěn)定性、環(huán)境適應(yīng)性、智能化程度及數(shù)據(jù)安全等維度實現(xiàn)突破,成為執(zhí)法巡檢領(lǐng)域自主可控技術(shù)的標桿產(chǎn)品。以下從六大
2025-05-07 10:05:29661

電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極

出現(xiàn)誤差。傳統(tǒng)聚焦手段已不能滿足電子直寫光刻機對電子束質(zhì)量的要求。 只有對聚焦電極改進才是最佳選擇,以下介紹該進后的電極工作原理。通過把電子束壓縮到中心線達到縮束的目的,使電子束分布一條直線
2025-05-07 06:03:45

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費試用

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進行掩模版加工制造掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺,在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10

激光焊錫軍工電子領(lǐng)域的應(yīng)用

軍工電子領(lǐng)域,精工制造不僅關(guān)乎裝備性能的可靠性,更直接關(guān)系到國防安全與戰(zhàn)略威懾力的實現(xiàn)。隨著微電子技術(shù)、材料科學與智能制造的發(fā)展,激光焊錫技術(shù)憑借其高精度、非接觸加工、熱影響區(qū)小等核心優(yōu)勢,正成為軍工電子精密制造核心工藝之一,尤其微型化、高密封性、極端環(huán)境適應(yīng)性等場景中展現(xiàn)出不可替代的價值。
2025-04-29 13:47:56725

中車時代電氣IGBT制氫電源設(shè)備交付突破100臺

近日,株洲中車時代電氣股份有限公司(以下簡稱“中車時代電氣”)自主研發(fā)的IGBT制氫電源設(shè)備累計交付突破100臺,成為國內(nèi)首家達成這一里程碑的裝備制造企業(yè)。這標志著公司氫能核心裝備領(lǐng)域技術(shù)實力與市場領(lǐng)導地位得到進一步鞏固,為我國綠色能源轉(zhuǎn)型注入了強勁動力。
2025-04-16 17:45:131326

最全最詳盡的半導體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測試封裝,一目了然。 全書共分20章,根據(jù)應(yīng)用于半導體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié),包括與半導體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息;總體流程圖
2025-04-15 13:52:11

成都匯陽投資關(guān)于光刻機概念大漲,后市迎來機會

進制程領(lǐng)域,曝光波長逐漸縮短至13.5nm,光刻技術(shù)逐步完善成熟。2024年光刻機市場的規(guī)模為230億美元。2025年光刻機市場的規(guī)模預計為252億美元。 【光刻機的發(fā)展機會主要體現(xiàn)在以下四方面】 一、技術(shù)突破與市場競爭 中科院成功研發(fā)突破性的固態(tài)深
2025-04-07 09:24:271236

【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】芯片怎樣制造

光刻工藝、刻蝕工藝 芯片制造過程中,光刻工藝和刻蝕工藝用于某個半導體材料或介質(zhì)材料層上,按照光掩膜版上的圖形,“刻制”出材料層的圖形。 首先準備好硅片和光掩膜版,然后再硅片表面上通過薄膜工藝生成一
2025-04-02 15:59:44

【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造

TSMC,中芯國際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線,服務(wù):技術(shù)部門,生產(chǎn)管理部門,動力站(雙路保障),廢水處理站(環(huán)保,循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐,薄膜設(shè)備,光刻機,蝕刻,離子注入,擴散爐
2025-03-27 16:38:20

IOT平臺助力高端裝備制造企業(yè)突破發(fā)展瓶頸

國內(nèi)高端裝備制造領(lǐng)域,有這樣一家領(lǐng)軍企業(yè),中國船舶集團的堅實支持下,憑借卓越的技術(shù)實力與強大的市場競爭力,于橋梁安全裝備、能源裝備等關(guān)鍵領(lǐng)域熠熠生輝,占據(jù)重要地位。然而,企業(yè)持續(xù)前行的征程中
2025-03-27 15:53:04486

突破14nm工藝壁壘:天準科技發(fā)布TB2000晶圓缺陷檢測裝備

TB2000已正式通過廠內(nèi)驗證,將于SEMICON 2025展會天準展臺(T0-117)現(xiàn)場正式發(fā)布。 這標志著公司半導體檢測裝備已具備14nm及以下先進制程的規(guī)模化量產(chǎn)檢測能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點后,天準高端檢測裝備國產(chǎn)化進程中的又一里程碑。 核心技術(shù)自主研發(fā) TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33683

不只依賴光刻機!芯片制造的五大工藝大起底!

科技日新月異的今天,芯片作為數(shù)字時代的“心臟”,其制造過程復雜而精密,涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造,人們往往首先想到的是光刻機這一高端設(shè)備,但實際上,芯片的成功制造遠不止依賴光刻機這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關(guān)鍵工藝,揭示這些工藝如何協(xié)同工作,共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。
2025-03-24 11:27:423167

石墨烯新材料電力能源領(lǐng)域研發(fā)應(yīng)用已取得突破

億元。 記者近日了解到,目前石墨烯新材料電力能源領(lǐng)域研發(fā)應(yīng)用已取得突破,常溫高導電復合材料具備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的基礎(chǔ)。專家及業(yè)內(nèi)人士認為,未來需進一步加強技術(shù)研發(fā)投入和人才儲備,著力打造全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
2025-03-14 11:31:101111

佛山智能裝備技術(shù)研究院機器人動力學研究成果取得世界級突破

佛山智能裝備技術(shù)研究院(以下簡稱“智能裝備院”)蛇年伊始迎來了“開門紅”,其機器人動力學研究取得了世界級突破
2025-02-20 10:02:561118

EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

? EUV光刻有多強?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機也是歷史上最復雜、最昂貴的機器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸? EUV光刻技術(shù),存在很多難點。 1.1
2025-02-18 09:31:242257

名單公布!【書籍評測活動NO.57】芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)

設(shè)計,需要考慮各種因素,如芯片的性能、功耗、散熱等。 ? 精密制造工藝: 從硅片的加工到光刻技術(shù),每一步都要求極高的精度,這要求納米級的尺寸上精確地蝕刻電路圖案。 ? 材料科學: 硅、鍺等半導體材料
2025-02-17 15:43:33

什么是光刻機的套刻精度

芯片制造的復雜流程中,光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機將不同層電路圖案對準精度的關(guān)鍵指標。簡單來說,它就像建造摩天大樓
2025-02-17 14:09:254467

探秘半導體防震基座剛性測試:守護芯片制造的堅固防線

,生產(chǎn)設(shè)備對穩(wěn)定性的要求近乎苛刻。光刻機、刻蝕等設(shè)備工作時,需保持極高的精度。以極紫外光刻機(EUV)為例,它在進行納米級光刻時,任何微小的位移或變形都可能導致
2025-02-17 09:52:061192

納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其半導體制造
2025-02-13 10:03:503709

三星電容為何全球領(lǐng)先?揭秘其MLCC電容的核心技術(shù)

三星電容之所以全球市場中處于領(lǐng)先地位,主要得益于其多層陶瓷電容器(MLCC)領(lǐng)域的卓越技術(shù)實力。三星MLCC電容的核心技術(shù)方面擁有多項創(chuàng)新,這些技術(shù)不僅提升了產(chǎn)品的性能,還確保了其全球
2025-02-08 15:52:321005

光刻機用納米位移系統(tǒng)設(shè)計

光刻機用納米位移系統(tǒng)設(shè)計
2025-02-06 09:38:031028

半導體設(shè)備光刻機防震基座如何安裝?

半導體設(shè)備光刻機防震基座的安裝涉及多個關(guān)鍵步驟和考慮因素,以確保光刻機的穩(wěn)定運行和產(chǎn)品質(zhì)量。首先,選擇合適的防震基座需要考慮適應(yīng)工作環(huán)境。由于半導體設(shè)備通常在潔凈的環(huán)境下運行,因此選擇的搬運工具如
2025-02-05 16:48:451240

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步,它定義了芯片上的各種微細圖案,并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細介紹,包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻核心工具包括光掩膜、光刻機
2025-01-28 16:36:003591

如何提高光刻機的NA值

本文介紹了如何提高光刻機的NA值。 為什么光刻機希望有更好的NA值?怎樣提高? ? 什么是NA值? ? 如上圖是某型號的光刻機配置,每代光刻機的NA值會比上一代更大一些。NA,又名
2025-01-20 09:44:182475

光刻機的分類與原理

本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類 光刻機的分類方式很多。按半導體制造工序分類,光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片光刻機和面板光刻機。面板光刻機的工作原理和芯片光刻機相似
2025-01-16 09:29:456357

3D打印技術(shù)材料、工藝方面的突破

2024年3D打印技術(shù)領(lǐng)域新材料、新工藝和新應(yīng)用方面繼續(xù)取得突破,并呈現(xiàn)出多樣的發(fā)展態(tài)勢。工藝方面,行業(yè)更加關(guān)注極限制造能力,從2023年的無支撐3D打印到2024年的點熔化、鍛打印、光束整形、多
2025-01-13 18:11:181784

泊蘇 Type C 系列防震基座半導體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例

 泊蘇 Type C 系列防震基座半導體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司一、企業(yè)背景與光刻加工電子束光刻設(shè)備挑戰(zhàn)某大型半導體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn)
2025-01-07 15:13:21

組成光刻機的各個分系統(tǒng)介紹

? 本文介紹了組成光刻機的各個分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟,其重要性不言而喻。光刻機是實現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備,它的工作原理類似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過程,但精度要求極高,能夠達到
2025-01-07 10:02:304530

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