極紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源,其工作原理是利用波長為 10.6um 的紅外激光(IR)轟擊 Sn 等離子體,從而釋放出 EUV 輻射,隨后通過收集鏡將 EUV 輻射會聚到中間焦點(diǎn)(IF)處。
然而,在這一過程中,冗余的紅外輻射若進(jìn)入曝光光學(xué)系統(tǒng),將會產(chǎn)生熱負(fù)載,對光刻系統(tǒng)的穩(wěn)定性以及曝光圖樣質(zhì)量造成不良影響。因此,深入研究紅外輻射抑制技術(shù),對于保障光刻機(jī)的高性能運(yùn)行具有至關(guān)重要的意義。

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在此背景下,中國科學(xué)院微電子研究所齊月靜研究員團(tuán)隊(duì)取得了重要突破。該團(tuán)隊(duì)聚焦于集成光譜純化濾波結(jié)構(gòu)(SPFs)的 EUV 收集鏡紅外輻射抑制效果評估問題,創(chuàng)新性地提出了基于線性輻射通量密度的紅外抑制比(Infrared Suppression Ratio, IRSR)理論模型。這一模型具備強(qiáng)大的功能,它能夠?qū)κ占R紅外輻射通量進(jìn)行積分及降維映射,進(jìn)而有效地整合光源能量分布、收集鏡幾何面形、多層膜反射特性和光柵衍射效率等諸多關(guān)鍵因素。通過該模型,科研人員得以實(shí)現(xiàn)對各因素對收集鏡局部和全局 IRSR 貢獻(xiàn)機(jī)制的深入剖析,以及定量權(quán)重的精確計(jì)算。

編輯
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圖2 在(a)均勻分布、(b)朗伯分布和(c)高斯分布的紅外輻射源條件下,收集鏡表面的線性輻射通量密度隨歸一化入射口徑和橢圓率的變化。

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圖3 在(a)均勻分布、(b)朗伯分布和(c)高斯分布的紅外輻射源條件下,入射與零級衍射的紅外光沿收集鏡子午方向的線性輻射通量微分。
與現(xiàn)有的僅依賴衍射效率單一物理量來評估紅外抑制效果的方法相比,齊月靜研究員團(tuán)隊(duì)提出的模型具有顯著優(yōu)勢。該模型引入了多變量綜合分析框架,通過嚴(yán)謹(jǐn)?shù)睦碚撏茖?dǎo)證實(shí)了全局 IRSR 是局部 IRSR 的加權(quán)調(diào)和平均積分,其中權(quán)函數(shù)為收集鏡表面線性輻射通量密度。這一發(fā)現(xiàn)極大地豐富了對紅外輻射抑制效果評估的維度,為后續(xù)的研究和優(yōu)化工作提供了更為全面和準(zhǔn)確的理論支撐。
該研究成果為收集鏡和 SPF 的協(xié)同優(yōu)化以及 IRSR 的精密測量奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ),具有極高的學(xué)術(shù)價值和實(shí)際應(yīng)用潛力。基于此項(xiàng)研究成果撰寫的論文 “Modeling and evaluation for the infrared suppression ratio of an EUV collector with integrated spectral purity filters” 已發(fā)表于光學(xué)期刊《Optics Express》,這一成果也得到了中國科學(xué)院戰(zhàn)略先導(dǎo)科技專項(xiàng)(XDA0380000)的大力支持。
中科院微電子所的這一進(jìn)展,無疑為 EUV 光刻技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈的當(dāng)下,每一項(xiàng)技術(shù)突破都可能成為改變格局的關(guān)鍵因素。未來,隨著該理論模型在實(shí)際應(yīng)用中的不斷完善和拓展,有望推動 EUV 光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)更大的飛躍,助力我國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域邁向更高的臺階。我們期待著科研人員能夠在這一基礎(chǔ)上,繼續(xù)深入探索,取得更多具有開創(chuàng)性的成果,為我國的科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出更為卓越的貢獻(xiàn)。
來源:半導(dǎo)體芯科技
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