據(jù)韓媒報(bào)道,SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組,其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起,實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造,以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758 SK海力士火災(zāi)移轉(zhuǎn)產(chǎn)能效應(yīng)失靈,NAND Flash本季仍供過于求、價(jià)格也將恢復(fù)走跌情勢!受到大陸十一長假銷售情況疲軟,研究機(jī)構(gòu)TrendForce(集邦)公布最新10月上旬NAND Flash合約價(jià)以持平開出,并預(yù)期NAND Flash合約價(jià)將開始轉(zhuǎn)為下跌。
2013-10-19 11:40:00
1025 目前,我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢,但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于,海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?
2016-09-12 13:40:25
2173 SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn),韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:35
1594 ? 2022年4月20日,中國蘇州訊?—— 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布,將持續(xù)供應(yīng)DDR3產(chǎn)品,為客戶帶來超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:03
3594 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:53
3931 
SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD——SK海力士Gold P31,提供500GB和1TB兩種存儲容量,產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:42
3984 工具: DVRRDK中的nand-flash-writer.out,CCS編譯通過;板子DDR3已通過BSL代碼的測試,并作了SWleveling
2019-02-22 10:15:44
DM8168,僅使用DDR0通道連接 4片8bit的ddr3,而DDR1通道不接ddr3,請問SD卡啟動的時候需要有特殊配置嗎?
現(xiàn)在是SD卡啟動無打印輸出,在無SD卡和NAND FLASH時候,打印有輸出,但不是CCCCC,會是什么原因?
2018-06-21 12:33:25
SK海力士也宣布,2018年下半將投資重心集中于NAND Flash,NAND Flash新廠投資進(jìn)度正在加速,DRAM只會進(jìn)行小規(guī)模補(bǔ)強(qiáng)與轉(zhuǎn)換投資。如何看待這兩則新聞?筆者認(rèn)為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
大家好!小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進(jìn)行了對比,驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
:135-3012-2202(同步微信)]][[ 在線QQ:8798-21252 ]]回收一切帶DDR的主板,回收一 切帶字庫的主板,回收一切內(nèi)存芯片:不管你是NOR flash還是NAND FLASH;不管
2021-04-27 16:10:09
Cystron technology limited 主要做內(nèi)存存儲,只做原裝原包。主要經(jīng)營產(chǎn)品如下:1. 內(nèi)存IC: SDRAM,DDR,DDR2,DDR3,DDR4,Mobile DDR
2019-09-27 17:34:40
,回收一切內(nèi)存芯片:不管你是NOR flash還是NAND FLASH;不管你是DDR還是LPDDR;不管你是TSOP, 還是BGA,還是LGA;不管你是MCP還是EMMC,我們均可回收,只要你有貨,我
2021-07-16 18:07:56
2,回收DDR3(新舊/拆機(jī)/帶板均可),回收FLASH內(nèi)存芯片--新舊/拆機(jī)/帶板,Nand Flash,SD/CF卡,黑片內(nèi)存顆粒,MP3/U盤半成品,內(nèi)存條;NAND FLASH,DDR,DDR
2020-12-16 17:39:22
國內(nèi)外主要可編程邏輯廠商及主流產(chǎn)品簡要分析
2012-08-13 22:33:03
國內(nèi)外主要嵌入式廠商及主流產(chǎn)品簡要分析
2012-08-13 22:34:24
國內(nèi)外主要電源廠商及主流產(chǎn)品簡要分析
2012-08-13 22:43:24
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2021-01-25 17:59:52
成。業(yè)界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增,第三季因價(jià)格持續(xù)看漲,營收及獲利可望再寫新高。無新產(chǎn)能,導(dǎo)致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等記憶體大廠雖提高資本支出,但多數(shù)資金都用來進(jìn)行
2017-06-13 15:03:01
【【海力士ic 回收,實(shí)力高價(jià)回收!! 帝歐電子長年優(yōu)勢收購內(nèi)存芯片!!135-3012-2202(同步微信) QQ:8798-21252】大量收購回收海力士ic收購各個品牌電子芯片FLASH,收購
2021-08-23 18:13:52
、自己寫了一個算法,想驗(yàn)證算法的計(jì)算速度,請問DDR3影響這個算法的運(yùn)行速度嗎?3、DDR3和外接Flash有什么區(qū)別和聯(lián)系。非常期待各位專家的解答。謝謝大家!
2018-06-20 00:40:57
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2020-11-20 16:59:46
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2021-03-13 17:46:31
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2021-07-02 19:07:56
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2021-08-02 17:44:42
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2021-01-29 17:52:55
USB外置聲卡特點(diǎn)及主流產(chǎn)品:具有USB接口的外部設(shè)備由于使用方便靈活,便于攜帶,近十幾年來得到了快速發(fā)展。除常用的USB閃盤、USB光驅(qū)、USB移動硬盤、USB攝像頭等外,又陸續(xù)推出U
2009-11-27 17:48:35
61 iSuppli:明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
11月24日消息,根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測,DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球DRAM市場出貨
2009-11-25 09:21:44
651 臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺灣媒體報(bào)道,由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑,多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13
795 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢迥異,DDR2合約價(jià)大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,
2010-01-18 16:04:44
1316 AMOLED首成為OLED主流產(chǎn)品
2009年OLED經(jīng)由高階手機(jī)等終端產(chǎn)品需求力推,OLED總營收交出8.26億美元的成績,比2008年增長了35%.根據(jù)Displ
2010-04-12 09:34:44
715 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:11
4760 
2012年4月5日,中國上海 –Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟,并針對嵌入式應(yīng)用市場發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品。基于雙方合作開發(fā)
2012-04-06 09:05:39
1094 017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 09:38:18
869 需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限,供需失衡下,DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢翻轉(zhuǎn),而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下,同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估
2016-12-23 16:22:38
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SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:11
1317 
DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝,管腳露在芯片兩側(cè)的,測試起來相當(dāng)方便;但是,DDRII和III就不一樣了,
2017-11-06 13:44:10
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雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:23
32469 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲沖突,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲管理系統(tǒng)。DDR3存儲器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器,只需通過用戶接口信號就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:25
7989 
2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年,主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00
918 在消費(fèi)升級的大背景下,彩電市場的高端化和相應(yīng)的大屏化是升級的主要方向,激光電視也已成為彩電大尺寸市場的主流產(chǎn)品。
2018-08-08 10:40:42
1088 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:04
3820 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先,NAND Flash快閃存儲器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長,而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:00
5500 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。
2018-12-03 08:52:56
1817 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量,封裝,速度等級等信息。
2019-03-03 11:04:15
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三星電子與SK海力士正在評估最快從本月起有序減產(chǎn)NAND Flash的方案。
2019-07-11 16:01:29
3197 近日,據(jù)報(bào)道,傳海力士正在跟Intel談判,海力士想收購整個Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)。
2019-07-12 11:32:52
3449 SK海力士宣布已向主要SSD(固態(tài)硬盤)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品,并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器,計(jì)劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:54
4098 7月11日,業(yè)內(nèi)傳出消息稱,SK海力士計(jì)劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對此傳聞,英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:01
4740 目前,兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中,三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外,SK
2019-08-15 09:05:12
3089 隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低,為了防止過量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場崩潰,三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀,具體來講就是全方位
2019-10-12 10:01:22
1136 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:00
0 CES 2020展會上,存儲大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品,包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤。
2020-01-13 10:07:23
5789 最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態(tài),極大影響了市場的供需狀態(tài)。相比2個月前,內(nèi)存的價(jià)格幾乎上漲了6成,SSD的價(jià)格也同樣水漲船高。不過目前韓國另外一家半導(dǎo)體工廠SK海力士并未打算下調(diào)產(chǎn)能。
2020-03-05 08:51:19
2548 從成本的角度來看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:23
5268 Flash的強(qiáng)項(xiàng)為mobile領(lǐng)域,其中包含eMCP以及eMMC產(chǎn)品,占SK海力士總NAND Flash營收達(dá)60%以上。而Intel長年于enterprise SSD領(lǐng)域表現(xiàn)特別優(yōu)異,不但與Samsung
2020-10-20 11:28:51
2537 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購Intel的NAND內(nèi)存與儲存事業(yè),以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易,超過三星
2020-10-21 17:26:32
2248 據(jù)國外媒體報(bào)道,SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)! SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息,SK海力士在官網(wǎng)上表示,兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:15
2717 10月20日,SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:16
8594 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:47
2793 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過支付第一期70億美元對價(jià)從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:00
2037 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過支付第一期70億美元對價(jià)從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:26
2339 據(jù)報(bào)道,第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào),決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務(wù),在NAND市場占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:42
2079 SK海力士半導(dǎo)體(重慶)有限公司是SK海力士在重慶投資建設(shè)的封裝測試工廠,位于重慶西永綜合保稅區(qū)B區(qū),累計(jì)注冊資本已達(dá)4億美元。該工廠2014年下半年投產(chǎn),主要產(chǎn)能為NAND Flash封測產(chǎn)線,一期工程進(jìn)行測試、二期則是專門進(jìn)行封裝。
2020-12-04 17:58:29
2537 
根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:23
3708 了,未來幾年被取代是水到渠成的,不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域,比如Wi-Fi路由等,它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存,相比DDR4便宜不少,可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能,現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:39
4194 據(jù)外媒消息,日益嚴(yán)重的DDR3短缺,導(dǎo)致價(jià)格飛漲,三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:26
2142 華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲器:比主流產(chǎn)品1000倍 來源:芯智訊 1月20日,從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉,該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最低的相變存儲器,比主流產(chǎn)品功耗低了1000倍
2022-01-21 13:15:00
1047 帶來太大的影響。 三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單,并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后,SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn),不對客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存,不過三大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:56
6223 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:49
15867 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試?yán)蹋琕ivado也提供了一個DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復(fù)雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測試。
2022-08-16 10:28:58
3160 SK海力士將在清州市新建NAND M17產(chǎn)線,以提高NAND產(chǎn)品產(chǎn)能。SK海力士原計(jì)劃在明年年初開始建設(shè),最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30
555 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:05
5150 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47
1992 本文開源一個FPGA項(xiàng)目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測試》,如果在某些項(xiàng)目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:37
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本文介紹一個FPGA開源項(xiàng)目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19
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DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56
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DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:00
13839 去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠,提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59
980 SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要?dú)w功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
927 今日,SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30
1175 華邦自DDR2時期就深入物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、電信等高附加值領(lǐng)域,而隨著制程升級至DDR3階段,該公司開始加大對DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投資力度。高雄工廠今年引入了20納米設(shè)備,產(chǎn)能逐漸釋放,未來將成為華邦新制程DRAM產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。
2024-05-13 10:03:25
1198 業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價(jià)格飆漲,最高漲幅達(dá)二成,且下半年報(bào)價(jià)還會再上揚(yáng)。
2024-05-14 10:31:58
877 近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:21
1563 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲,這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:49
1035 近日,據(jù)外媒報(bào)道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價(jià)的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:46
1516 SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項(xiàng)重要的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報(bào)道,SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作,訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內(nèi)存)及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:24
1920 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
1276 價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告,SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:55
1096 據(jù)報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:51
3465 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:59
1509 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
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