高壓IGBT可降低高功率太陽能逆變器、UPS和電焊機中的總功耗、電路板尺寸和整體系統成本

　　飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業應用為目標，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和電焊機，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設計中實現更好的效率和可靠性。

　　這種新型1200 V場截止IGBT系列 具有1.8 V的VCE（SAT），其遠低于以前的快速開關NPT IGBT，可最大程度地降低導通損耗。這些新器件具有1200V快速開關IGBT市場中提供的最低VCE（SAT） 額定值之一。開關損耗較低， EOFF 值在30 μJ/A以下。所有器件均包含為快速開關優化的相同封裝的二極管。

　　“需要創新的新型功率電子技術幫助光伏逆變器生產商降低成本、提高效率并增強可靠性?！惫I功率系統總監MH Lee先生說。“我們的1200 V溝槽型場截止IGBT系列可幫助客戶提高其太陽能逆變器設計中的能效和可靠性，并幫助制造商滿足政府法規和最終客戶不斷節能的需求?！?/p>

　　1200 V 場截止溝道IGBT系列還允許設計人員在比競爭解決方案更高的開關頻率下操作器件，從而有助于減小電容的尺寸和成本以及電路中的電感組件。這樣可實現具有較高功率密度、較小尺寸和較低物料成本的系統設計。

　　此IGBT系列100%經過在額定電流四倍的電流下箝位電感開關測試，以保證較大的安全工作區（SOA）。

　　這些產品采用具有20mm引腳長度的較小TO247封裝（與之前系列的TO264封裝相比），并提供15、25和40 A的額定電流。

　　特點與優勢：

　　· 低飽和電壓： VCE（SAT） = 1.8 V @ 額定集電極電流（Ic）

　　· · 高速開關： ? 低 EOFF = 6.6μJ/A

　　· 寬SOA（100%電感負載開關測試；ILM = 4倍Ic額定值）

　　· 易于并聯運行（正溫度系數）

　　· Tj = 175°C（最大結溫）

　　· 高輸入阻抗

　　· 符合 RoHS 標準

　　飛兆半導體的溝槽型場截止IGBT提供業界領先的技術，可應對當今設計中遇到的能效和外形尺寸挑戰。這些應用都是飛兆半導體節能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現最大限度的節能。

　　報價：（訂購 1，000 個，美元）

　　FGH15T120SMD_F155 – 1200 V/15 A： $3.30

　　FGH25T120SMD_F155 – 1200 V/25 A： $4.65

　　FGH40T120SMD_F155 – 1200 V/40 A： $6.30

　　可供貨期： 按請求提供樣品。

　　交貨期： 收到訂單后 8-12 周內

　　飛兆半導體公司簡介

　　美國飛兆半導體公司 （Fairchild Semiconductor；納斯達克交易所代號：FCS） － 全球營運、本地支持、創新觀念。飛兆半導體專為功率及便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發差異化的產品，并以我們在功率和信號路徑產品上的專業知識解決他們遇到的困難技術挑戰。查詢更多信息，請訪問網站：www.fairchildsemi.com。