模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49
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器件的特點(diǎn) 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
，熱導(dǎo)率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都優(yōu)于硅 這為碳化硅器件開(kāi)辟了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在5G/數(shù)據(jù)中心等空間受限和節(jié)能領(lǐng)域，低損耗是應(yīng)用的推動(dòng)力;在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲?b class="flag-6" style="color: red">為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o(wú)感的。碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達(dá)到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設(shè)計(jì)中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明顯優(yōu)勢(shì)，可以用來(lái)做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費(fèi)、工業(yè)、汽車(chē)、軍工等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用?！ ?3 碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析 肖特基二極管：以金屬為陽(yáng)極，以N
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì)：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng)，提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，開(kāi)發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無(wú)感控制驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，為了進(jìn)一步測(cè)試功率器件性能，為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化層？如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開(kāi)這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
由米勒電容引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，常被認(rèn)為是當(dāng)今碳化硅MOSFET應(yīng)用的一大缺陷。為了避免這種效應(yīng)，在硬開(kāi)關(guān)變流器的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是這對(duì)于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車(chē)輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái)，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動(dòng)力致力于開(kāi)發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標(biāo)稱(chēng)電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開(kāi)關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應(yīng)用于碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設(shè)計(jì)緊湊， 通用性強(qiáng)。原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-27 16:03:36
。過(guò)去 十年 ，針對(duì) 大量 工業(yè)和 汽車(chē)應(yīng) 用售 出了逾 5000 萬(wàn)個(gè) 帶有 不同芯 片組 的EasyPACK 模塊。同時(shí)，英飛凌豐富的 CoolSiC 產(chǎn)品組合被廣泛應(yīng)用于工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。隨著
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用?？蓮V泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛(ài)好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
CAS120M12BM2是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)優(yōu)化應(yīng)用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。62mm 功率模塊平臺(tái)提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
2022-06-10 20:15:07
CAS300M17BM2是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)優(yōu)化應(yīng)用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。62mm 功率模塊平臺(tái)提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
2022-06-10 20:20:55
CAS300M12BM2是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)優(yōu)化應(yīng)用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。62mm 功率模塊平臺(tái)提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
2022-06-10 22:00:31
WAB300M12BM3是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)優(yōu)化應(yīng)用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。62mm 功率模塊平臺(tái)提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
2022-06-10 22:10:28
CAB530M12BM3是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)優(yōu)化應(yīng)用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。62mm 功率模塊平臺(tái)提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
2022-06-10 22:19:56
2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 2017年6月30日，德國(guó)慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。
2017-07-03 10:13:262242 具體來(lái)說(shuō)，在新能源發(fā)電系統(tǒng)中，采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應(yīng)用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設(shè)備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:0110071 據(jù)外媒報(bào)道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會(huì)上，英飛凌（Infineon）推出了首款車(chē)用碳化硅產(chǎn)品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個(gè)品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:505349 。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動(dòng)、可再生能源和能源管理展覽及會(huì)議。 CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動(dòng)器板，該板針對(duì)額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
2019-05-16 09:10:564561 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。
2020-11-13 11:48:481308 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429 
新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 09:47:192347 、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過(guò)使
2023-02-02 14:50:023904 、電源供應(yīng)器等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。碳化硅應(yīng)用涵蓋了新基建涉及的絕大部分領(lǐng)域，這給國(guó)內(nèi)以基本半導(dǎo)體為代表的碳化硅企業(yè)帶來(lái)巨大利好。
2023-02-03 14:49:52973 碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng)，不能算高新技術(shù)產(chǎn)品，而技術(shù)含量極高的納米級(jí)碳化硅粉體的應(yīng)用短時(shí)間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。
2023-02-09 18:09:115518 汽車(chē)碳化硅模塊是一種用于汽車(chē)電力傳動(dòng)系統(tǒng)的電子器件，由多個(gè)碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成，可以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開(kāi)關(guān)，適用于電動(dòng)車(chē)的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:224048 和沉淀，幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長(zhǎng)。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來(lái)CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲(chǔ)能、充電設(shè)施以及各類(lèi)電源應(yīng)用以外，還會(huì)
2023-05-19 10:27:031457 
隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:492037 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。
2023-09-12 17:25:415309 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 PI近日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:041174 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:381583 11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎(jiǎng)最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)，再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力
2023-12-21 08:14:091511 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴(kuò)展并延長(zhǎng)雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，并提升英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴(kuò)展并延長(zhǎng)他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過(guò)這次擴(kuò)展，雙方的合作新增了一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。
2024-02-02 10:35:331272 碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴(kuò)大還在光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。
2024-03-12 09:33:261841 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來(lái)了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:291432 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
近日，我們注意到在電動(dòng)車(chē)行業(yè)中，小米電動(dòng)汽車(chē)的新款SU7將由英飛凌科技提供具備碳化硅(SiC)元素的功率模塊CoolSiC以及裸芯片產(chǎn)品。英飛凌的這款CoolSiC技術(shù)產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)更高的工作溫度，并
2024-05-07 11:30:361047 
半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，專(zhuān)為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)。這款評(píng)估板為工程師們提供了一個(gè)快速、便捷的測(cè)試平臺(tái)，以評(píng)估基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的性能特性。
2024-05-11 11:33:451359 英飛凌IPAC直播間|CoolSiC碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列，一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0m?（25℃條件下），標(biāo)稱(chēng)電流1000A的模塊
2024-06-21 08:14:31782 全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域，例如，光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書(shū)QCoolSi
2024-07-12 08:14:411152 碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱(chēng)SiC）功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及其發(fā)展前景。
2024-09-11 10:44:301739 
全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專(zhuān)為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2024-09-13 10:56:421990 
碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表，以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景，成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度，深入探討碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)前景。
2024-10-24 15:46:411490 11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無(wú)源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis
2024-11-07 08:03:061375 碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域： 電子器件 ： 功率器件 ：碳化硅材料制成
2024-11-29 09:27:076931 高溫、高壓和高頻環(huán)境下穩(wěn)定工作，同時(shí)具有較低的導(dǎo)通損耗和較高的開(kāi)關(guān)速度。這些特性使得SiC在電力電子領(lǐng)域，特別是在電動(dòng)汽車(chē)（EV）和可再生能源系統(tǒng)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器和電源管理中發(fā)揮著重要作用。 2. 照明技術(shù) 在照明領(lǐng)域，碳化硅被用
2025-01-23 17:06:132593 英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)
2025-02-08 11:24:57893 英飛凌開(kāi)始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)200mmSiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所
2025-02-18 17:32:451135 在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)
2025-04-30 18:21:20761 近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)在上海順利落下帷幕。本次活動(dòng)中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，憑借卓越的性能指標(biāo)和創(chuàng)新封裝設(shè)計(jì)，繼續(xù)全面領(lǐng)跑半導(dǎo)體行業(yè)，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運(yùn)行提供了強(qiáng)有力的支
2025-06-17 17:58:441755 碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅（Si）材料，成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241467 基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
解決方案伙伴，隆重推出BASIC Semiconductor BSRD-2503-ES01雙通道驅(qū)動(dòng)板——專(zhuān)為62mm SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)的性能引擎，助力客戶攻克高壓、高頻應(yīng)用的技術(shù)壁壘。
2025-09-18 18:27:33678 
傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體62mm碳化硅（SiC）模塊，可以設(shè)計(jì)一個(gè)大功率雙向DC-DC隔離電源。這兩種模塊都屬于半橋模塊，非常適合用于雙向DC-DC變換器，特別是針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用和高功率密度
2025-08-25 18:09:07884 
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03981 
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