飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出了全新系列的 低功率、面向應(yīng)用、極性反向保護(hù)開關(guān)，其中有些保護(hù)開關(guān)還具有過壓瞬變保護(hù)功能。
2012-08-21 17:21:36
1106 飛兆半導(dǎo)體近日舉行了2012年度的北京媒體交流培訓(xùn)活動(dòng)，會(huì)上，飛兆半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)王劍，技術(shù)經(jīng)理陳立烽，高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理曹巍向媒體朋友介紹了飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體和移動(dòng)
2012-08-26 11:08:501171 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2012-09-10 09:59:45880 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:041314 飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中面臨提升功率密度的同時(shí)節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:441436 為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注，讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:142068 
推動(dòng)器件小型化趨勢(shì)。 更高功率密度的重要性 更高的功率密度對(duì)于滿足各地日益增長(zhǎng)的能源需求以及市場(chǎng)對(duì)更小、更高效的電源的持續(xù)需求至關(guān)重要。半導(dǎo)體供應(yīng)商已經(jīng)成功地從標(biāo)準(zhǔn)硅基器件中獲得了大量利用，硅基器件將繼續(xù)成為電源系統(tǒng)的重要組成
2023-11-16 13:28:339930 
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 ? 更高的功率密度和溫度 ?功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計(jì)算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標(biāo)，
2022-12-26 09:30:523461 描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動(dòng)車窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制器 所有器件采用單一尺寸（5mm x 5.5mm PQFN 34L） 兼容所有輸出電容類型（MLCC、電解電容等） 飛兆半導(dǎo)體承諾改進(jìn)技術(shù)和工藝，利用更佳的性能和更高的功能集成度以及設(shè)計(jì)支持資源，達(dá)到最大程度地減少元器件數(shù)目并縮短工程開發(fā)時(shí)間的目的，幫助工程師應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)。
2018-09-27 10:49:52
應(yīng)用，這一產(chǎn)品系列可讓設(shè)計(jì)人員通過削減所需供應(yīng)商的數(shù)目來簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈管理。 飛兆半導(dǎo)體利用了照明和功率管理方面的核心專有技術(shù)，提供用于LED照明應(yīng)用的多種拓?fù)洌? 初級(jí)端調(diào)節(jié)(PSR)反激式；單級(jí)
2011-07-13 08:52:45
支持高功率密度和高溫操作，滿足這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)性能和可靠性的嚴(yán)苛要求。
智能電網(wǎng)與分布式發(fā)電：在并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)中，該模塊能夠優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率，為智能電網(wǎng)和分布式發(fā)電提供有力支持。
2025-03-17 09:59:21
：7A 負(fù)載條件下的啟動(dòng)波形結(jié)論LTC7820 是一款固定比例高電壓高功率開關(guān)電容器控制器，具有內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET，可實(shí)現(xiàn)非常高的效率 (達(dá) 99%) 和高功率密度。堅(jiān)固的保護(hù)功能
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:41:49
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
半導(dǎo)體器件主要有功率模組、功率集成電路（即Power IC，簡(jiǎn)寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類；其中，功率模組是將多個(gè)分立功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行模塊化封裝；功率IC對(duì)應(yīng)將分立功率半導(dǎo)體器件與驅(qū)動(dòng)
2019-02-26 17:04:37
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
支持更小的體積、更高的集成度、更少的外圍器件。友恩將從半導(dǎo)體晶圓高低壓集成器件工藝技術(shù)和高功率密度封裝技術(shù)兩大方向協(xié)同推進(jìn)新一.代更高集成度的開關(guān)電源芯片及其解決方案的研發(fā)。針對(duì) GaN 晶體管的高頻
2020-10-30 09:39:44
Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應(yīng)用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導(dǎo)體解決方案的特點(diǎn)是在單一IC上高度集成各種元件，配合高效和先進(jìn)的電路拓?fù)洌瑥V泛應(yīng)用于1W或以
2011-07-15 21:47:14
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
，高功率密度的電源模塊多采用國(guó)際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標(biāo)有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
外部器件的高性價(jià)比方案。安森美半導(dǎo)體還將展出新的NCD570x系列門極驅(qū)動(dòng)器，具有高驅(qū)動(dòng)電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效，和充分集成多種保護(hù)功能的能力以增強(qiáng)安全性。安森美半導(dǎo)體的汽車產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)展
2018-10-30 09:06:50
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)。訂購(gòu)具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動(dòng)器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動(dòng)評(píng)估模塊。
2017-08-21 14:21:03
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
關(guān)鍵問題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，快捷半導(dǎo)體公司開發(fā)出智能功率級(jí)模塊 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超緊湊型整合式 MOSFET 外加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案。該系列利用快捷半導(dǎo)體
2013-12-09 10:06:45
星期二海報(bào)對(duì)話會(huì)議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級(jí)功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應(yīng)用提供性能。因此，設(shè)計(jì)工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統(tǒng)尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-08-01 08:16:08
48V 電壓驅(qū)動(dòng)至電路板。那么，還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數(shù)據(jù)中心的功率密度呢？本文概述了一種兩級(jí)架構(gòu)解決方案——以一種靈活的、可調(diào)節(jié)的、高性價(jià)比方式，將 48V 電壓驅(qū)動(dòng)至負(fù)載點(diǎn)
2021-05-26 19:13:52
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
和渦流損耗給繞組和磁心設(shè)計(jì)以及相應(yīng)地給磁心材料和導(dǎo)體材料品種規(guī)格的選用所帶來的種種限制。本文對(duì)工作頻率為2MHz，功率密度大于400W/cm3，功率范圍在50~100W，輸出電壓為1.5V，效率高于99
2016-01-18 10:27:02
改善功率密度，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級(jí)設(shè)計(jì)可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級(jí)設(shè)計(jì)，具有高達(dá)
2018-10-17 15:39:59
飛兆半導(dǎo)體揭示功率半導(dǎo)體的未來挑戰(zhàn):隨著世界各地對(duì)能源和環(huán)境問題日益重視，加上能源供應(yīng)緊縮、需求不斷增長(zhǎng)，半導(dǎo)體供應(yīng)商在推動(dòng)能效提高方面扮演著更為主動(dòng)積極的角色
2009-12-19 14:58:50
9 飛兆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)94%的電源參考設(shè)計(jì)
在消費(fèi)應(yīng)用中降低噪聲并保護(hù)敏感電路飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 200W DC-DC
2009-05-08 10:51:25734 飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出一款集成漏電流感測(cè)功能的功率開關(guān)FSGM0565R
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)響應(yīng)客戶對(duì)能夠降低離線電源的待機(jī)功耗并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的解決方案的需求
2010-02-05 08:34:251175 功率開關(guān)對(duì)電源效率的影響(飛兆案例)
高頻開關(guān)電源運(yùn)行(電子)允
2010-04-16 15:40:462733 
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51813 FAN73933-飛兆半導(dǎo)體全新高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC提供更佳抗噪能力和性能
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器、分布式電
2010-09-17 12:48:461325 Fairchild(飛兆半導(dǎo)體)已經(jīng)開發(fā)出 Mini-SPM（Mini–智慧功率模組）系列產(chǎn)品。
2011-03-09 19:03:411674 
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FSL1x6系列綠色模式飛兆功率開關(guān) (FPS)器件，這些集成式PWM控制器帶有專有的綠色模式功能，提供了先進(jìn)的間歇模式控制
2011-04-27 08:58:221924 兆半導(dǎo)體公司開發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驅(qū)動(dòng)器 + MOSFET) 器件，這些器件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設(shè)計(jì)人員滿足不同應(yīng)用的特定設(shè)計(jì)需求
2011-05-27 08:51:061544 為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET模塊.
2011-06-15 09:01:072745 對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費(fèi)賬單。
2011-07-14 09:15:133531 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS? DrMOS系列FDMF6708N，這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案
2012-03-21 08:59:523222 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）的FD
2012-04-27 08:57:32828 飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號(hào)： FCS），全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，最近將Power Supply WebDesigner （PSW） – 一款在線設(shè)計(jì)和模擬工具，可在
2013-09-27 13:59:241607 開關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計(jì)算機(jī)中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:009639 機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151460 10A DC/DC 微型模塊在一個(gè)緊湊封裝內(nèi)提供了新的功率密度級(jí)
2021-03-19 08:07:577 的散熱
通過機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:262447 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:063203 
為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導(dǎo)體里的“學(xué)霸”。
2022-08-01 14:58:551638 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243 本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:591604 
也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和溫度 功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計(jì)算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標(biāo)，轉(zhuǎn)
2022-12-26 07:15:022248 集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品，是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關(guān)于基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。
2023-02-02 16:36:162763 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:203471 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
幾乎每個(gè)應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34892 
ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
未來對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311819 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊因其相對(duì)于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢(shì)而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域，選擇半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對(duì)效率、可靠性和整體系統(tǒng)性能有著顯著的影響。半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊的優(yōu)勢(shì)
2024-06-07 11:17:501177 
著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件正朝著高性能、高集成度、智能化方向發(fā)展，功率集成技術(shù)也日益成熟，為各行業(yè)帶來了更高的效率和可靠性。
2025-04-09 13:35:401447 
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