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      新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

      英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-06-03 17:34 ? 次閱讀
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      新品

      采用高性能DCB的Easy B系列

      CoolSiC 2kV SiC MOSFET模塊

      f302faf2-405d-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


      英飛凌EasyDUAL和EasyPACK 2B 2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiC SiC MOSFET增強型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點技術(shù)和氮化鋁陶瓷DCB。目標(biāo)應(yīng)用直流-直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統(tǒng)等。


      產(chǎn)品型號：

      ■FF6MR20W2M1HB70

      ■F3L6MR20W2M1HB70


      產(chǎn)品特點

      同類最佳封裝，高度為12毫米

      先進的WBG材料

      模塊雜散電感極低

      柵源電壓范圍寬

      開關(guān)和導(dǎo)同損耗低

      過載運行溫度最高可達175°C

      應(yīng)用價值


      提高系統(tǒng)效率

      降低冷卻要求

      實現(xiàn)更高頻率

      提高功率密度

      緊湊型設(shè)計

      與1500V直流母線完美匹配


      競爭優(yōu)勢


      擴展2kV產(chǎn)品組合，為客戶提供可擴展的解決方案，滿足更高的應(yīng)用要求

      新模塊配備了最新的高性能陶瓷(AlN)DCB，有助于延長系統(tǒng)使用壽命和/或支持更高的額定功率


      應(yīng)用領(lǐng)域


      直流-直流變換器

      電動汽車充電

      光伏

      儲能系統(tǒng)


      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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      • SiC
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