国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發帖/加入社區
      會員中心
      創作中心
      發布
      創作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內不再提示

      新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

      英飛凌工業半導體 ? 2025-06-03 17:34 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      新品

      采用高性能DCB的Easy B系列

      CoolSiC 2kV SiC MOSFET模塊

      f302faf2-405d-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


      英飛凌EasyDUAL和EasyPACK 2B 2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiC SiC MOSFET增強型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點技術和氮化鋁陶瓷DCB。目標應用直流-直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統等。


      產品型號：

      ■FF6MR20W2M1HB70

      ■F3L6MR20W2M1HB70


      產品特點

      同類最佳封裝，高度為12毫米

      先進的WBG材料

      模塊雜散電感極低

      柵源電壓范圍寬

      開關和導同損耗低

      過載運行溫度最高可達175°C

      應用價值


      提高系統效率

      降低冷卻要求

      實現更高頻率

      提高功率密度

      緊湊型設計

      與1500V直流母線完美匹配


      競爭優勢


      擴展2kV產品組合，為客戶提供可擴展的解決方案，滿足更高的應用要求

      新模塊配備了最新的高性能陶瓷(AlN)DCB，有助于延長系統使用壽命和/或支持更高的額定功率


      應用領域


      直流-直流變換器

      電動汽車充電

      光伏

      儲能系統


      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關注

        關注

        151

        文章

        9674

        瀏覽量

        233497
      • SiC
        SiC
        +關注

        關注

        32

        文章

        3721

        瀏覽量

        69393
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        新品 | 英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET

        新品英飛凌XHP2系列2300VCoolSiC碳化硅MOSFET為順應可再生能源領域中1500V直流母線應用日益增長的趨勢，英飛凌推出XHP2
        的頭像 發表于 02-26 17:06 ?1200次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 英飛凌XHP? <b class='flag-5'>2</b><b class='flag-5'>系列</b>2300V <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>

        新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V

        新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過AQG324認證，采用
        的頭像 發表于 01-22 17:05 ?1228次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b> M1H EasyDUAL? 1200V

        新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC? 1400V MOSFET G2

        新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的
        的頭像 發表于 01-04 17:06 ?995次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>高爬電距離TO-247-4引腳封裝的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 1400V <b class='flag-5'>MOSFET</b> G<b class='flag-5'>2</b>

        EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺

        EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺 在電力電子領域，工程師們一直在尋找性能更優、可靠性更高的功率器件及測試方案。今天
        的頭像 發表于 12-19 17:00 ?646次閱讀

        CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選

        的作用。今天，我們要深入探討的是英飛凌（Infineon）的IMYR140R019M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2
        的頭像 發表于 12-18 13:50 ?367次閱讀

        探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結合

        探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能
        的頭像 發表于 12-18 13:50 ?396次閱讀

        新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

        新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK
        的頭像 發表于 11-24 17:05 ?1459次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>.XT擴散焊和第二代1200V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>Easy</b> C<b class='flag-5'>系列</b>

        CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準

        本文為2024年PCIM論文更多精彩內容請關注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產品采用
        的頭像 發表于 08-29 17:10 ?1749次閱讀
        <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 2000V <b class='flag-5'>SiC</b> 溝槽柵<b class='flag-5'>MOSFET</b>定義新能源應用中功率密度增強的新基準

        深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

        SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術，賦能客戶在三大核心維
        發表于 07-23 14:36

        新品 | 面向光伏應用的Easy模塊產品擴展

        新品面向光伏應用的Easy模塊產品擴展采用增強型第一代CoolSiCMOSFET的EasyPACK1B半橋升壓拓撲，集成NTC溫度傳感器并配
        的頭像 發表于 07-21 17:26 ?647次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 面向光伏應用的<b class='flag-5'>Easy</b><b class='flag-5'>模塊</b>產品擴展

        新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

        新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件
        的頭像 發表于 07-01 17:03 ?1517次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>D<b class='flag-5'>2</b>PAK-7封裝的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 650V G<b class='flag-5'>2</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

        新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200V
        的頭像 發表于 05-29 17:04 ?1157次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>頂部散熱 Q-DPAK封裝的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 1200V G<b class='flag-5'>2</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品

        新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2
        的頭像 發表于 05-27 17:03 ?1432次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>頂部散熱QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 1200V G<b class='flag-5'>2</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋產品

        內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統采用

        全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV
        的頭像 發表于 05-15 17:34 ?576次閱讀

        新品 | 采用CoolSiC? MOSFET的7.5kW電機驅動器評估板

        新品采用CoolSiCMOSFET的7.5千瓦電機驅動器評估板EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ1200V碳化硅MOSFET模塊
        的頭像 發表于 03-11 17:03 ?1349次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b>的7.5kW電機驅動器評估板