国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新聞 | 采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:未知 ? 2023-12-12 12:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近年來(lái),隨著照明用的小型電源和電泵用電機(jī)的性能提升,對(duì)于在這些應(yīng)用中發(fā)揮開(kāi)關(guān)作用的MOSFET的更小型產(chǎn)品需求高漲。通常,對(duì)于Super Junction MOSFET而言,在保持高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性理想平衡的同時(shí),很難進(jìn)一步縮小體積。此次,ROHM通過(guò)改進(jìn)內(nèi)置芯片的形狀,在不犧牲以往產(chǎn)品性能的前提下開(kāi)發(fā)出5款更小更薄的SOT-223-3封裝新產(chǎn)品。

與以往TO-252封裝(6.60mm × 10.00mm × 2.30mm)的產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品的面積減少約31%,厚度減少約27%,有助于實(shí)現(xiàn)更小、更薄的應(yīng)用產(chǎn)品。另外,新產(chǎn)品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案(焊盤圖案),因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。

五款新產(chǎn)品分別適用于小型電源和電機(jī)應(yīng)用,各有不同的特點(diǎn)。適用于小型電源的有3款型號(hào),“R6004END4”具有低噪聲的特點(diǎn),適用于需要采取降噪措施的應(yīng)用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn),適用于需要低損耗且高效率工作的應(yīng)用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術(shù)加快了反向恢復(fù)時(shí)間(trr*2)并大大降低了開(kāi)關(guān)損耗,屬于“PrestoMOS”產(chǎn)品,非常適用于電機(jī)應(yīng)用。

咨詢或購(gòu)買產(chǎn)品

掃描二維碼填寫相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

wKgaomV33kqANvM5AAAWeSvOFMU767.png

此外,為了加快這些產(chǎn)品的應(yīng)用,在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供電路設(shè)計(jì)所需的應(yīng)用指南和各種技術(shù)資料,以及仿真用的SPICE模型等資源。

新產(chǎn)品已于2023年11月開(kāi)始暫以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格400日元/個(gè),不含稅)。另外,新產(chǎn)品也已開(kāi)始電商銷售,從Ameya360SekormOneyacRight IC等電商平臺(tái)均可購(gòu)買。

今后,ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)不同封裝和低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品,不斷擴(kuò)大Super Junction MOSFET的產(chǎn)品陣容,通過(guò)助力各種設(shè)備降低功耗,來(lái)為解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)課題做出貢獻(xiàn)。

產(chǎn)品陣容 ?

小型電源用

wKgaomV33kuAD14hAAHLpuHvyvk915.png

點(diǎn)擊查看產(chǎn)品詳情

R6004END4R6003KND4R6006KND4

電機(jī)用

wKgaomV33kuAGBNIAAGm7ALOGBU081.png

點(diǎn)擊查看產(chǎn)品詳情

R6002JND4R6003JND4

咨詢或購(gòu)買產(chǎn)品

掃描二維碼填寫相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

wKgaomV33kqANvM5AAAWeSvOFMU767.png

應(yīng)用示例 ?

?R6004END4/R6003KND4/R6006KND4照明、空調(diào)、冰箱等

?R6002JND4/R6003JND4:電泵、風(fēng)扇、復(fù)印機(jī)等使用的電機(jī)

電商銷售信息 ?

開(kāi)始銷售時(shí)間:2023年12月起

電商平臺(tái):Ameya360SekormOneyacRight IC

新產(chǎn)品在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。

1枚起售

wKgaomV33kuAPZiNAAAMl2XXOho274.jpgwKgaomV33kuADAerAAAKJ0_jtfc469.jpgwKgaomV33kuANYONAACI3RRVSqs326.pngwKgaomV33kuAX7xyAABmEtkS9Po522.png

Super Junction MOSFET特設(shè)頁(yè)面 ?

ROHM的官網(wǎng)上提供與SOT-223-3封裝相關(guān)的應(yīng)用指南以及各種電路設(shè)計(jì)所需的資料。

點(diǎn)擊進(jìn)入 Super Junction MOSFET特設(shè)頁(yè)

什么是PrestoMOS ?

Presto意為“非常快”,源于意大利語(yǔ)的音樂(lè)術(shù)語(yǔ)。

PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌,該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),還縮短了內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。因其可降低開(kāi)關(guān)損耗而越來(lái)越多地被用于空調(diào)和冰箱等配備逆變電路的應(yīng)用。

wKgaomV33kuAU3DLAAFtUpeFZaQ459.png ? ? ?

術(shù)語(yǔ)解說(shuō) ?

*1)Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶體管的一種,根據(jù)器件結(jié)構(gòu)上的不同又可細(xì)分為Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與Planar MOSFET相比,Super Junction MOSFET能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐壓和低導(dǎo)通電阻,在處理大功率時(shí)損耗更小。

*2)trr:反向恢復(fù)時(shí)間(Reverse Recovery Time)

內(nèi)置的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低,開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗越小。

新產(chǎn)品參考資料

“Featured Products"?

采用SOT-223-3小型封裝600V耐壓SJ MOSFET R600xEND4/R600xKND4/R600xJND4系列

咨詢或購(gòu)買產(chǎn)品

掃描二維碼填寫相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

wKgaomV33kqANvM5AAAWeSvOFMU767.png

-END-

wKgaomV33kuAD_lSAAAaqa82ytM039.gif

點(diǎn)擊閱讀原文 了解更多信息


原文標(biāo)題:新聞 | 采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

文章出處:【微信公眾號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 羅姆
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    444

    瀏覽量

    67823

原文標(biāo)題:新聞 | 采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

文章出處:【微信號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán),微信公眾號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半橋驅(qū)動(dòng)器SiLM2207,以600V耐壓與集成設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化高壓驅(qū)動(dòng)

    在工業(yè)電機(jī)控制、通用變頻及開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)電路需要在高壓下可靠工作,同時(shí)兼顧成本與設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便性。SiLM2207 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器。該產(chǎn)品集成自舉二極管,具備-6V負(fù)壓耐受能力,并提
    發(fā)表于 01-10 09:02

    芯源的MOSFET采用什么工藝

    采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的,用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻,并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度,基于該技術(shù)的功率
    發(fā)表于 01-05 06:12

    高壓濾波車規(guī)電容 600V 耐壓 換電站接口電壓穩(wěn)定保障

    直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的電壓穩(wěn)定性和電能質(zhì)量。本文將深入探討600V耐壓等級(jí)車規(guī)電容的技術(shù)特點(diǎn)及其在換電站接口電壓穩(wěn)定中的保障機(jī)制。 一、高壓濾波電容的技術(shù)特性 1. 材料與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新 現(xiàn)代高壓濾波電容采用金屬化聚丙烯薄膜作為介質(zhì)
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:11 ?435次閱讀

    SLM2181CA-DG解析600V高低邊門極驅(qū)動(dòng)器的核心優(yōu)勢(shì)

    一、概述:高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢(shì)在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱
    發(fā)表于 11-21 08:35

    SLM21814CJ-DG 600V高低邊門極驅(qū)動(dòng)器解析與應(yīng)用探討

    一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于600V耐壓能力、2.5A/3.5A非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動(dòng)通道
    發(fā)表于 11-20 08:47

    ?Vishay Gen 5 600V/1200V 超快恢復(fù)整流器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開(kāi)關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用
    的頭像 發(fā)表于 11-14 17:12 ?1475次閱讀
    ?Vishay Gen 5 <b class='flag-5'>600V</b>/1200<b class='flag-5'>V</b> 超快恢復(fù)整流器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    SiLM2285 600V/4A高可靠性半橋門極驅(qū)動(dòng)器

    600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285,超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì),解決工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題,實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
    發(fā)表于 10-21 09:09

    SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器,集成自舉二極管助力高可靠性電機(jī)驅(qū)動(dòng)

    SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器,支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力,專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),內(nèi)部集成自舉二極管,顯著簡(jiǎn)化外部電路設(shè)計(jì),具備優(yōu)異的抗負(fù)向
    發(fā)表于 09-11 08:34

    高壓電路的 “扛把子”:冠坤電解電容 600V耐壓,適配工業(yè)高壓電源系統(tǒng)

    了強(qiáng)有力的支持。 ? 工業(yè)高壓電源系統(tǒng)對(duì)電解電容的要求極為嚴(yán)苛,不僅需要承受高電壓,還要在高溫、高紋波電流等惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定工作。冠坤600V耐壓電解電容采用特殊的設(shè)計(jì)和材料,具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和較高的紋波電流
    的頭像 發(fā)表于 09-02 15:44 ?795次閱讀

    SLM2184SCA-13GTR 600V耐壓、3.3V邏輯兼容的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片

    : SLM2184SCA-13GTR的核心價(jià)值在于其高集成度(SOP8小封裝)、高壓能力(600V)、強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)電流(950mA) 以及內(nèi)置的智能保護(hù)功能(死區(qū)時(shí)間、UVLO、關(guān)斷引腳)。它為開(kāi)發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了一個(gè)高效的單芯片解決方案。#SLM2184
    發(fā)表于 08-26 09:15

    SiLM2186CA-DG 600V可靠高效代替IR2186半橋驅(qū)動(dòng)解決方案

    能力: 高壓運(yùn)行能力: 采用浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),支持高達(dá)600V的工作電壓,并能承受瞬態(tài)負(fù)電壓沖擊,完美適配自舉電路,滿足半橋和全橋拓?fù)涞膽?yīng)用需求。 強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)能力: 提供2.5A源電流和3A灌電流的不對(duì)稱驅(qū)動(dòng)
    發(fā)表于 08-23 09:36

    BDR6307B 600V高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片中文手冊(cè)

    ? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙 N型 MOS 半橋
    發(fā)表于 05-27 17:21 ?1次下載

    2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET規(guī)格書

    2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET,集成了ESD保護(hù)功能,兼具低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與高耐壓(6
    發(fā)表于 04-29 18:14 ?0次下載

    2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET,助力精密電路設(shè)計(jì)

    2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET,集成了ESD保護(hù)功能,兼具低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與高耐壓(6
    發(fā)表于 04-27 16:59

    ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

    AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MO
    的頭像 發(fā)表于 04-17 14:55 ?778次閱讀
    ROHM 30<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>耐壓</b>Nch <b class='flag-5'>MOSFET</b>概述