碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。

Part 1

CoolSiC MOSFET G2技術 的關鍵性能提升

英飛凌的CoolSiC MOSFET G2技術相較于上一代產品實現了關鍵性能指標的提高，包括存儲能量和電荷等。這不僅提高了整體能源效率，而且在碳化硅技術的基礎上進一步促進了脫碳進程。

G2技術在硬開關和軟開關 MOSFET 操作的關鍵品質因數上提高了20%以上，同時快速開關能力提高了30%以上。以光伏逆變器、儲能裝置、電動汽車充電、UPS等應用為例，G2在所有運行模式下均能以較低的功率損耗運行。

在三相電源方案中，相較于上一代CoolSiC G2，運行功耗可降低5-30%，實現了每瓦特的節能。

CoolSiC G2 MOSFET產品組合在市場上擁有SiC MOSFET中最低的導通電阻（Rdson），采用SMD封裝的同類產品中表現出色。通過英飛凌的專利.XT技術改進封裝互連，減少熱阻、提高輸出功率、降低工作溫度。

新一代的熱性能提高了12%，同時增加了60%以上的功率，提高了功率轉換的標準計劃。

這使得CoolSiC G2在光伏、儲能、電動汽車充電、電機驅動和工業電源等各種功率半導體應用中具備顯著優勢。例如，搭載CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站可減少高達10%的功率損耗，同時實現更高的充電容量。在可再生能源領域，采用CoolSiC G2設計的太陽能逆變器可在保持高功率輸出的同時縮小尺寸，降低每瓦成本。

Part 2

溝槽技術 競爭壁壘與可靠性

溝槽技術在現代硅功率器件中已經取代了平面技術，而對于碳化硅而言同樣如此。英飛凌的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術不僅在性能上具備優勢，而且在可靠性方面也保持了高水平。相較于SiC材料中的橫向界面，垂直界面的缺陷密度顯著降低，為性能和魯棒性特征與可靠性相匹配提供了新的優化潛力。

英飛凌強調了CoolSiC MOSFET G2溝槽技術的高可靠性，基于已售CoolSiC MOSFET G1的百萬缺陷數（DPM）數據，SiC產品報損率低于基于硅的功率開關。這一高可靠性將為英飛凌的能源效率提供可持續競爭力。

小結

英飛凌的CoolSiC MOSFET G2技術的推出標志著碳化硅技術的新一步進化。其在性能、能效和可靠性方面的顯著提升為電力系統和能源轉換帶來了新的可能性，為實現高效、可靠、可持續的能源轉換做出了重要貢獻。

這一技術的成功應用將助力推動工業、消費和汽車領域的脫碳和數字化，是英飛凌在推動創新方面的重要一步。

審核編輯：劉清