如果要說當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)最熱的話題是什么,無疑是第三代半導(dǎo)體,而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當(dāng)紅“炸子雞”。
英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究,在長達 30 年的時間里,英飛凌不斷地進行技術(shù)打磨和沉淀,幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年,未來CoolSiC 碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設(shè)施以及各類電源應(yīng)用以外,還會在哪些領(lǐng)域大有可為?
2023年5-8月, 2023年度凌云院 IPAC英飛凌
碳化硅直播季 ,重磅來襲!
英飛凌碳化硅技術(shù)大解析,讓我們一起看下
英飛凌的CoolSiC MOSFET “Cool” 在哪里?
第一場直播預(yù)告
本期話題:
敢攬瓷器活, 必有金剛鉆
——英飛凌CoolSiC MOSFET的
器件結(jié)構(gòu)和封裝創(chuàng)新
直播時間:
5月23日下午14:00
本期關(guān)鍵詞:碳化硅,增強型溝槽柵,
冷切割,可靠性,.XT高性能互聯(lián)封裝技術(shù)
碳化硅直播季主持人
孫輝波
英飛凌科技大中華區(qū)
零碳工業(yè)功率事業(yè)部
應(yīng)用工程師
直播嘉賓
郝欣
英飛凌科技大中華區(qū)
零碳工業(yè)功率事業(yè)部
應(yīng)用工程師
趙佳
英飛凌科技大中華區(qū)
零碳工業(yè)功率事業(yè)部
應(yīng)用工程師
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題。
英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業(yè),如何使用創(chuàng)新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiC MOSFET 的性能? 增強型溝槽柵又“強“在哪里?
英飛凌的創(chuàng)新碳化硅冷切割技術(shù),如何更好地成就SiC生產(chǎn)效率的提升和成本的降低?.
英飛凌使用增強型溝槽柵SiC MOSFET 芯片,配合.XT高性能互聯(lián)封裝技術(shù),又會對散熱、功率密度和可靠性帶來何種優(yōu)化?
讓我們一起來深入探究CoolSiC MOSFET的器件結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)吧!
第二場直播預(yù)告
本期話題:好馬要有好鞍配,
——詳解SiC驅(qū)動和并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
直播時間:6月20日下午14:00
本期關(guān)鍵詞:碳化硅,短路保護,驅(qū)動, 并聯(lián)
直播嘉賓
鄭姿清
英飛凌科技大中華區(qū)
零碳工業(yè)功率事業(yè)部
應(yīng)用工程師
趙佳
英飛凌科技大中華區(qū)
零碳工業(yè)功率事業(yè)部
應(yīng)用工程師
在從Si到SiC的應(yīng)用轉(zhuǎn)化中,因為SiC的高速開關(guān)特性、特殊的器件結(jié)構(gòu)、較低的短路耐量,使得SiC系統(tǒng)的驅(qū)動及保護設(shè)計都面臨很大挑戰(zhàn)。如何更好地設(shè)計SiC MOSFET驅(qū)動及保護電路, 在高性能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場合實現(xiàn)效率、功率密度和穩(wěn)健性的最佳組合?
好馬要有好鞍配,讓我們一起詳解SiC短路保護和并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)!
第三場直播預(yù)告
本期話題:好鋼用在刀刃上
——探討SiC熱門應(yīng)用和器件選型要點
直播時間:8月9日下午14:00
關(guān)鍵詞:碳化硅,光儲充,固態(tài)變壓器,
固態(tài)斷路器,SiC 器件選型
直播嘉賓
沈嵩
英飛凌科技大中華區(qū)
零碳工業(yè)功率事業(yè)部
應(yīng)用工程師
周明
英飛凌科技大中華區(qū)
零碳工業(yè)功率事業(yè)部
應(yīng)用工程師
由于 SiC材料在禁帶寬度、絕緣擊穿場強、熱導(dǎo)率以及功率密度等參數(shù)方面要遠遠優(yōu)于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體,所以其在新能源汽車、充電樁、高速電機、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用在逐步的擴大化。未來還會在哪些領(lǐng)域大有可為?
好鋼用在刀刃上,讓我們共同探討SiC熱門應(yīng)用和器件選型要點。
一次可同時勾選報名三場直播,英飛凌大咖們剝繭抽絲、層層遞進,讓你秒懂碳化硅應(yīng)用~
別忘了哦,參加我們的直播活動,還有精彩的抽獎環(huán)節(jié)等著你!
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