11月5日，英飛凌科技CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK 3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Devices of the Year），再次展現了英飛凌在電力電子領域的技術創新能力和行業領先地位。英飛凌科技工業與基礎設施業務產品總監張明丹女士出席本次頒獎典禮。

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采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000V分立器件，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。基于第一代增強型溝槽柵技術，該產品在電壓等級上實現了向上拓展，成為市面上首款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統。憑借.XT擴散焊技術，這款產品可提供一流的散熱性能，以及高防潮性，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能確保系統的可靠性。

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CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅采用了增強型M1H Trench SiC MOSFET芯片技術，搭載EasyPACK 3B封裝和62mm兩種封裝。其中，DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個采用EasyPACK 3B封裝的2000V CoolSiC MOSFET功率模塊，適用于1500V光伏系統。實際應用中，通過使用該產品，兩電平可以取代三電平的結構，在輕載下，Boost升壓效率提高了1%，而在所有工作條件下，升壓效率平均提高了0.5%。它實現了更簡單的解決方案，減少了器件的數量，同時提高了功率密度，降低了1500 VDC應用的總系統成本。

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62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊，優化了VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓范圍等SiC MOS關鍵性能。該產品VGS(th)最大正負柵極源極電壓分別擴展至+23V和-10V，同時增大了推薦柵極驅動電壓的范圍,+15...+18V和0...-5V。過載條件下的Tvjop最高可達175℃，與市場同類產品相比，62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊具備高頻、耐高壓、耐高溫、低損耗、抗輻射能力強等顯著優勢。

作為全球功率系統的半導體領導者，英飛凌已在產品布局、產能、應用等方面全面涵蓋第三代半導體關鍵材料。在碳化硅方面，英飛凌擁有優異的溝槽柵工藝以及全新的.XT技術，憑借在碳化硅領域長達二十余年的豐富經驗和深厚技術積淀，英飛凌無疑是業界最有競爭力的技術供應商之一。未來，英飛凌科技將繼續致力于技術創新和產品優化，為全球客戶提供更多高性能、高可靠性的產品解決方案，繼續推動碳化硅產品、技術在新應用中的的持續發展和創新。