IPAC直播間 | CoolSiC?碳化硅直播季-高壓碳化硅的應(yīng)用設(shè)計
英飛凌IPAC直播間 | CoolSiC碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列，一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0m?（25℃條件下），標稱電流1000A的模塊；二是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.6m?（25℃條件下），標稱電流750A的模塊。
兩款模塊產(chǎn)品均由集成體二極管的SiC MOSFET組成，并通過英飛凌可靠的.XT互連技術(shù)置于低電感XHP 2封裝中。憑借高功率密度、高質(zhì)量、高可靠性的優(yōu)勢，可以從容應(yīng)對運行環(huán)境要求更為嚴苛的工業(yè)級應(yīng)用。
6月25日14：00，我們將為您揭開CoolSiCMOSFET 3300V的神秘面紗，解讀論文、提綱挈領(lǐng)高壓碳化硅產(chǎn)品的設(shè)計要點。
直播亮點：
專業(yè)論文解讀，探索高壓CoolSiC MOSFET芯片技術(shù)的獨特之處
深入了解使用全.XT技術(shù)的XHP2封裝，如何助力高效可靠性的極致發(fā)揮
純技術(shù)干貨分享，帶您領(lǐng)略CoolSiC MOSFET的前沿產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)
嘉賓介紹
波老師
IPAC 常駐主持
負責英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品在軌道交通等應(yīng)用與技術(shù)支持
趙佳
碳化硅資深專家
負責英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品在新能源等應(yīng)用與技術(shù)支持
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2518瀏覽量
142890 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3721瀏覽量
69409 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3464瀏覽量
52348
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
簡單認識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)商以及分銷商，產(chǎn)品
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑，可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標，其精確測量對保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
![[新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用
碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中，我們
碳化硅在電機驅(qū)動中的應(yīng)用
今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
發(fā)表于 06-25 09:13
IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)？
碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量，“打鐵需趁熱”，第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰(zhàn)場，第二期就必須得火力全開，好好嘮嘮怎么把碳化硅
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從
IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？
直播時間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報名吧！直播間不定時會有禮品掉落，速速掃碼預(yù)約！520碳化硅首場
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細探討
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品
3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術(shù)展覽會圓滿落幕，本次會上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品，吸引了新能源汽車、工業(yè)
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
發(fā)表于 03-12 11:31
?1000次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論