科銳首席執行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優質的商業伙伴。這項協議的簽署，體現了科銳SiC碳化硅晶圓片技術的高品質和我們的產能擴充，同時將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現更快、更小、更輕、更強大的電子系統至關重要。”
2018-04-04 09:00:59
8213 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）新能源汽車市場規模急劇上漲，對于碳化硅產業而言，上游產能擴充是現今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里，海內外都持續投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游晶圓
2023-02-20 09:13:0189432 本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:063294 
的各種碳化硅（SiC）材料的供應安全。 ? 據了解，碳化硅是高效而強大的功率半導體，尤其是光伏、工業電源和電動汽車充電基礎設施等領域半導體不可或缺的基礎材料。雙方達成的這一協議意味著，為滿足日益增長的半導體需求，英飛凌給必不可少的SiC基材爭取到更多的回旋余地。 ? 該公司工業
2021-05-07 10:58:401788 碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
可有效減小功率回路寄生電感參數，減小開關過程中的震蕩、過沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅動集成技術也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 具體來說，在新能源發電系統中，采用碳化硅技術能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統的石化燃料發電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:0110071 2018年5月16日，“2018英飛凌碳化硅發展論壇”在深圳順利落幕。
2018-05-28 14:22:175033 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內企業有哪些？國內碳化硅產業鏈企業盤點分析：英飛凌以1.39億美元收購初創企業Siltectra，獲得后者創新技術ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328 隨著汽車電子、工控等應用領域蓬勃發展，市場對碳化硅（SiC）的需求持續增長，國內外碳化硅企業陸續擴產，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴大碳化硅產能。
2019-05-08 16:40:054715 第三代半導體材料碳化硅的發展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器件的研發生產，并打入多個應用市場。日前，在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上，該公司大中華區工業功率控制事業部副總裁于代輝和工業功率控制事業部總監馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:217396 。根據該協議，GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應用。
2020-03-19 09:07:443051 關鍵詞：CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協議提高高需求寬禁帶材料的全球供應 GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor
2020-03-20 08:51:174524 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動中
2021-11-29 14:54:089429 
【2022年9月19日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團 （納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應協議
2022-09-20 11:39:121051 
億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術的重要性愈發凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領域主導企業，均發表了對行業發展的積極展望，并計劃投資擴大產能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰正在展開。 激進的擴產步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:251660 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 碳化硅技術龍頭企業 碳化硅市場格局 碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 當地時間12日，英飛凌宣布，正在擴大與碳化硅（SiC）供應商合作，已與Resonac簽署一份新采購合作長單，補充并擴大了雙方2021年簽訂的合同。
2023-02-02 15:19:54667 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值，繼續升高溫度，導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:236555 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708 【 2023 年 02 月 09 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體
2023-02-09 17:51:29868 
英飛凌科技持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。
2023-02-17 09:31:15542 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:061194 近期國際功率半導體巨頭英飛凌拓展碳化硅材料供應商體系，簽約國產碳化硅襯底頭部產商天岳新進、天科合達。在業內人士看來，其重要性被業內認為堪比消費單子廠商納入“蘋果產業鏈”。
2023-05-16 10:45:271010 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 碳化硅晶錠的生長、切割一直是業內公認的難題，全球僅有少數幾家公司擁有大尺寸碳化硅晶片的制造能力的只有幾家公司在世界上得到認可，wolfspeed作為目前這個領域的領先者，是唯一一個8英寸碳化硅晶片
2023-06-28 09:59:391043 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業SK Siltron CSS最近達成了一項重要協議。根據該協議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導體生產方面的需求。
2024-01-17 14:08:351190 ）與全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:011100 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明，延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:311151 英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國半導體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴大并延長現有的晶圓供應協議。這一協議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關系，以滿足市場對碳化硅（SiC）晶圓產品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:521459 英飛凌技術公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產碳化硅（SiC）材料和功率半導體器件的制造商 — 已經擴大并延長了他們的現有長期150毫米碳化硅（SiC）晶圓供應
2024-01-30 17:06:001340 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產能預訂協議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅半導體產品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:331272 半導體領域的創新者英飛凌科技近日發布了一款革命性的數字驅動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，專為2kV碳化硅MOSFET模塊設計。這款評估板為工程師們提供了一個快速、便捷的測試平臺，以評估基于2kV碳化硅MOSFET樣機的性能特性。
2024-05-11 11:33:451359 英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術，再度突破極限，實現更高效率、更低功耗，這也使英飛凌在日益發展且競爭激烈的碳化硅市場，屹立于創新浪潮之巔。在過去三年，碳化硅市場經歷了蓬勃發展，特別是在
2024-07-12 08:14:411152 
英飛凌在2024財年第三季度財報電話會上，碳化硅與居林工廠成為焦點。會后，英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck即刻啟程，前往馬來西亞吉打州，參加一個具有里程碑意義的儀式——全球規模最大且效率領先的200毫米碳化硅功率半導體晶圓廠正式投入生產運營。
2024-08-26 09:50:33949 在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區
2025-04-30 18:21:20761 作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統的推動劑，可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
2025-10-02 17:25:001521 天岳先進上海工廠產品交付儀式舉辦當天，英飛凌也宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協議。根據該協議，天岳先進將為德國半導體制造商英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的150毫米（6英寸）碳化硅晶圓和晶錠，其
2023-05-06 01:20:003980 
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