電子發燒友網綜合報道，11月24日，兆易創新高管在2025年第三季度業績說明會上表示，公司利基型DRAM產品量價齊升，公司今年新量產的DDR4 8Gb較快搶占份額，進入第三季度銷量已經與DDR4 4Gb基本相當。明年公司將實現自研LPDDR4X系列產品的量產，并著手規劃LPDDR5X小容量產品的研發。

公司利基型DRAM產品今年一季度末價格回暖，下半年利基型DRAM收入有明顯增長。2025年公司利基型DRAM業務營收有望超預期達成本年初計劃同比增長50%的目標，本年下半年利基型DRAM收入有明顯增長，有望超越MCU業務成為公司第二大產品線。

Flash同樣受益于存儲周期的改善，源于在AI基建中，對NAND Flash有源源不斷的需求。NAND Flash主要用于存儲溫數據及冷數據，存儲數據量巨大，同時擦寫次數相對有限，對NAND Flash的需求量在不斷加大。海外大廠都在將重心從2DNAND向3D NAND遷移，從而帶來2D NAND相對明顯的短缺。在此背景下，公司的SLC NAND產品開始漲價。

NOR Flash已經處于相對成熟發展階段，行業的增長主要來源于代碼量的提升，當前端側AI的發展進一步推動NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨詢機構已經把行業CAGR從5~7%上調至8%。NOR Flash也處于為溫和漲價周期中，源于產能端的緊缺，公司順應市場需求變化對價格做出適當調整，9月開始陸續落地。本年初預計NOR Flash收入同比增長10%，目前看有信心實現目標。

定制化存儲解決方案進展順利，進入年末，陸續有部分項目進入客戶送樣、小批量試產階段，明年有望在汽車座艙、AIPC、機器人等領域實現芯片量產。長期來看，我們堅信這一技術路線在端側AI會得到廣泛應用，在AI大發展的時代，定制化存儲的市場空間潛力非常大。在這一領域，公司憑借自身的研發實力和先發優勢，有望占據重要地位。

兆易創新高管表示，目前我們對存儲周期的看法相較今年上半年更加樂觀。美國科技巨頭推動AI基建，算力增長對存儲的需求量進一步顯著提升，且科技巨頭所宣布的產能需求相較于主要存儲廠商實際計劃增加的量還要大。

展望明年，預計NOR Flash和SLC NAND Flash毛利率溫和提升。利基型DRAM市場呈現明顯的供不應求現象，初步預計漲價趨勢在未來的兩個季度有望得以延續，并在明年后續幾個季度維持相對較高的價格水平。另外，公司將結合實際經營需求與DRAM核心供應商積極協商，爭取得到產能支持。此外，MCU毛利率保持平穩。

兆易創新高管表示，多年來，公司共對長鑫科技累計總投資金額23億元。公司與長鑫科技開展業務合作，長鑫科技的良好發展，為公司利基DRAM產品提供較好的產能支持。公司利基型DRAM產品量價齊升，公司今年新量產的DDR4 8Gb較快搶占份額，進入第三季度銷量已經與DDR4 4Gb基本相當。明年公司將實現自研LPDDR4X系列產品的量產，并著手規劃LPDDR5X小容量產品的研發。

公司NAND Flash產品屬于SLC NAND，在消費電子、工業、汽車電子、通訊等領域已經實現了全品類的產品覆蓋。未來公司將積極把握行業供給格局變化的機遇，在2D NAND領域研發更高存儲密度的產品，但公司并無3D NAND的產品規劃。