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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星開發(fā)出業(yè)界首款GDDR7 DRAM顯存

三星開發(fā)出業(yè)界首款GDDR7 DRAM顯存

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三星GDDR6顯存開始量產(chǎn):10nm16Gb(2GB)功耗降低35%

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那些年我們用過的顯存:DDR與GDDR的區(qū)別

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三星成功開發(fā)業(yè)界首10nm級8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動設(shè)備

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美光宣布量產(chǎn)下代GDDR6顯存,進度暫時緩慢

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三星GDDR6顯存正式量產(chǎn),將有助于AR/VR行業(yè)進一步升級

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三星開始量產(chǎn)業(yè)界首消費級QLC SSD 單芯片容量1Tb

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三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
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3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
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三星電子將開發(fā)基于第代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
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行業(yè) | 三星電子和SK海力士完成對本土氟化氫測試,已投入DRAM生產(chǎn)

7月15日業(yè)界資訊,三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試,近日已投入到DRAM生產(chǎn)。
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三星開發(fā)屏設(shè)計的智能手機

7月29日消息,三星近日一項新專利曝光。專利顯示,三星正在準備開發(fā)具有獨特屏設(shè)計的智能手機。
2019-07-30 09:03:392910

三星宣布將量產(chǎn)全球首12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機,優(yōu)化其5G和AI功能。
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三星首次開發(fā)出代10nm級DRAM高級存儲器

三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網(wǎng)上發(fā)布消息,該公司正式宣布,首次開發(fā)了第代 10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)。
2019-09-27 17:23:291500

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV技術(shù) 將鞏固其在高端半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位

10月7日,三星電子宣布已開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV技術(shù)。
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三星GDDR5顯存停產(chǎn),GDDR6顯存將是主流

根據(jù)博板堂的消息,三星GDDR5顯存已停產(chǎn),未來主流顯卡將標配GDDR6顯存
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三星GDDR5停產(chǎn),向GDDR6顯存轉(zhuǎn)移

根據(jù)消息,三星GDDR5顯存已停產(chǎn),未來主流顯卡將標配GDDR6顯存
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三星新電源管理芯片將用于真無線耳機

三星推出了兩新的電源管理芯片組,分別是MUA01和MUB01,該新品用于真無線耳機。三星表示,它們是業(yè)界首多合一電源管理IC(PMIC)。由于尺寸緊湊,可以為更大的電池留出更多空間。
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出貨100萬 三星業(yè)界首EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

三星將EUV技術(shù)應(yīng)用于新型DRAM產(chǎn)品中,并實現(xiàn)量產(chǎn)

韓國三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬個極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首10nm級DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲器供應(yīng)商

韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首10納米級DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。 三星
2020-04-03 15:47:511320

三星聲稱已開發(fā)出Blue QLED技術(shù) 領(lǐng)先行業(yè)

眾所周知,三星率先推出了 QLED 技術(shù),這屬于業(yè)界表現(xiàn)第一梯隊的的屏幕技術(shù)之一。現(xiàn)在,三星聲稱已開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 Blue QLED 技術(shù)。 三星聲稱,由于藍色是種 QLED 原色(紅色,藍色
2020-10-21 16:24:112410

三星聲稱已開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的Blue QLED技術(shù),旨在加速Q(mào)LED商業(yè)化

眾所周知,三星率先推出了 QLED 技術(shù),這屬于業(yè)界表現(xiàn)第一梯隊的的屏幕技術(shù)之一。現(xiàn)在,三星聲稱已開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 Blue QLED 技術(shù)。
2020-10-21 17:34:23732

三星業(yè)界首支持鏡頭翻轉(zhuǎn)5G手機即將亮相

1月23日消息,據(jù)Galaxy Club報道,三星正在開發(fā)名為Galaxy A82的5G手機,預(yù)計會在今年下半年亮相。
2021-01-24 09:29:071921

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星開發(fā)出512GB內(nèi)存擴展器

今日,作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商,三星宣布開發(fā)出三星512GB內(nèi)存擴展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306

512GB CXL DRAM將是三星支持PCIe 5.0接口的內(nèi)存設(shè)備

自2021年5月推出三星配備現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)控制器的CXL DRAM原型機以來,三星一直與數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和芯片組公司密切合作,以開發(fā)更好的、可定制的CXL產(chǎn)品。
2022-05-10 10:15:122658

三星GDDR6W面世,直接對標HBM2E的顯存

在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中,但很明顯沒個幾年時間是出不來的。 GPU市場的顯存選擇 我們再看看目前GPU市場對于顯存的選擇,AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6,而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E;英偉達則在部分
2022-12-02 07:15:031989

三星12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星推出其首GDDR7 釋放下一代顯存性能潛力

三星最新32Gbps GDDR7將進一步強化人工智能、高性能計算和汽車等的應(yīng)用能力 與上一代24Gbps GDDR6 相比,GDDR7性能提升1.4倍,能效提高20%
2023-07-19 10:27:161618

【機器視覺】歡創(chuàng)播報 | 三星開發(fā)出業(yè)界首GDDR7顯存

1 三星開發(fā)出業(yè)界首GDDR7顯存 三星7月19日宣布成功開發(fā)出業(yè)界首GDDR7 DRAM顯存,將進一步拓展人工智能、HPC和汽車應(yīng)用的能力。該產(chǎn)品將于今年首先安裝在主要客戶的下一代系統(tǒng)中進
2023-07-20 11:27:491321

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外,三星正在準備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星宣布開發(fā)業(yè)界首車用級5nm eMRAM

三星在會上表示,作為新一代汽車技術(shù),正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止,用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價證券組合,2年后升級為8納米制程。
2023-10-23 09:57:221309

三星展示GDDR7技術(shù):優(yōu)化TRX均衡與ZQ校準,提升傳輸速度

GDDR7將運用PAM3編碼方式,這種介于PAM4和NRZ之間的技術(shù)可提高周期內(nèi)數(shù)據(jù)傳送率,相較NRZ技術(shù)降低了對高總線頻率的依賴,獲得比GDDR6更高性能且能耗更低的特性。
2024-01-29 11:20:371492

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299

JEDEC發(fā)布GDDR7顯存標準,帶寬提高兩倍,最高達192GB/s

據(jù)了解,JESD239 GDDR7首次采用了脈幅調(diào)制(Pulse Amplitude Modulation,PAM)接口以實現(xiàn)高效的高頻操作,增強了信號噪聲比,降低能源消耗。該標準利用級(+1,0,-1)的2周期交互傳輸3比特數(shù)據(jù)
2024-03-06 10:31:471924

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:511277

英偉達、AMD新款顯卡或仍配備2GB GDDR7顯存

據(jù)悉,現(xiàn)行GDDR6顯存每模塊采用8GB顯存容量,對此,@kopite7kimi援引內(nèi)部消息稱,英偉達即將發(fā)布的GeForce RTX 5090顯卡并無內(nèi)存翻倍的可能性。
2024-03-08 14:54:021367

NVIDIA RTX 5090痛失512位顯存

NVIDIA有望在今年底或明年初發(fā)布下一代RTX 50系列顯卡,大概率首發(fā)配備新一代GDDR7顯存,但是顯存位寬和之前的說法不太一樣。
2024-03-11 16:02:491750

JEDEC發(fā)布:GDDR7 DRAM新規(guī)范,專供顯卡與GPU使用

三星電子和SK海力士計劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM,這是用于圖形處理單元(GPU)的最新一代高性能內(nèi)存。
2024-03-18 10:35:291968

GTC 2024:大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉,HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片;AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7,有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:591737

三星、海力士推出GDDR7顯存,最高時速48Gbps、64Gb

值得關(guān)注的是,新型GDDR7內(nèi)存提供的容量選項亦更加多樣化,本次展出的版本即包含16Gb與24Gb兩種款式,分別匹配2GB和3GB顯存容量。據(jù)JEDEC公布的數(shù)據(jù)顯示,未來GDDR7內(nèi)存的運行速度有望提高到48Gbps
2024-03-21 15:35:411829

Introspect Technology發(fā)布全球首GDDR7顯存測試系統(tǒng)

據(jù)悉,Introspect已成功交付M5512 GDDR7顯存測試系統(tǒng),此乃全球首個正規(guī)解決方案,專門針對JEDEC全新的JESD239圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR7)SGRAM規(guī)范。
2024-03-28 09:43:191304

三星發(fā)布GDDR7顯存解決方案,支持40Gbps引腳速度與64GB容量

三星拒絕迎合市場主流的16Gb高密度設(shè)計,而是選擇了較為理性的設(shè)計,采用16Gb密度,使得每個模塊可以供應(yīng)2GB的虛擬隨機存儲器(VRAM)。
2024-03-28 15:53:541080

三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

近日,三星宣布已開發(fā)出其首支持高達10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM
2024-04-17 14:58:251241

Rambus推GDDR7內(nèi)存控制器IP滿足AI應(yīng)用需求

據(jù)報道,該公司的 GDDR7 控制器采用 PAM3 信號,運行速度高達 40 Gbps,能為 GDDR7 存儲器設(shè)備提供 160 GB/s 的吞吐量,相比其自身研發(fā)的GDDR6 控制器,提升了 67%。
2024-04-23 15:52:421051

AMD RDNA4或采用GDDR6顯存,Navi 4X或Navi 4C具備216個計算單元?

因受限 RDNA 3 世代尷尬處境,AMD 下一代 RDNA4 游戲顯卡似乎選擇避開與英偉達在旗艦級別產(chǎn)品上的競爭。據(jù)消息人士 Kepler 透露,AMD 下一代 RDNA4 游戲顯卡將全部采用 18Gbps 的 GDDR6 顯存,而英偉達則可能使用更強大的 GDDR7 顯存
2024-04-28 14:29:301390

三星已成功開發(fā)16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

美光出樣業(yè)界容量密度最高新一代 GDDR7 顯存

Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克代碼:MU)今日宣布,出樣業(yè)界容量密度最高的新一代 GDDR7 顯存。1?美光 GDDR7 采用美光的 1
2024-06-05 16:52:391851

美光科技發(fā)布新一代GDDR7顯存

在近日舉行的臺北國際電腦展上,美國存儲芯片巨頭美光科技正式發(fā)布了其新一代GDDR7顯存。這款新型GPU顯卡內(nèi)存基于美光的1βDRAM架構(gòu),將內(nèi)存性能提升至新的高度。
2024-06-06 09:24:511108

美光科技發(fā)布新一代GDDR7顯存,容量密度業(yè)界領(lǐng)先

近日,全球知名的半導(dǎo)體存儲器解決方案供應(yīng)商美光科技股份有限公司宣布,成功出樣了業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。這款新型的顯存不僅代表了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的重大突破,更為廣大用戶帶來了前所未有的性能體驗。
2024-06-13 11:42:151162

SK海力士GDDR7顯存性能飆升60%

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設(shè)計的顯存,憑借其前所未有的高速與卓越性能,再次彰顯了SK 海力士在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-07 11:20:351350

三星發(fā)布業(yè)界首24Gb GDDR7 DRAM

近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平,更在速度上實現(xiàn)了顯著提升,成為下一代AI計算應(yīng)用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431425

三星推出業(yè)界首24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片

三星推出了業(yè)內(nèi)首24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星介紹,得益于多項改進與更新,該芯片相比前代在密度上提升
2024-10-22 15:13:373216

三星GDDR7顯存技術(shù)驅(qū)動圖形處理新時代

從粗糙的像素點陣到精妙的光線追蹤技術(shù),從平面的2D視界躍升至栩栩如生的3D世界,計算機圖形技術(shù)持續(xù)飛躍,賦予我們前所未有的震撼視覺盛宴。這一壯麗圖景的幕后推手,正是卓越的圖形處理能力。今天,我們將介紹一位真正的“圖形應(yīng)用大師”一一三星GDDR7,它將如何開啟視覺新紀元?
2024-12-26 13:43:341143

三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星否認重新設(shè)計1b DRAM

問題,在2024年底決定在改進現(xiàn)有1b nm工藝的同時,從頭設(shè)計新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關(guān)媒體表示相關(guān)報道不準確。盡管三星否認了重新設(shè)計,但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目標是提升1b DRAM的性能和良率。據(jù)了解,三星啟動了名為“D1b - p”的開發(fā)項目,重點關(guān)注提高電源效率和散熱性能。
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設(shè)計報道

據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報道指出,三星電子為應(yīng)對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

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