10月7日，三星電子宣布已開發出業界首個12層3D-TSV技術。

該技術被認為是大規模生產高性能芯片最具挑戰性的封裝技術之一，因為它需要精確的定位才能通過60，000多個TSV孔的三維結構垂直互連12個DRAM芯片，且厚度只有頭發的二十分之一。

Source：三星

封裝的厚度（720μm）與當前的8層高帶寬存儲器HBM2產品相同，這在組件設計上是一項重大進步，將幫助客戶發布具有更高性能容量的下一代大容量產品，而無需更改其系統配置設計。

Source：三星

此外，3D封裝技術還具有比當前現有的引線鍵合技術短的芯片間數據傳輸時間，從而顯著提高了速度并降低了功耗。

三星電子TSP（測試與系統封裝）執行副總裁Hong-Joo Baek表示： “隨著各種新時代的應用，例如人工智能（AI）和高功率計算（HPC），確保超高性能存儲器的所有復雜性的封裝技術變得越來越重要。”

憑借其12層3D-TSV技術，三星將為數據密集型和超高速應用提供最高的DRAM性能。而且，通過將堆疊層數從8個增加到12個，三星很快將能夠批量生產24GB高帶寬內存，其容量是當今市場上8GB高帶寬內存的三倍。

三星將憑借其尖端的12層3D TSV技術滿足快速增長的大容量HBM解決方案市場需求，并希望鞏固其在高端半導體市場的領先地位。