嵌入式閃存中，然而，嵌入式閃存的小型化已近乎突破極限，無法跟上CMOS邏輯的小型化。 據(jù)稱嵌入式閃存的小型化極限是在CMOS邏輯技術(shù)節(jié)點40nm至28nm上產(chǎn)生。嵌入式非易失性存儲器有望在28nm及更高版本的CMOS邏輯上扮演嵌入式閃存的角色。 嵌入式閃
2019-03-13 15:25:55
11452 聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門（300-million gate count）系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達100MB，可為高級通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬，滿足高速而穩(wěn)定的傳輸需求，以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:091614 Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:091246 三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎(chǔ)。
2013-05-23 09:05:162080 GlobalFoundries在7月份宣布量產(chǎn)14nm FinFET(LPE)，總算是邁入了1Xnm的大關(guān)。
2015-09-21 08:54:461048 MONOS工藝制造，不僅可以幫助嵌入式工程師增強系統(tǒng)的性能，降低成本，同時還可以提高電動汽車控制系統(tǒng)的安全等級。該型號目前已可通過世強訂購。
2015-10-13 18:18:121789 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過10nm節(jié)點，他們下一個高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171360 90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，技術(shù)實力和競爭力再度加強。 華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上，于
2017-12-27 17:59:3110769 許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲器來存儲引導代碼、配置參數(shù)和系統(tǒng)斷電時保留的其他數(shù)據(jù)。今天，閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中扮演著這一角色。鑒于需要閃存的應(yīng)用程序范圍很廣，因此有許多體系結(jié)構(gòu)和功能集可以滿足應(yīng)用程序的不同要求。
2022-12-01 13:45:082446 
瑞薩電子株式會社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋層上覆硅）工藝的新型嵌入式閃存低功耗技術(shù)，可提供1.5MB容量，是業(yè)界首款基于65nm SOTB技術(shù)的嵌入式2T-MONOS（雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅）閃存.
2019-06-15 10:01:072534 提案正在荷蘭政府進行審查。 ? 2. 28nm 改40nm ？印度要求鴻海Vedanta 合資晶圓廠重提申請 ? 據(jù)報道，鴻海集團
2023-06-30 11:08:591362 
日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
對出現(xiàn)故障的器件進行分析。另一方面，采用并列技術(shù)需要對定制壓焊墊進行定位，以有效地在兩個芯片之間進行綁定。絕大部分應(yīng)用所采用的首選方案均需要一個具有嵌入式閃存的標準微控制器，這種內(nèi)部綁定的應(yīng)用具有重大
2019-04-30 07:00:16
無法突破 90nm 以下節(jié)點，理由是存儲單元擴展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)?？扇缃?b class="flag-6" style="color: red">嵌入式閃存已發(fā)展到 28nm 級，因此證明上述看法是錯誤的?，F(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時代。不過
2020-08-14 09:31:37
之外，具有高壓能力的嵌入式閃存技術(shù)的一個更大的優(yōu)勢在于元件的長期供應(yīng)。例如，在汽車與工業(yè)應(yīng)用中，產(chǎn)品的壽命周期能達10年或更多。將閃存嵌入IC可以防止出現(xiàn)技術(shù)生命終結(jié)的風險，并且由于逐步淘汰當前工藝而采用新的工藝，需要對設(shè)計進行定期檢驗，這是采用分立式NVM或閃存微控制器時經(jīng)常會出現(xiàn)的問題。
2019-04-08 09:36:15
和實時系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細說明嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-07-11 07:53:14
和實時系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細說明嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-08-23 06:45:41
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2015-11-24 09:50:20
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2014-06-25 18:04:03
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2015-11-25 16:06:53
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2014-06-30 11:27:50
GD32E5高性能微控制器，采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和經(jīng)濟的開發(fā)成本。推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴展，解決數(shù)字電源
2021-12-16 08:13:14
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品，包括手機和數(shù)碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
為何要進行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計？如何進行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計？
2021-11-01 06:31:26
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
基于全新Arm? Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟
2021-11-04 08:38:32
如何使用 GDB 進行嵌入式遠程調(diào)試？
2021-12-24 07:01:07
如何對嵌入式應(yīng)用程序進行調(diào)試
2021-12-24 07:36:55
嵌入式閃存技術(shù)認知誤區(qū)
2021-01-12 06:30:12
怎樣在嵌入式A40i開發(fā)板上配置sftp用于文件傳輸呢？請問嵌入式A40i開發(fā)板是如何控制LED閃爍的？
2021-12-27 07:21:34
【來源】：《電子設(shè)計工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗證
2010-04-24 09:06:05
40nm等工藝節(jié)點推出藍牙IP解決方案，并已進入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點和最近的45-nm 節(jié)點在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長久以
2008-08-27 00:34:23971 英飛凌、TSMC擴大合作，攜手65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司近日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作，攜手開發(fā)
2009-11-10 09:02:382359 華虹NEC發(fā)布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案
上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）不久前宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺，成功開發(fā)出面
2010-01-12 08:43:281953 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551359 臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:431259 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗
2010-01-26 08:49:171145 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:121155 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達合作進
2010-02-02 18:00:121059 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 恒憶創(chuàng)新多位配置串口NOR閃存加速嵌入式應(yīng)用性能
恒憶（Numonyx）在IIC深圳站宣布推出業(yè)界首款 65nm 多位輸入輸出(1 位、2 位和 4 位)SPI閃存系列產(chǎn)品－－Forté N25Q，該產(chǎn)
2010-03-08 10:15:061087 安華高和IBM合作嵌入式互連技術(shù)
Avago Technologies(安華高科技)宣布，推出同類產(chǎn)品中速度最快、能源效率最高的
2010-03-25 17:18:23577 臺積電無奈出B計劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個場合確認將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50903 SanDisk (NASDAQ: SNDK)今天宣布推出全新iNAND? Extreme?嵌入式閃存驅(qū)動器(Embedded Flash Drive; EFD)系列;
2011-06-02 08:41:071630 燦芯半導體（上海）有限公司與中芯國際今天共同宣布燦芯半導體第一顆 40nm 芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。
2011-06-22 09:16:331743 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應(yīng)用的65納米嵌入式閃存(eFlash)微控制器(MCU)樣品。這是英飛凌和臺積電(TSMC)于2009年開始共同開發(fā)及生產(chǎn)65 納米
2011-11-19 00:13:18746 英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護應(yīng)用。
2011-11-30 10:07:061534 瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實時應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:131116 意法·愛立信今天發(fā)布了業(yè)界首個采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍牙和FM收音的平臺CG2905。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導航的速度和精度，推動市場對擴增實境應(yīng)用和先進定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:382705 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺積電進行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺積電28nm工藝節(jié)點制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11877 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開發(fā)之路上取得又一個里程碑式的突破，與其設(shè)計、IP合作伙伴成功流片了多個開發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241508 聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:341203 益華電腦宣布，晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認證Cadence實體驗證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類比、數(shù)位與混合訊號設(shè)計實體signoff。同時
2014-03-25 09:33:501333 2014年11月14日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 （FSE： IFX / OTCQX： IFNNY） 今日宣布，基于ARM?內(nèi)核的嵌入式功率系列橋式驅(qū)動器提供無以倫比的集成水平，以應(yīng)對智能電機控制在廣泛的汽車應(yīng)用中日益增長的趨勢。
2014-11-17 09:41:461849 Storage Technology（SST）與先進半導體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型（LPx）/RF平臺的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲器（NVM）產(chǎn)品已通過全面認證并開始投放市場。
2015-05-18 14:48:301713 Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布，正與 GLOBALFOUNDRIES 展開合作，認證 Mentor? RTL 到 GDS 平臺（包括 RealTime
2015-11-16 17:16:231434 SST全球市場營銷及業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Vipin Tiwari表示：“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技術(shù)與先進130 nm BCDLite工藝節(jié)點的結(jié)合，開辟了產(chǎn)品全新的應(yīng)用潛力，尤其是對于電源管理
2016-07-13 14:33:311931 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導體公司和全球領(lǐng)先的半導體代工廠聯(lián)華電子公司（以下簡稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582708 作為中國本土半導體制造的龍頭企業(yè)，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:004521 目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:554016 基于CCopt引擎的SMIC40nm低功耗工藝CortexA9的時鐘樹實現(xiàn),該文基于 SMIC 40nm 低功耗工藝的 ARM Cortex A9 物理設(shè)計的實際情況，詳細闡述了如何使用 cadence 最新的時鐘同步優(yōu)化技術(shù)，又稱為 CCopt 技術(shù)來實現(xiàn)統(tǒng)一的時鐘樹綜合和物理優(yōu)化。
2017-09-28 09:08:517 近日華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461762 聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災(zāi)評估這個微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:362880 的2G 、3G 和4G無線通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一，今日宣布其首款集成了無線連接的手機基帶平臺-SC6531正式商用。展訊單芯片40nm GSM/GPRS手機基帶平臺SC6531集成了FM與藍牙，更高
2018-11-14 20:39:01983 ”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:567748 ，SST的嵌入式SuperFlash?技術(shù)將應(yīng)用到SK hynix system ic的110納米（nm）CMOS平臺中，從而為設(shè)計人員提供具有成本效益的低功耗嵌入式閃存解決方案。
2018-12-13 15:43:381942 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:581073 華虹半導體有限公司（“華虹半導體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:384416 繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發(fā)公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:033501 再創(chuàng)全球晶圓代工廠90nm工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀錄。
2019-06-28 09:25:2510149 江蘇華存發(fā)布了我國第一顆國研國造的嵌入式40納米工規(guī)級別存儲控制芯片及應(yīng)用存儲解決方案：HC5001，這意味著我國在中高階eMMC存儲領(lǐng)域有了第一顆“中國芯”，并實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2019-09-19 11:49:472263 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162684 據(jù)外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142975 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:563103 Objective Analysis總裁Jim Handy表示：“當閃存置于主處理器之外時，保證嵌入式系統(tǒng)的安全性就變得尤為重要。針對閃存無法嵌入MCU的情況，英飛凌推出的安全閃存解決方案是一種極具競爭力的架構(gòu)。
2020-07-20 15:37:592327 在本系列的第 1 部分中，我們介紹了安全性在連接的嵌入式系統(tǒng)中的重要性，以及強制使用外部閃存的閃存的去集成。在本系列的第 2 部分中，我們介紹了下一代智能內(nèi)存安全閃存。在本系列的最后一部分中，我們將介紹與使用外部閃存的安全嵌入式系統(tǒng)相關(guān)的設(shè)計問題。
2022-10-21 09:23:571288 
許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲器來存儲引導代碼、配置參數(shù)以及系統(tǒng)斷電時持續(xù)存在的其他數(shù)據(jù)。如今，閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中都扮演著這一角色。鑒于需要閃存的應(yīng)用范圍很廣，有多種架構(gòu)和功能集可以滿足應(yīng)用的不同要求。
2022-10-24 11:55:001442 
IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:153 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 ASIC設(shè)計服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其Ariel? SoC成功通過完整質(zhì)量可靠度驗證，該IoT芯片基于聯(lián)電40納米超低功耗（40ULP）工藝并采用英飛凌SONOS eFlash嵌入式閃存技術(shù)。
2023-08-17 15:58:202048 Z20K11xN采用國產(chǎn)領(lǐng)先半導體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:084276 
全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業(yè)界首款[2]面向汽車應(yīng)用的通用閃存[3](UFS) 4.0版嵌入式閃存器件樣品。這些性能更高的新型器件封裝小巧
2024-01-31 18:19:001451 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:511586 意法半導體（STMicroelectronics）宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作，計劃于2025年底在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的微控制器（MCU）.
2024-11-21 15:41:561482 11月21日，意法半導體（ST）宣布與中國晶圓代工廠華虹半導體合作的新計劃 ，將與華虹合作在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的MCU！ 意法半導體表示，它正在與中國第二大定制芯片制造商華虹合作，到2025年底在
2024-11-26 01:05:001224 近日，歐洲芯片巨頭意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布了一項與中國第二大晶圓代工廠華虹半導體合作的新計劃。雙方將攜手在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的微控制器（MCU），以助力ST實現(xiàn)中長期的營收目標。
2024-12-03 12:42:151389 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進工藝節(jié)點上的技術(shù)實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過
2025-08-14 17:20:531312 生產(chǎn)40nm制程的MCU，以支撐其中長期營收目標的實現(xiàn)，這是意法半導體MCU業(yè)務(wù)經(jīng)歷了在中國市場的份額下滑后，做出了最新市場動作。 ? 意法半導體強調(diào)，在中國當?shù)赜兄圃炷芰?，這對于維持該公司的電動車芯片市場競爭力非常重要。意法半導體首席
2024-11-22 09:06:393636 
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