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電子發燒友網>嵌入式技術>嵌入式操作系統>Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存

Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存

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發布第五代3D NAND閃存

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全新176層堆疊閃存發布,可以輕松放入智能手機和存儲卡內

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是Intel閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存
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宣布了其第五代3D NAND閃存技術

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芯片巨頭宣布向客戶交付176層閃存

芯片巨頭11月10日正式宣布,將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得成為全球第一家量產176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:132185

科技出貨首款176層NAND 閃存性能和密度突破刷新行業紀錄

北京時間11月13日消息,內存和存儲解決方案供應商Micron Technology(科技)宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存,一舉刷新行業紀錄,實現閃存產品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565

搶先推出176層閃存 三星回應技術延誤

加而成,第一批為TLC顆粒,單個Die的容量為512Gb(64GB),當然后期很可能會加入QLC。 更重要的是,不只是宣布了新技術,而且176層閃存已經量產并出貨了,已經用于一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD,明年還會發布更多新產品。 在176層閃存技術上,
2020-11-14 10:01:202368

NAND加速邊緣計算場景化落地

日前,存儲器廠商宣布,其第五代3D?NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過全新推出的176層3D?NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應用效能。
2020-11-20 17:10:122392

Intel全球首發144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒

近日,Intel全球首發了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產品,不過對于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737

全球首創1αnm DRAM內存芯片

今天宣布,已經開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

一年虧4億 宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術是與英特爾共同開發的一種非易失性存儲技術,比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白
2021-03-19 14:25:251570

科技已批量出貨全球首款176層QLC NAND SSD

內存和存儲解決方案領先供應商Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達克代碼:MU)宣布已批量出貨全球首款 176層QLC(四層單元)NAND固態硬盤(SSD)。
2022-01-27 19:04:242707

推出176層QLC NAND SSD 移遠通信5G智能模組榮獲AIoT新維獎

科技公司宣布,它已開始批量出貨全球首款176層QLC NAND SSD。的 176 層 QLC NAND 采用最先進的 NAND 架構構建,可為各種數據豐富的應用提供業界領先的存儲密度和優化的性能。
2022-03-29 17:23:182372

宣布已量產全球首款232層NAND 帶來前所未有的性能

技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示:“ 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過 200 層,可謂存儲創新的分水嶺。此項突破性技術得益于廣泛
2022-07-28 09:49:5922968

200層NAND芯片的消費級固態硬盤2550 SSD正式出貨

發布的官方新聞稿,該企業宣布其已經正式出貨了全球首款使用超過200層NAND芯片的消費級固態硬盤2550 SSD,該SSD采用232層NAND技術,采用PCIe 4.0標準。
2022-12-08 16:19:191261

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394222

宣布減產至30%!

稱,2023 年的行業需求預測目前較低,但整個行業供應量的大幅減少已開始穩定市場。去年 11 月份,宣布將存儲芯片減產 2 成。財報內容顯示,專注于庫存管理和控制供應,近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進一步減少至近 30%,預計減產將持續到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321046

基于232層3D TLC NAND閃存UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存UFS 4.0模塊能效提升25% 此前推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:211823

起訴!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
2023-11-13 15:47:511090

長江存儲起訴

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者,超過了
2023-11-13 16:53:041658

8項專利被侵權!與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

一文解析NAND閃存接口ONFI

ONFI 由100多家制造、設計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業工作組,其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費電子產品、計算平臺以及其他需要大容量固態存儲的應用程序中的過程。
2024-04-03 12:26:2411350

232層QLC NAND芯片已量產并出貨,推出SSD新品

科技近期宣布,其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著光在NAND技術領域再次取得了顯著進步,鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。
2024-04-29 10:36:341552

232層QLC NAND現已量產

科技近日宣布了重大技術突破,其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現量產,并已部分應用于Crucial英睿達固態硬盤(SSD)中。此外,還推出了2500 NVMeTM SSD,該產品已面向企業級存儲客戶大規模生產,并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099

率先量產232層QLC NAND產品

科技再次領跑行業前沿,近日宣布其232層QLC NAND產品已成功實現量產,并已開始應用于部分Crucial英睿達固態硬盤中。這一突破性的技術不僅滿足了客戶端對數據存儲的高需求,同時也為數據中心提供了更高效的存儲解決方案。
2024-05-09 14:53:551034

第九代3D TLC NAND閃存技術的SSD產品開始出貨

知名存儲品牌近日正式宣布,搭載其研發的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術的固態硬盤產品已然問世,并已批量上市,成為全球業內首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產品所采用的堆疊層數高達
2024-07-31 17:11:171680

量產第九代NAND閃存技術產品

全球領先的存儲解決方案提供商科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術的固態硬盤(SSD)已正式進入量產出貨階段,標志著成為業界首家達成此里程碑的企業。這一創新技術的推出,不僅彰顯了光在制程技術和設計創新領域的卓越實力,更為數據存儲市場樹立了新的性能標桿。
2024-08-01 16:38:461251

NAND閃存是什么意思

NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點、應用領域以及未來發展等幾個方面進行詳細闡述。
2024-08-10 15:57:1913058

調整NAND晶圓生產策略應對市場需求放緩

近日,根據方面發布的2025財年第一財季財報電話會議文稿,公司高管在會上確認了針對當前閃存市場需求放緩的應對措施。 執行副總裁兼首席財務官Mark Murphy指出,在NAND閃存領域,
2024-12-26 14:30:47933

采用第九代QLC NAND2600 NVMe SSD介紹

一直在QLC市場占有優勢,采用G9 QLC NAND2600 SSD再次鞏固了這一優勢地位。
2025-08-05 11:09:581701

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