2011年，半導體封裝業界的熱門話題是采用TSV(硅通孔)的三維封裝技術。雖然TSV技術此前已在CMOS圖像傳感器等產品上實用化，但始終未在存儲器及邏輯LSI等用途中普及。最近，存儲器及邏輯LSI方面終于出現了使TSV技術實用化的動向。

　　存儲器方面，采用TSV技術的寬I/O DRAM的發布接連不斷。采用TSV技術層疊并連接多個DRAM芯片，不僅可實現產品的小型化及大容量化，還可通過增加總線寬度提高數據傳輸速度，并降低功耗。

　　首先，2011年3月韓國海力士半導體宣布，采用TSV技術，成功層疊了8層40nm級2Gbit DDR3 DRAM芯片。TSV技術與原來的引線鍵合技術相比，使運行速度提高了50%，功耗降低了40%。

　　3個月之后的2011年6月，爾必達存儲器開始樣品供貨采用TSV技術的32位寬8Gbit DDR3 SDRAM,采用TSV技術層疊了4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片與一個接口芯片，并實現了單封裝。

　　2011年8月，韓國三星電子宣布開發出了采用TSV技術的32GB RDIMM(registered dual inline memory module),該產品層疊了30nm級DDR3 SDRAM，并以TSV連接而成。已開始樣品供貨。

　　2011年12月，美國IBM與美國美光科技公司宣布開始生產基于TSV的新型存儲器“Hybrid Memory Cube”(HMC),據兩公司介紹，采用TSV技術，可將每個LSI的最大數據傳輸速度提高到128GB/秒。

　　針對這些動向，日本電子信息技術產業協會(JEITA)在2011年5月發布的《2011年度版日本封裝技術發展藍圖》中，加入了基于TSV的寬I/O DRAM技術的相關內容,而且，目前JEDEC也在為采用TSV的DRAM制定標準。

　　邏輯LSI方面，在采用TSV技術的硅轉接板上平面封裝邏輯LSI芯片的“2.5D”技術已全面進入實用化階段。比如，美國賽靈思公司2011年10月開始樣品供貨在硅轉接板上封裝4個28nm工藝FPGA芯片、相當于3000萬門ASIC電路的FPGA產品“Virtex-7 2000T”,這是一種通過將大面積芯片分割為4部分來提高芯片成品率的新方式。

　　關于這種2.5D技術以及未來的三維封裝技術，賽靈思的合作企業——***臺積電(TSMC)在2011年11月舉行的技術研討會上，宣布了TSV的量產計劃等,因TSV技術采用半導體工藝，因此也為臺積電這樣的代工企業涉足封裝領域創造了契機。有人指出，在介于半導體前工序和后工序之間的“中端”領域，潛藏著新的發展機會.

　　另外，在2011年12月舉行的“Semicon Japan 2011”的技術研討會上，法國Yole Developpement就賽靈思的硅轉接板公開了成本推算結果。該結果顯示，每塊40mm×40mm硅轉接板的生產成本約為32美元。從該數字可以看出，目前采用TSV技術的硅轉接板仍十分昂貴。不過，Semicon Japan 2011上展出了很多TSV制造裝置,估計今后業界將加快降低TSV技術成本的步伐。