除了研發資本的支出，還有一些晶圓代工廠需要面對的挑戰：

經濟和政治問題可能影響電子行業。

低迷的需求和庫存問題往往會在第一季度出現，這可能會在隨后的季度中持續存在。

集成電路業務正在進行一波并購活動。整合的結果則是代工廠商的客戶群縮減。

硅片的可用性令人擔憂。在多年的供應過剩之后，硅片供應商看到了新的需求。但是，供應商并沒有對新工廠進行投資，許多公司已經提高了價格。

封裝測試供應鏈是晶圓廠的另一個問題。對芯片需求的上升導致了制造能力、各種封裝類型甚至一些設備的短缺。

10nm/7nm，22nm工藝技術的遷移

到2018年，英特爾預計將增長10納米投入。此外，GlobalFoundries，三星和臺積電將開始出貨各自的7nmfinFET工藝產品。三星還宣布了各種半節點產品。

節點名稱很混亂。簡而言之，Intel的10nm技術大致相當于其他晶圓廠的7nm節點。

無論如何，節點遷移是具有挑戰性的。例如，一些芯片制造商花費比預期更長的時間從平面節點遷移到16nm/14nm。在16nm/14nm工藝中，許多供應商轉向下一代稱為FinFET的晶體管類型。在FinFET中，對電流的控制是通過在鰭的三側面上的柵極來實現的。

圖3：FinFET與平面?

一般而言，FinFET解決了短溝道效應和其他縮放問題，但是該技術制造起來更困難且成本更高。

舉個例子：英特爾本應在2017年下半年發布10納米FinFET工藝，但最近的進度有所下滑。投資銀行公司晨星（Morningstar）分析師AbhinavDavuluri在最近的一次采訪中表示：“英特爾10nmFinFET工藝看起來像是被推遲到了18年上半年。“這可能是遭遇了一系列的問題。但是，他們解決14納米工藝問題的時間，在10nm工藝基本上是成倍增加。因為現在你正在做自對齊的四軸模式，而不是雙模式。它需要更多的步驟和更好的功能尺寸，顯然這兩個問題是相互矛盾的。”

從時間上來看，GlobalFoundries，三星和臺積電在7nm將面臨類似的問題。Gartner分析師SamuelWang表示：“三家代工廠似乎都在取得良好的進展。”

SamuelWang預計，在2018年7nm工藝將有一個較大的增長，但在短期內，根本不能與10nm抗衡。預計在2017年，10nm將產生價值50億美元的業務。相比之下，預計到2018年，7nm的銷售額將從25億美元增至30億美元。

那么隨著時間的推移，7nm將如何發展呢？“這是一個循序漸進的過程，”GlobalFoundries的Patton說。“有一些客戶在更積極地布局到下一個節點。其他人則會緩慢跟進。”

根據Patton的說法，7nm將會是一個長壽的節點。FinFET將會有很多延伸，有很大的擴展空間。

臺積電表示，7nm節點可能會達到28nm一樣的成就。“7nm的最初應用是高端應用處理器和高性能計算。我們預計到2018年底，將會有超過50次流片，“臺積電聯席首席執行官兼總裁C.C.Wei在最近一次電話會議上表示。

然而，并非所有的代工廠客戶都是世界領先廠商。雖說許多公司正在開發新的芯片，并正在探索遷移到16nm/14nm甚至更遠的想法。但是許多公司都停留在28納米節點以上，因為他們無法承受先進節點的高昂IC設計成本。

為填補市場空白，GlobalFoundries，英特爾，臺積電和聯電正在開發一種新的22納米工藝。22納米比28納米更快，芯片開發成本低于16納米/14納米。

然則并不是所有的22nm技術都一樣。例如，GlobalFoundries正在準備22納米FD-SOI技術。臺積電和聯電正在開發22納米大容量CMOS工藝。而Intel則采用了新的低功耗22nmFinFET技術。

從此以后，客戶必須權衡各種選項。“這取決于你在什么空間，”GlobalFoundries的Patton說：“如果你專注于高性能，并且正在嘗試制造大型芯片，那么你會選擇FinFET。如果你期望芯片體積小，而且成本和功耗達到了平衡，那么你就可以沿著FD-SOI路徑走下去。

大容量CMOS工藝也是一種選擇，聯電正在開發一個22nm制程，用于RF、毫米波和其他應用。“這個工藝能提供性能和成本的最佳組合，”聯電的專業技術部門的副總裁RajVerma說。

盡管如此，在未來許多晶圓廠客戶仍將堅持使用28nm。Gartner公司的Wang說：“28納米級技術提供了速度，功耗和成本的最佳組合，其將繼續保持良好的需求，28nm晶圓代工年收入可達100億美元。”

那么，22nm會起飛嗎？“是的，因為22納米是28納米的延伸，”Wang說。“它提供了更好的性能和密度。”