TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:09
1380 半導體制造工藝是集成電路產業的核心，未來摩爾定律是否還能主宰產業發展就得看半導體工藝是否能在10nm以下的工藝繼續突破了，而在這個問題上，荷蘭ASML公司的EUV光刻機何時成熟就是個關鍵了。上周
2016-11-07 11:33:073245 
傳統的光刻工藝是相對目前已經或尚未應用于集成電路產業的先進光刻工藝而言的，普遍認為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因為 193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術節點的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917459 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:476930 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:246309 
光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環節，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求持續攀升，光刻技術也將不斷演化，支持更為先進的制程與更復雜的器件設計。
2025-03-27 09:21:333277 
2019年半導體芯片進入 7nm 時代開始（現在我們處于 10nm 時代），EUV 光刻機是絕對的戰略性設備，沒有它就會寸步難行。
2018-05-17 09:22:2011583 在7nm及以下節點上，臺積電的進展是最快的，今年量產7nm不說，最快明年4月份就要試產5nm EUV工藝了，不過這個節點的投資花費也是驚人的，臺積電投資250億美元建廠，5nm芯片設計費用也要比7nm工藝提升50%。
2018-10-08 09:52:334230 中芯國際的7nm工藝發展跟臺積電的路線差不多，7nm節點一共發展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒用EUV光刻機，只有N7＋工藝上才開始用EUV工藝，不過光罩層數也比較少，5nm節點寸是充分利用EUV光刻工藝的，達到了14層EUV光罩。
2020-02-28 09:49:166208 作為近乎壟斷的光刻機巨頭，ASML的EUV光刻機已經在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無論是英特爾、臺積電還是三星，EUV光刻機的購置已經是生產支出中很大的一筆，也成了7nm之下不可或缺的制造設備
2021-12-01 10:07:4113656 電子發燒友網報道（文/周凱揚）到了3nm這個工藝節點之后，單靠現有的0.33NA EUV光刻機就很難維系下去了。為了實現2nm乃至未來的埃米級工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 01:48:003525 電子發燒友網綜合報道 隨著集成電路工藝的不斷突破， 當制程節點持續向7nm及以下邁進，傳統的光刻技術已難以滿足高精度、高密度的制造需求，此時，波長13.5nm的極紫外（EUV）光刻技術逐漸成為支撐
2025-08-17 00:03:004220 翁壽松(無錫市羅特電子有限公司，江蘇無錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
有參考價值的信息。 英特爾路線圖 從7nm到1.4nm 首先將目光放到最遠，英特爾預計其工藝制程節點將以2年一個階段的速度向前推進。從2019年推出10nm工藝開始（實際產品在市場上非常少見
2020-07-07 11:38:14
ofweek電子工程網訊 國際半導體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業界對半導體制造的關鍵設備之一極紫外光刻機（EUV）的關注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區別如下
2021-01-12 10:17:47
，光源是ArF（氟化氬）準分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機，但是到了7nm這個節點已經的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺積電都會在7nm這個節點引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
`請問PCB蝕刻工藝質量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
%，Lam Research為10億美元，占臺積電采購額的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球僅有ASML一家公司掌握著EUV光刻機的核心技術，這也是5nm制程必需的設備，但EUV
2020-03-09 10:13:54
們的投入中，80%的開支會用于先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進封裝及特殊制程。而先進工藝中所用到的EUV極紫外光刻機，一臺設備的單價就可以達到1.2億美元，可見半導體
2020-02-27 10:42:16
卡巴KEY，可用到０９年６月１７日各版本通用 發個卡巴的KEY，可用到０９年６月１７日，而且卡巴７.０、８.０都能用
2008-07-31 16:50:25
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機作為集成電路制造中最關鍵的設備，對芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽為“超精密制造技術皇冠上的明珠”，根據之前中芯國際的公報，目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發布相關產品。
2010-03-24 08:52:581395 在SEMICON West上另一個熱點是光刻技術能否達到15nm的經濟制造?半導體業是有希望未來采用EUV技術。
2011-03-08 10:09:573110 光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 進入10nm工藝節點之后，EUV光刻機越來越重要，全球能產EUV光刻機的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣出18臺EUV光刻機，總價值超過20億歐元，折合每套系統售價超過1億歐元，可謂價值連城。
2017-01-19 18:22:594096 EUV光刻工藝加成，但是7nm EUV工藝在性能上不會有多大的提升，AMD CTO Mark Pappermaster也在采訪中證實7nm EUV工藝主要是改善能效，性能提升只是適度的。
2018-11-27 16:35:244132 時代開始（現在我們處于 10nm 時代），EUV 光刻機是絕對的戰略性設備，沒有它就會寸步難行。
在半導體工藝進入10nm節點之后，制造難度越來越大，傳統的193nm紫外光刻機也難以為繼
2018-05-20 10:32:3714641 作為DRAM芯片的龍頭企業，三星目前已經能量產10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。據報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內存芯片研發，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128
今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預計明年量產。那么存儲芯片行業何時
2018-06-07 14:49:006864 的進度表
在內存工藝上，美光認為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝，不過早前ASML兩年前提到過內存在進入1Y nm節點時就需要考慮EUV工藝了，實際上并沒有，包括三星在內的三大DRAM巨頭都沒有很快進入EUV節點的打算。
2018-06-08 14:29:076259 
過DRAM在進入1Ynm節點時就需要考慮EUV工藝了，實際上并沒有，包括三星在內的三大DRAM巨頭都沒有很快使用EUV的打算，預計到1znm才會考慮，也就是在10nm級左右。不過，美光認為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491479 臺積電前不久試產了7nm EUV工藝，預計明年大規模量產，三星今天宣布量產7nm EUV工藝，這意味著EUV工藝就要正式商業化了，而全球最大的光刻機公司荷蘭ASML為這一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293872 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產，2018年EUV光刻工藝終于商業化了，這是EUV工藝研發三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規模量產還有很多技術挑戰，目前的光源功率以及晶圓產能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:404245
隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產，2018年EUV光刻工藝終于商業化了，這是EUV工藝研發三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規模量產還有很多技術挑戰，目前的光源功率以及晶圓產能輸出
2018-11-01 09:44:264914 作為全球頭號代工廠，臺積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開始試產。
2018-12-19 15:01:021916 用于高端邏輯半導體量產的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術的未來藍圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術節點到今年(2019年，也是從今年開始)，每2年~3年一個階段向新的技術節點發展。
2019-01-21 10:45:563963 
***（深紫外光）以及EUV***（極紫外光）。工藝制程還在28nm徘徊時，DUV***無疑是最佳的選擇，但是隨著工藝制程的升級，想要邁向更小的線路，就只能使用EUV光刻工藝。
目前最先
2019-04-03 17:26:555258 臺積電官方宣布，已經開始批量生產7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術，意義非凡。
2019-05-28 16:18:244210 隨著半導體行業持續突破設計尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術的運用逐漸擴展到大規模生產環境中。對于 7 納米及更小的高級節點，EUV 光刻技術是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術。要在如此精細的尺寸下進行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:372675 
格芯首席技術官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產工具，未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關鍵。
2019-09-03 17:18:1814886 
KLA-Tencor光刻工藝控制解決方案將產量優化至0.13微米 SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工藝模塊控制（PMC）解決方案芯片制造商實施和控制0.13微米及更小
2020-02-14 11:05:231983 芯片行業從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長范圍是10~400nm）用以取代現在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空氣和鏡片材料吸收、生成高強度的EUV也很困難。
2019-10-01 17:12:009156 7nm+ EUV節點之后，臺積電5nm工藝將更深入地應用EUV極紫外光刻技術，綜合表現全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 7nm是Intel下一代工藝的重要節點，而且是高性能工藝，其地位堪比現在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。
2019-10-12 14:44:543267 在半導體工藝進入 10nm 節點之后，制造越來越困難，其中最復雜的一步——光刻需要用到 EUV 光刻機了，而后者目前只有荷蘭 ASML 阿斯麥公司才能供應。
2019-12-10 16:04:288106 由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。在這之后，三星已經加快了新工藝的進度，日前6nm工藝也已經量產出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。
2020-01-06 16:31:033601 三星宣布，位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經開始量產7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052868 近些年來EUV光刻這個詞大家應該聽得越來越多，三星在去年發布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 10:58:473867 近些年來EUV光刻這個詞大家應該聽得越來越多，三星在去年發布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 11:42:4531024 據國外媒體報道，在芯片的制造過程中，光刻機是必不可少的設備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機也就至關重要。
2020-03-07 14:39:545816 CFan曾在《芯希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術是個什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產7nm或更先進制程工藝的技術，特別是在5nm3nm這個關鍵制程節點上，沒有
2020-09-01 14:00:293544 工藝制程走入10nm以下后，臺積電的優勢開始顯現出來。在7nm節點，臺積電優先確保產能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結果進度領先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優勢。
2020-09-02 16:00:293421 重要要點 l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業平版印刷處理設計指南。 可以說，有史以來研究最多的文物是都靈裹尸布。進行廣泛檢查的原因，從來源的宗教建議
2020-09-16 21:01:162207 ASML的EUV光刻機是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產的設備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機必不可缺。一臺EUV光刻機的售價為1.48億歐元，折合人民幣高達11.74億元
2020-10-19 12:02:4910752 
臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業，目前投產的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:562085 EUV工藝的，這是臺積電三種7nm工藝版本之一，與其他兩種工藝相比，它會使用EUV光刻機，光刻處理效率更高。 在Zen3是否會上EUV工藝的問題上，AMD官方的態度一直很模糊，只強調是改良版的7nm工藝，官方路線圖中直接去掉了EUV的痕跡。 不過臺灣媒體日前提到，AMD的Zen3這次使用的7nm工
2020-10-26 17:49:532761 ASML公司的EUV光刻機全球獨一份，現在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產CPU、GPU等芯片。馬上內存芯片也要跟進了，SK海力士宣布明年底量產EUV工藝內存。
2020-10-30 10:54:212202 據TOMSHARDWARE報道，臺積電表示其部署的極紫外光（EUV）光刻工具已占全球安裝和運行總量的50%左右，這意味著其使用的EUV機器數量超過了業內其他任何一家公司。為了保持領先，臺積電已經下單
2020-11-17 16:03:382413 、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規劃，且1nm時代的光刻機體積將增大不少。 據稱在當前臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經引入了NA=0.33的EUV曝光設備，2nm之后需要
2020-11-30 15:47:403167 想想幾年前的全球半導體芯片市場，真的可謂哀嚎一片，一時間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天，我們不僅看到5nm工藝如期而至，臺積電宣布2nm獲得重大進展，就連光刻機的老大ASML也傳來捷報，全球最先進的1nm EUV光刻機業已完成設計。
2020-12-02 16:55:4111034 自從芯片工藝進入到7nm工藝時代以后，需要用到一臺頂尖的EUV光刻機設備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進制程工藝的芯片產品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機，目前全球
2020-12-03 13:46:227525 更多訣竅，領先對手1到2年。 據悉，三星的1z nm DRAM第三代內存已經用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產時間、降低成本，并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數過少對
2020-12-04 18:26:542674 繼SK海力士日前宣布在M14和建設中的M16工廠均引入EUV光刻機后，三星也坐不住了。
2020-12-05 09:14:061835 ：5000系列的高NA EUV曝光系統的基本設計，將應用于1nm光刻機，預計2022年即可商用。 責任編輯：xj
2020-12-07 17:07:1010234 隨著半導體工藝進入10nm節點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數的EUV光刻機，率先量產7nm、5nm工藝，現在內存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機。
2021-02-25 09:28:552324 隨著半導體工藝進入10nm節點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數的EUV光刻機，率先量產7nm、5nm工藝，現在內存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻
2021-02-25 09:30:232709 隨著半導體工藝進入10nm節點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數的EUV光刻機，率先量產7nm、5nm工藝，現在內存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機。
2021-02-25 11:39:092438 第二代EUV光刻機原本預計最快可以2023年問世，但最新傳聞稱NXE:5000系列跳票，而且一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能問世了。 要知道，ASML是全球唯一一家量產EUV光刻
2021-06-26 16:55:281795 7nm之下不可或缺的制造設備，我國因為貿易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺EUV光刻機。 但EUV光刻機的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學巨頭的合作才得以成功。他們的技術分別為EUV光刻機的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1012038 臺積電和三星從7nm工藝節點就開始應用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導體制造過程中的EUV光刻層數。
2022-05-13 14:43:203214 
先進光刻工藝EUV相關知識，適合對半導體工藝有興趣的人員，或者是從事光刻工藝的工程師
2022-06-13 14:48:231 1、IBM的2nm芯片，所有關鍵功能都是使用EUV光刻機進行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產的中間和后端環節使用EUV光刻機，意味著2nm工藝對EUV光刻機擁有更高的依賴性。
2022-07-05 17:26:4910335 光刻機是芯片制造的核心設備之一。目前世界上最先進的光刻機是荷蘭ASML的EUV光刻機。
2022-07-06 11:03:078348 EUV光刻機是在2018年開始出現，并在2019年開始大量交付，而臺積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:445306 目前，光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術，EUV使用的是深紫外光刻技術。EUV為先進工藝芯片光刻的發展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1087068 euv光刻機原理是什么 芯片生產的工具就是紫外光刻機，是大規模集成電路生產的核心設備，對芯片技術有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機生產。那么euv光刻機原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1018347 光刻是半導體工藝中最關鍵的步驟之一。EUV是當今半導體行業最熱門的關鍵詞，也是光刻技術。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細看看光刻技術。
2022-10-18 12:54:056458 電子發燒友網報道（文/ 周凱揚 ）到了3nm這個工藝節點之后，單靠現有的0.33NA EUV光刻機就很難維系下去了。 為了實現2nm乃至未來的埃米級工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 07:25:021848 光掩模可以被認為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:323268 日本最寄望于納米壓印光刻技術，并試圖靠它再次逆襲，日經新聞網也稱，對比EUV光刻工藝，使用納米壓印光刻工藝制造芯片，能夠降低將近四成制造成本和九成電量，鎧俠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司則規劃在2025年將該技術實用化。
2023-03-22 10:20:393972 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122944 外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-07-07 11:21:321451 
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:535496 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:022010 
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:052730 
基辛格明確說道：“馬格德堡工廠一旦上線，就將處于行業前沿。我們先進的工藝技術也隨之進入大規模生產階段，那就是被我們稱為的Intel 18A以及更低納米級別。而馬格德堡工廠則將超過這些，我們將在那里打造1.5nm的器件。”
2024-01-19 10:27:271595 據悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現今先進芯片光刻工藝中的化學放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現已無法滿足當前晶圓制造的產業標準。
2024-04-30 15:09:132889 在萬物互聯，AI革命興起的今天，半導體芯片已成為推動現代社會進步的心臟。而光刻(Lithography)技術，作為先進制造中最為精細和關鍵的工藝，不管是半導體芯片、MEMS器件，還是微納光學元件都離不開光刻工藝的參與，其重要性不言而喻。本文將帶您一起認識光刻工藝的基本知識。
2024-08-26 10:10:073248 
分辨率增強及技術(Resolution Enhancement Technique, RET)實際上就是根據已有的掩膜版設計圖形，通過模擬計算確定最佳光照條件，以實現最大共同工藝窗口(Common Process Window)，這部分工作一般是在新光刻工藝研發的早期進行 。
2024-10-18 15:11:472854 
“ 光刻作為半導體中的關鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常，整個光刻工藝都需要返工處理，因此現場異常的處理顯得尤為關鍵”
2024-10-22 13:52:103498 ? EUV光刻有多強？目前來看，沒有EUV光刻，業界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機也是歷史上最復雜、最昂貴的機器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸？ EUV光刻技術，存在很多難點。 1.1
2025-02-18 09:31:242258 
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導體制造的核心技術，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發生化學變化，再經過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜上的圖形轉移到襯底上，是現代半導體、微電子、信息產業
2025-06-09 15:51:162129 光刻工藝是芯片制造的關鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結構和層間對準精度的控制要求達納米級，傳統檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43946 
EUV（極紫外）光刻技術憑借 13.5nm 的短波長，成為 7nm 及以下節點集成電路制造的核心工藝，其光刻后形成的三維圖形（如鰭片、柵極、接觸孔等）尺寸通常在 5-50nm 范圍，高度 50-500nm。
2025-09-20 09:16:09592 一、引言
玻璃晶圓在半導體制造、微流控芯片等領域應用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關鍵環節，對玻璃晶圓的質量要求極為嚴苛 。總厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圓質量的重要指標，其厚度
2025-10-09 16:29:24576 
了。 ? 芯片制造離不開光刻機，特別是在先進制程上，EUV光刻機由來自荷蘭的ASML所壟斷。同時，盡管目前市面上，EUV光刻機客戶僅有三家，但需求不斷增加的情況底下，EUV光刻機依然供不應求。 ? 針對后3nm時代的芯片制造工藝，High-NA（高數值孔徑）EUV光刻機
2022-06-29 08:32:006314
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