三星擬應用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）于DRAM EUV光刻工藝
據韓國媒體TheElec報導，三星已著手在下一代DRAM極紫外線（EUV）光刻工藝中引入金屬氧化物抗蝕劑（MOR）技術。
據悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現今先進芯片光刻工藝中的化學放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現已無法滿足當前晶圓制造的產業標準。
因此，三星計劃在第6代10納米DRAM（1c DRAM）中采用MOR技術，并在六至七層運用EUV PR。預計相關產品將在今年下半年實現量產。
此外，三星還計劃從多家供應商處采購EUV MOR光刻膠材料，包括Inpria、杜邦、東進半導體以及三星SDI等公司均在進行相關研發與測試工作。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
光刻膠
+關注
關注
10文章
354瀏覽量
31779 -
晶圓制造
+關注
關注
7文章
310瀏覽量
25282 -
三星
+關注
關注
1文章
1765瀏覽量
34185
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
光刻膠涂層如何實現納米級均勻性？橢偏儀的工藝控制與缺陷分析
光刻膠（亦稱光致抗蝕劑）是集成電路制造中的關鍵材料，其純度直接決定光刻圖形的質量與芯片良率。隨著光刻
澤攸科技 | EBL和EUV光刻機有何區別？如何影響半導體行業？
從技術路徑上看，電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一類問題的解法。電子束光刻本質上是一種直接寫入技術，利用聚焦電子束在抗
TDK SIOV-S10K***K11金屬氧化物壓敏電阻：小尺寸大作用
TDK SIOV-S10K***K11金屬氧化物壓敏電阻：小尺寸大作用 在電子設備的設計中，過壓保護是至關重要的一環。金屬氧化物壓敏電阻（MOV）作為一種常用的過壓保護元件，能夠在電壓
TDK SIOV-S07K系列金屬氧化物壓敏電阻：高性能與可靠性的完美結合
TDK SIOV-S07K系列金屬氧化物壓敏電阻：高性能與可靠性的完美結合 在電子設備的設計中，過壓保護是一個至關重要的環節。金屬氧化物壓敏電阻（MOV）作為一種常用的過壓保護元件，能
【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優化研究
一、引言
玻璃晶圓在半導體制造、微流控芯片等領域應用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關鍵環節，對玻璃晶圓的質量要求極為嚴苛 。總厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圓質量的重要指標，其厚度
3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應用
光刻工藝是芯片制造的關鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結構和層間對準精度的控制要求達納米級，傳統檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
ROBOT之鼻金屬氧化物半導體氣體傳感器靜電浪涌防護技術
講解一、解密“電子鼻”1電子鼻的工作原理金屬氧化物半導體（MOS）氣體傳感器構成的“電子鼻”，核心原理是利用金屬氧化物（如SnO?、ZnO等）表面對氣體的吸附-脫附特性。當目標氣體與
金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
物的應用，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬
光刻工藝中的顯影技術
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導體制造的核心技術，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發生化學變化，再經過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜上的圖形轉移到襯底上，是現代半導體、微
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發表于 04-18 10:52
【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造
，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機系統工藝平臺。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感
發表于 03-27 16:38
光刻工藝的主要流程和關鍵指標
光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環節，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求持續攀升，光刻技術也將不斷演化，
半導體材料介紹 | 光刻膠及生產工藝重點企業
光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由
工商網監
評論