12月21 日傳出聘請前臺積電高層蔣尚義但任獨立董事的中國大陸最大晶圓代工業(yè)者中芯國際 （SMIC），因為在 2016 年之內，先后宣布 14 納米制程將在 2018 年投產，以及 2016 年投資金額提升至 25 億美元的消息。而這 2 項指標都直追全球第 3 大晶圓代工業(yè)者聯電（UMC），意味中芯將有機會超過聯電，成為全球僅次于臺積電與格羅方德 （Global Foundries） 的第 3 大晶圓代工業(yè)者。

據了解，目前在全球半導體制造技術上，掌握 10 納米制程技術的臺積電，不論技術與規(guī)模，都是全球晶圓代工業(yè)的領先廠商。而聯電在廈門投資的聯芯擬引進 28 納米制程的計劃，目前仍舊卡關，僅采用 40/55 納米制程。至于，格羅方德則是買下三星的 14 納米制程的 FinFET 技術，成為第 3 家掌握該技術的晶圓代工廠。但該公司虧損多年，之前更曾傳出要賣給大陸企業(yè)，與中芯國際的競爭不明顯。

因此，就目前的市場態(tài)勢觀察，聯電早早在中國大陸設立和艦科技，加上目前在廈門也已經興建 12 寸晶圓廠，因此與中芯競爭最直接的就是聯電。不過，本來聯電希望將 28 納米制程導入中國大陸，但由于聯電 14 納米制程在中國***地區(qū)尚未量產。因此，礙于投資規(guī)定，中國***地區(qū)制程技術必須領先中國大陸一個世代以上，因此目前仍處于卡關階段。

因此，就目前的進度來看，即使 2017 上半年聯電如期采用 14 納米 FinFET 技術投產，廈門聯芯引進的也只是 28 納米制程，這將與中芯國際是同樣水準。因此，競爭力將不見得會比中芯更有優(yōu)勢。此外，2016 年聯電資本支出為 22 億美元 ，而中芯國際在 2016 年上半年就已調升到 25 億美元，中芯的資本支出首度超越聯電，也加速了中芯的半導體制程技術前進。而且，若中芯的 14 納米 FinFET 技術如愿在 2018 年投產，屆時相較聯電將會有更大的競爭優(yōu)勢。

2016 年 11 月 16 日聯電宣布，于廈門設立的 12 寸合資晶圓廠聯芯集成電路舉行揭幕典禮。且該廠打破過去紀錄，自 2015 年 3 月動工以來，僅 20 個月即開始量產客戶產品。聯電指出，聯芯采用40 納米制程技術，產品良率逾 99%。而針對競爭對手的積極追趕，聯電在 2016 年第 3 季的法說會上指出，14 納米制程將在 2017 年小幅量產。這也使得聯芯導入 28 納米制程的機會大增。

不過，市場法人認為，即便聯電順利小幅量產 14 納米制程，但初期良率不高的情況下，雖然看好未來有機會挹注公司營運。但是，短期面臨 2017 年第 1 季的傳統(tǒng)淡季，加上廈門聯芯廠量產初期將拉高成本，都將壓抑 2017 年整體獲利表現。這使得聯電與中芯的競爭，可能會處于較不利的態(tài)勢。