據經濟日報報道,聯電近日大量購入新機臺擴產,今年下半年將入駐工廠,聯電此舉是為了加快第三代半導體領域布局的步伐。
據悉,此前聯電第三代半導體以6英寸氮化鎵產品為主,隨著制程產能成熟、訂單充足,聯電有意向利潤更高的8英寸晶圓領域進發。
聯電CFO劉啟東表示,目前第三代半導體的項目還是以聯穎為主,聯電進行研發,雙方依舊處于合作關系,但其他細節便沒有再透露了。
聯電于5月6日公布了財務信息,4月營收227.96億新臺幣,折合人民幣約51.45億元,同比增長39.16%,創下單月紀錄新高,1至4月份,聯電共計營收862億新臺幣,折合人民幣約194.6億元。
綜合整理自 智通財經 IT之家 經濟日報
審核編輯 黃昊宇
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
聯電
+關注
關注
1文章
300瀏覽量
63179 -
第三代半導體
+關注
關注
3文章
180瀏覽量
7854
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業領先的第三代半導體
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術,開啟了在半導體行業高速發
發表于 01-31 08:46
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
欣見灣區新藍圖,瑞沃微祝賀廣州發布先進制造業強市規劃,共筑第三代半導體與芯片產業未來
1月8日,廣州市人民政府正式發布《廣州市加快建設先進制造業強市規劃(2024—2035年)》,明確了未來十余年產業發展方向。規劃提出,將重點發展第三
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成:核心
發表于 12-25 09:12
芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎
2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導體產業標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數百家SiC&G
CINNO出席第三代半導體產業合作大會
10月25日,第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席,鹽都區委副書記、區長臧沖主持會議。
基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術認知
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現,正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發揮著不可或缺的作用
第三代半導體的優勢和應用領域
隨著電子技術的快速發展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)
隨著AI技術井噴式快速發展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發制人,推出的第三代超結MO
歐冶半導體完成數億元B2輪融資
近日,國內首家智能汽車第三代E/E架構AI SoC芯片及解決方案商歐冶半導體宣布,已成功完成數億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國投招商、招商致遠資本及聚合資本共同投資。
聯電欲加快8英寸第三代半導體進程,4月營收達51億人民幣
評論