東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”...
使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗
關鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑...
關于氧化鋅的基本性質和應用的報告
本文概述了氧化鋅的基本性質，包括晶體結構、能帶結構和熱性質，并介紹了其應用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結構，氧化鋅的機械性質、基本電子和光學性質以及潛在的應用。 晶體結構...
吉方定制化服務，持續為客戶提升價值
吉方工控擁有完善的供應鏈體系，多年來與英特爾保持戰略合作關系，與國產芯片廠商也有良好的互動。在以客戶為導向的工作原則指導下，我們對供應鏈進行了科學的管理和嚴格的品控。...
Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應晶體管(FET)出貨量突破100萬大關。這一里程碑進一步證實...
2022-01-16 標簽：充電器FET電源適配器GaNTransphorm 5418
O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為
引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結合強度內聚能1.89 eV，熔點2248 K，高激子結合能60 meV，即...
在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態
引言 原子平面的制備是半導體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現象或使用原子探針技術操縱單個原子，只有原子平面的表面才能產生可重復制造納米級原子結構的機會。原子平坦...
微氣泡對光刻膠層的影響
關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高...
混合鋁蝕刻劑的化學特性分析
摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的...
多磷酸蝕刻劑的化學特性
摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確...
使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法
引言 隨著半導體技術的發展，為了在有限的面積內 形成很多器件，技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構，會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前，在桔葉式設備...
開年專訪谷泰微創始人兼CEO石方敏：2022本土IC要迎“大考”
隨著全球數字化轉型加速以及AIOT、智能汽車市場爆發，全球集成電路市場規模加速增長，預計2021年全球集成電路市場將增長到5700億美元，未來5年將更增長到1萬億美元的規模！...
Nano Dimension宣布收購Essemtec AG
-Essemtec AG是一家為印刷電路板和原始設備制造商行業提供表面貼裝取放系統的供應商 -本次收購有助于為以下方面的突破性進展奠定基礎：作為增材制造電子產品解決方案一部分的微芯片放置方...
SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點，并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數。基于HF二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解是在集...
異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS，研究...
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