引言

隨著半導體技術的發展，為了在有限的面積內 形成很多器件，技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構，會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前，在桔葉式設備中，冷卻晶片背面膜的方法是翻轉。翻轉晶片進行蝕刻工藝的話，蝕刻均勻度最好在1%以下。因此，如果一面進行工程，工程時間將增加一倍。為了減少工序時間，對在進行頂面工序的同時進行背面工序的方法進行了評價。本研究旨在制作可安裝在晶片背面的蝕刻噴嘴，評價噴嘴的性能，同時控制噴嘴中藥液噴射的方向和位置，使用高溫(60℃)的藥液對晶片背面的膜進行蝕刻，使均勻度低于5%。

實驗

評價中使用的實驗設備是晶片頂部的全部進行面食角，底部是可以進行面食角的結構。圖1是一個300毫米枯葉植食裝置的模擬圖，其中包括可以蝕刻晶片背面的噴嘴。晶片背面與噴嘴的距離約為L5厘米，晶片固定為6艘，工藝進行。主軸頭最多可旋轉2000RPM,使用的晶片為300mm。圖2是為晶片背面蝕刻而制作的是一個噴嘴。噴嘴包括藥液噴射部分和DIW(DE- Water)各部分組成。藥液粉絲孔直徑為 0.7毫米，孔與孔之間的間距設計各不相同。孔的間距是根據300毫米晶片的面積設計的。實驗中使用的晶片是沉積在硅晶片上約2000 Ao用于蝕刻的藥液使用了HF49%,為了提高蝕刻效果，藥液的溫度上升到了60℃。

總結

本研究確認藥液的流量和流速是冷卻晶片背面 Si3N4膜的重要變量。

首先，根據晶片的位置，離心力的大小不同，所以要讓藥液的噴射量不同。特別是300毫米晶片面積大于與da waver接觸的藥液量和時間會有所不同。第二，高溫的藥液比常溫的藥液反應性高，所以細微的差異中蝕刻量也出現了顯著的差異。