DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業務。

射頻前端是無線通信的必備器件，其負責IT設備之間的發射(Tx)和接收(Rx)，并廣泛應用于智能手機和物聯網等通信領域。 一般來說，射頻前端模塊是以天線調諧器、開關、低噪聲放大器(LNA)和功率放大器(PA)等部件組成。

隨著無線通信技術邁向5G，對高頻率、高靈敏度的高質量通信的需求正在不斷提升射頻前端的重要性。因此，射頻前端市場規模預計將從2019年的124億美元快速增長至2025年的217億美元。

在射頻前端的眾多部件中，DB HiTek目標產品是開關和LNA。開關負責在發射/接收信號時打開/關閉通道，而LNA是5G等高速通信的核心產品，通過放大頻率而傳輸更準確的信號。

DB HiTek通過增加SOI和HRS晶圓，以阻止或最大限度地減少之前射頻體硅工藝(RF bulk process)的泄漏電流，從而大幅提升性能。

尤其是130納米技術的RF SOI工藝，DB HiTek擁有世界領先的性能，如開關關鍵質量因素(FOM)為84fs，擊穿電壓(BV)為4.4V。LNA可支持高達120GHz的截止頻率(Ft)，并有望在2022年上半年支持最高150Ghz以上。

基于110納米技術的RF HRS（高電阻率襯底，>1Kohm）工藝具有出色的價格競爭力。開關FOM為164fs，BV為4.6V，LNA可支持截止頻率為100GHz 。150GHz及以上的LNA產品正在開發中，將在2022年上半年內實現對這一頻率的支持。

DB HiTek積極支持客戶，使客戶及時導入射頻前端市場，DB HiTek每季度提供一次多項目晶圓(MPW)服務，可節省客戶的研發費用。