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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>

淺談芯片市場最新現(xiàn)狀

全世界都在關(guān)注芯片市場的動態(tài)。如今半導(dǎo)體的龍頭效應(yīng)凸顯,創(chuàng)新芯片公司也值得關(guān)注。...

2021-12-30 標(biāo)簽:芯片存儲芯片半導(dǎo)體行業(yè) 2488

2021第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇成功舉辦

2021第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇成功舉辦

由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(CASAS)主辦、泰克科技(中國)有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協(xié)辦的“2021 第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”在深圳召開。...

2021-12-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 2203

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析

引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這...

2021-12-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 3557

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附...

2021-12-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓晶片晶圓制造 2104

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個世紀(jì)初,人們已經(jīng)了 解了什么樣的雜質(zhì)會給半導(dǎo)體...

2021-12-29 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體蝕刻晶片蝕刻工藝 3304

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測硅片表面金屬雜質(zhì)污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實(shí)驗(yàn)顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等主要特征峰。與其他表面敏感技術(shù)...

2021-12-28 標(biāo)簽:晶圓納米晶片 1278

南安芯谷入駐項(xiàng)目集中簽約儀式暨產(chǎn)業(yè)服務(wù)專題發(fā)布成功舉辦

南安芯谷入駐項(xiàng)目集中簽約儀式暨產(chǎn)業(yè)服務(wù)專題發(fā)布成功舉辦

12月25日,由南安市石井鎮(zhèn)黨委、政府,泉州芯谷南安分園區(qū)辦事處和聯(lián)東U谷聯(lián)合主辦的“芯動南安 成功石井”南安芯谷入駐項(xiàng)目集中簽約儀式暨產(chǎn)業(yè)服務(wù)專題發(fā)布會在南安市石井鎮(zhèn)成功舉辦。...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體智能工廠 925

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測試儀測量界面粘合。在同一樣品的不同部分...

2021-12-27 標(biāo)簽:聚合物晶片光子器件硅襯底硅基板 2147

優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時間的創(chuàng)新方法

優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時間的創(chuàng)新方法

本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽極位置優(yōu)化、多步驟TSV填充過程、添加劑...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體3D晶片TSVDRIE 3254

半導(dǎo)體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

半導(dǎo)體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟,不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物,...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子蝕刻 4084

貿(mào)澤電子田吉平:2022年晶圓產(chǎn)能會提升,芯片短缺需要更長時間緩解

貿(mào)澤電子田吉平:2022年晶圓產(chǎn)能會提升,芯片短缺需要更長時間緩解

歲末年初之際,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到超過60位國內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次,電子發(fā)燒友特別采訪了貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場及商務(wù)拓展副總裁...

2021-12-27 標(biāo)簽:晶圓AI智能汽車5G貿(mào)澤電子 7384

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中,制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù),特別是對于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文討論了表面處理參數(shù)的特點(diǎn)及其影響。硅技...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體超聲波蝕刻晶片GBDT 1553

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》化學(xué)品對硅片上金屬污染的影響

摘要 對實(shí)自不同供應(yīng)商的化學(xué)5進(jìn)行了清法后殘自在理最片上的全屬污染水平的測試。在江省過在中,評估了來自三個供應(yīng)商的鹽整機(jī)復(fù)氧化鎮(zhèn)以及來自四個供應(yīng)母的討氧化復(fù),在RCA標(biāo)準(zhǔn)濟(jì)夜市...

2021-12-27 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SPM 954

半導(dǎo)體鍺光電探測器與非晶硅基板上的非晶硅波導(dǎo)單體集成

半導(dǎo)體鍺光電探測器與非晶硅基板上的非晶硅波導(dǎo)單體集成

引言 我們展示了一個利用高質(zhì)量的絕緣體上鍺(GeO)晶片通過晶片鍵合技術(shù)制造的阿格/非晶硅混合光子集成電路平臺的概念驗(yàn)證演示。通過等離子體化學(xué)氣相沉積形成的非晶硅被認(rèn)為是傳統(tǒng)硅無...

2021-12-24 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體非晶硅晶片基板 2816

氫氟酸水溶液中離子輻照LiNbO3的蝕刻

引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶,產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層,研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度,表明可以通過將溫度從24℃提高到55℃來提高蝕...

2021-12-23 標(biāo)簽:蝕刻溶液 2113

半導(dǎo)體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

引言 近年來,隨著集成電路的微細(xì)化,半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡木淮吻逑吹姆绞健T诎雽?dǎo)體的制造中,各工序之間進(jìn)行...

2021-12-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體單晶片 1628

氮化硅陶瓷在氫氟酸水溶液中的水熱分解行為

氮化硅陶瓷在氫氟酸水溶液中的水熱分解行為

引言 精細(xì)陶瓷由于其優(yōu)越的機(jī)械性能和功能性能,在過去的二十年中得到了發(fā)展。最近,從環(huán)境和經(jīng)濟(jì)的角度來看,希望開發(fā)具有較低能量的制造工藝,因?yàn)樯a(chǎn)精細(xì)陶瓷需要相當(dāng)大的能量。...

2021-12-23 標(biāo)簽:溶液掃描電鏡氮化硅 2302

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發(fā)光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明,溶液在浸入樣品后(W1分鐘)會立即去除自然...

2021-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻溶液GAP 2711

宇陽科技MLCC項(xiàng)目榮獲2021年度省電子信息行業(yè)科技進(jìn)步獎

宇陽科技MLCC項(xiàng)目榮獲2021年度省電子信息行業(yè)科技進(jìn)步獎

宇陽科技5G通信用微波高Q片式多層陶瓷電容器的關(guān)鍵技術(shù)研究項(xiàng)目和“008004超微型片式多層陶瓷電容器的量產(chǎn)及關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目分別榮獲科技進(jìn)步二等獎、三等獎。...

2021-12-22 標(biāo)簽:電容電子信息MLCC陶瓷電容器宇陽科技 4406

中科馭數(shù)宣布完成數(shù)億元A+輪融資 第二代DPU芯片完成研發(fā)設(shè)計

中科馭數(shù)宣布完成數(shù)億元A+輪融資 第二代DPU芯片完成研發(fā)設(shè)計

中科馭數(shù)正在研發(fā)的第二代DPU芯片K2已經(jīng)完成設(shè)計和驗(yàn)證工作,預(yù)計將于2022年第一季度投產(chǎn)流片。...

2021-12-21 標(biāo)簽:DPU中科馭數(shù) 6645

RISC-V架構(gòu)國產(chǎn)芯片再迎超強(qiáng)玩家

12月17日,首屆滴水湖中國RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇在上海臨港滴水湖皇冠假日酒店舉行,來自全國各地的RISC-V“玩家”匯聚于此,共同探討推動國產(chǎn)RISC-V芯片快速產(chǎn)業(yè)化落地和應(yīng)用創(chuàng)新的可能。RISC-V自面...

2021-12-20 標(biāo)簽:芯片RISC-V 4156

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對顆粒去除非常有效,但去除機(jī)制仍不清楚。對于去,除重有機(jī)...

2021-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片硅片 2522

蘋果自研射頻芯片?OPPO自研NPU芯片!芯片的國產(chǎn)替代需要跨越三個誤區(qū)!

系統(tǒng)廠商、終端廠商自研芯片,對于傳統(tǒng)集成電路設(shè)計企業(yè)是一個巨大威脅嗎?如何看中國集成電路領(lǐng)域的國產(chǎn)替代進(jìn)程?國產(chǎn)替代當(dāng)中有哪些誤區(qū)?微納研究院CTO吳海寧、求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟榮...

2021-12-20 標(biāo)簽:蘋果OPPO射頻芯片 11694

國產(chǎn)操作系統(tǒng)再“超越”,RT-Thread推動AIoT產(chǎn)業(yè)變革

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)12月18日,RT-Thread開發(fā)者大會在深圳大中華喜來登酒店舉辦,本屆大會的主題是“Beyond”,寓意超越自我,突破邊界。在上午的主題演講環(huán)節(jié),來自RT-Thread的主要...

2021-12-20 標(biāo)簽:RT-Thread國產(chǎn)操作系統(tǒng) 9082

奈何實(shí)力不允許?印度引進(jìn)芯片制造,富士康、高塔感興趣,水電、人才成最大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)日前,印度政府批準(zhǔn)了一項(xiàng)100億美元的激勵計劃,吸引全球半導(dǎo)體和顯示器制造商到印度建立工廠。根據(jù)該計劃,印度政府將向符合資質(zhì)的顯示器和半導(dǎo)體制造...

2021-12-20 標(biāo)簽:印度芯片制造 7788

飛騰為集成電路提供人才培養(yǎng)支持,推進(jìn)人才供給結(jié)構(gòu)性改革

2021年3月,《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》發(fā)布,瞄準(zhǔn)集成電路前沿領(lǐng)域,實(shí)施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項(xiàng)目,此前,國家各部委...

2021-12-17 標(biāo)簽:芯片集成電路飛騰 6269

富士康引領(lǐng)制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的行業(yè)先驅(qū)

12月10日結(jié)束的中央經(jīng)濟(jì)工作會議上,中央提出通過大力開展核心技術(shù)攻關(guān)提升制造業(yè)核心競爭力,推動實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控;而通過推進(jìn)數(shù)字化、綠色低碳轉(zhuǎn)型,提升產(chǎn)業(yè)鏈工業(yè)鏈水平無...

2021-12-17 標(biāo)簽:富士康數(shù)字化 3915

宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者

宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者

宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對象:薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強(qiáng)先生 采訪主題:薩科微半導(dǎo)體的成長史的幾個問題 近年來,在半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”和解決歐美國家對我們“卡脖...

2021-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管功率器件碳化硅 8370

CMP后晶片表面金屬污染物的清洗方法解析

CMP后晶片表面金屬污染物的清洗方法解析

由于銅在二氧化硅和硅中的快速擴(kuò)散,以及在禁帶隙內(nèi)受體和供體能級的形成,銅需要在化學(xué)機(jī)械拋光過程后清洗。...

2021-12-15 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體電鍍CMP晶片 3737

Fe和Cu污染對硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

Fe和Cu污染對硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。用微波光電導(dǎo)衰減和...

2021-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片有機(jī)半導(dǎo)體硅襯底 3329

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