300毫米直徑硅片的快速熱處理實驗研究
在半導體熱處理應用中，批處理在工業的早期階段被采用，并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理過程中的熱行為，該熱行為是溫度、...
通過臭氧微氣泡進行半導體晶圓的光刻膠去除實驗
半導體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環境污染有很大的關系，因...
韋爾股份2021年報正式發布 半導體設計收入達200億
韋爾股份2021年報正式發布 ；數據顯示韋爾股份2021年的半導體設計收入達200億。...
浙江麗水新增半導體產業項目：旺榮半導體項目審核通過
近日，浙江麗水的旺榮半導體有限公司之前申請的建設8英寸功率器件項目已被政府審核通過。 據了解，旺榮將用其先進的電子器件生產設備來生產該項目的電子器件，該項目計劃投資23.8億人民...
單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻
硅片在大口徑化的同時，要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發，實現了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術的開...
光伏硅片的超聲化學清洗技術
近年來，太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優點。清潔硅晶片的表面是器件...
用于單晶片清洗的超臨界流體
使用超臨界流體去除污染物的過程，即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度，使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜，并完全去除其中包含的...
硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產生高頻蒸汽蝕刻劑的實現方法，描述了一種通過將氮氣通過高...
如何減少硅晶片表面上的金屬雜質
本發明涉及一種半導體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預定濃度的EDTA等絡合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質。...
濕式蝕刻過程的原理是什么
濕式蝕刻過程的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學物質可以非常精確地適應于單個薄膜。對于大多數溶液的選擇性大于100：1。液體化學必須...
一種新的半導體超鹵素深度分析方法
本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術提供...
采用三種刻蝕方法制備黑硅材料
本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應離子蝕刻法和金屬催化化學蝕刻法制備了黑硅，研究發現，在400~2200nm的波長內，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化硫蝕刻的黑硅在近紅外波段的吸收...
華虹半導體研報 收入創歷史新高較上年度增長69.6%
? HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED華虹半導體有限公司（于香港注冊成立之有限公司） （股份代號：1347） ?截至二零二一年十二月三十一日止年度全年業績公告 財務摘要 華虹半導體有限公司（“本公...
俄最大芯片制造商米克朗被美制裁
? ?俄本土遭烏轟炸？或傳遞3個信號？還在一邊和談一邊互攻的俄烏沖突似乎不會一下就停止，更何況外面還有很多歐美國家在煽風點火，比如在4月1日據外媒報道，美國財政部宣布對俄羅斯最...
臺積電3nm制程國內公司相繼參與其供應鏈
在長久的積累過后，臺積電終于將在2022下半年開始3nm制程的量產工程，隨著消息的放出，該工程的一部分耗材供應商也隨之被公布了出來，其中國內的中國砂輪企業股份有限公司以及光洋應用...
中芯國際2021年報顯示營收增長39.3% 毛利率達30.8% 財務指標穩健增長
中芯國際集成電路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二一年十二月三十一日止年度經審核業績。 （以下數據根據國際財務報告準則編制） 財務摘要 收入由2020年的3,907.0百萬美元增長...
長電科技2021年度保持穩健發展勢頭
2021第四季度及全年財務亮點： 四季度實現收入為人民幣85.9億元，全年實現收入為人民幣305.0億元，創歷年同期新高。四季度和全年收入同比分別增長11.5%和15.3%。 四季度經營活動產生現金人民...
納米壓印光刻技術的詳細介紹
在過去的幾年中，納米壓印光刻引起了越來越多的興趣。事實上，似乎有越來越多的潛在納米壓印應用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對于特定的最終用途應用各有優缺點...
過氧化氫在SC1清潔中的應用
RCA標準清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個順序步驟：標準清潔1（SC-1）和標準清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過氧化氫和水的混合物組成，是迄今為止發現的最有效的...
新一代半導體材料氧化鎵應用研究
在所有其他參數相同的情況下，對于電子應用，寬帶隙(WBG)半導體優于窄帶半導體(如硅)，因為導帶和價帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作。例如，與行業巨頭硅1.1eV的相...
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的...
羅德與施瓦茨將出席倫敦展會 世健獲易德龍“21年優秀供應商”稱號
在對合適的 DC-DC 產品進行了長時間的搜索后，Dynamis 最終選擇了 Vicor 的 DCM4623 模塊，因為它滿足了他們的所有系統要求。Vicor DC-DC 轉換器模塊可以在陣列模式下運行，當電池在比賽期間放電時...
半導體工藝之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析
引言 本文簡要綜述了所提出的清洗機制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介紹了PVA電刷和接觸面之間...
多晶硅表面紋理化的典型方法
濕化學蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性...
KOH硅濕法蝕刻工藝設計研究
在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設計，作為...
n型多孔硅刻蝕時間的效應分析
引言 硅在歷史上一直是電子產品的主要材料，而光電子領域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統二分法的主要原因是硅的間接帶隙結構使其發光不切實際。然...
半導體硅基板的蝕刻方法簡介
本文是為了在Si基板蝕刻制造金剛石時提高制造收率，為此，將半導體Si基板接入陽極，將Pt電極接入陰極后，在pt電極用跳汰機內放入氮氣泡泡器，旋轉對向的正電極上外部認可電壓，泡泡器內...
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