隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)新的單晶薄膜，為提升器件性能發(fā)揮了關(guān)鍵作用。本文將對(duì)外延技術(shù)的定義、分類、原理、常用技術(shù)及其應(yīng)用進(jìn)行探討。
2025-06-16 11:44:03
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外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4717659 選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一，已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次引入了SEG技術(shù)，用于pMOS源/漏(S/D
2025-05-03 12:51:003634 
光電子應(yīng)用正在推動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代！在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
導(dǎo)電橡膠板是將玻璃鍍銀、鋁鍍銀、銀等導(dǎo)電顆粒均勻分布在硅橡膠中，通過壓力使導(dǎo)電顆粒接觸，達(dá)到良好的導(dǎo)電性能。在軍事和商業(yè)上都有應(yīng)用。
2019-10-28 09:12:05
導(dǎo)電膠條是將玻璃纖維鍍銀、鋁鍍銀、銅鍍銀、銀、石墨鍍鎳、鎳鍍銀、低密度銀、高密度銀、純鎳、碳黑等等微細(xì)導(dǎo)電顆粒，均勻分布在硅橡膠中，通過壓力使導(dǎo)電顆粒接觸而達(dá)到良好導(dǎo)電性能的方法制成。
2019-10-25 09:11:07
具有導(dǎo)電功能的薄膜。導(dǎo)電薄膜的荷電載流子在輸運(yùn)過程中受到表面和界面的散射，當(dāng)薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時(shí)，在表面和界面的影響將變得顯著，這個(gè)現(xiàn)象稱為薄膜的尺寸效應(yīng)。
2019-11-06 09:11:49
正確地進(jìn)行顯示觀察孔的屏蔽設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的。 二、透光屏蔽材料大致分為以下三類： （1）薄膜類： 金屬鍍膜玻璃：金屬鍍膜玻璃是采用真空濺射等工藝在普通或鋼化玻璃表面形成致密導(dǎo)電膜而制成的，具有透光率
2014-09-12 17:32:17
低電阻，低溫條件下固化的導(dǎo)電性涂料印刷而成。因此，整個(gè)薄膜開關(guān)的組成，具有一定的柔軟性，不僅適合于平面體上使用，還能與曲面體配合。柔性薄膜開關(guān)引出線與開關(guān)體的本身是一體的，在制作群體開關(guān)的聯(lián)機(jī)時(shí)，將其
2015-01-07 13:46:11
/index.html 摘要：在 GaAs 傳感梁表面的適當(dāng)位置通過空氣橋技術(shù)形成薄膜，它們本身固定在端部的剛性框架上，如圖 1 所示。當(dāng)外部加速度施加到加速度計(jì)時(shí)，地震塊將發(fā)生位移由于慣性力。地震質(zhì)量的這種運(yùn)動(dòng)
2021-07-07 10:22:15
(HVPE)、 氨熱生長(zhǎng)、和液相外延 (LPE)。 塊狀晶體生長(zhǎng)后，晶體經(jīng)歷晶圓加工，包括切割、研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)。機(jī)械加工產(chǎn)生的表面具有密集的劃痕和損壞網(wǎng)絡(luò)。然而，要通過同質(zhì)外延在
2021-07-07 10:26:01
，非常需要尋找可能更適合器件制造的其他蝕刻劑。2. 蝕刻率研究在我們的研究中，我們使用通過低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在半絕緣、Cr 摻雜、取向的 GaAs 襯底上生長(zhǎng)的 InGaP 層。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
℃下退火1 h并隨爐冷卻至室溫，之后酸洗去除基板表面的銅氧化層．其中熒光玻璃可通過控制薄膜厚度來調(diào)節(jié)發(fā)光性能．然后，將p型和n型熱電粒子按照次序擺入放置在熱端上的模具中，并對(duì)準(zhǔn)陶瓷基板上涂覆有
2023-02-22 15:56:12
導(dǎo)電銀漿AS6080P，可以極大的提高生產(chǎn)效率。7）豪華車星空頂制作。以星空全景玻璃為例，在全景玻璃天窗上印刷很多小圖形，推薦善仁新材的低溫導(dǎo)電銀漿AS6087；小圖形要和透明覆蓋層上的線路粘結(jié)導(dǎo)通，推薦善仁新材的低溫固化導(dǎo)電銀膠AS6080H。
2022-04-15 15:38:13
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
的，所以在植物生長(zhǎng)時(shí)不需要噴灑農(nóng)藥就可以避免植物受到害蟲的侵害。這種玻璃和無土栽培技術(shù)相結(jié)合，我們可以讓長(zhǎng)期遠(yuǎn)離陸地的飛行人員吃上新鮮的綠色蔬菜，這種技術(shù)更可以應(yīng)用在艦艇上和沙漠中。我國(guó)LED轉(zhuǎn)光生態(tài)玻璃已經(jīng)獲得了國(guó)家9項(xiàng)專利認(rèn)證。這種技術(shù)只有少數(shù)國(guó)家才有，我國(guó)便是其中一個(gè)。黑龍江建材網(wǎng)
2013-06-06 14:22:54
的外延生長(zhǎng)生產(chǎn)，條形(電極)以微米級(jí)可控的光刻法制作。【激光二極管的芯片結(jié)構(gòu)】法布里-珀羅型LD:一種最簡(jiǎn)單的激光二極管的結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng):薄膜結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)的一種，在原有晶片上進(jìn)行生長(zhǎng)，使之以電路板結(jié)晶面一致的結(jié)晶排列生長(zhǎng)。光刻法:一種將涂敷了感光性物質(zhì)的表面曝光，利用曝光部分和未曝光部分生成圖案的技術(shù)。
2019-07-04 04:20:44
外延生長(zhǎng)法(LPE)外延生長(zhǎng)法(epitaxial growth)能生長(zhǎng)出和單晶襯底的原子排列同樣的單晶薄膜。在雙極型集成電路中，為了將襯底和器件區(qū)域隔離(電絕緣)，在P型襯底上外延生長(zhǎng)N型單晶硅層
2019-08-16 11:09:49
由于透明導(dǎo)電薄膜具有優(yōu)異的光電性能，因而被廣泛地應(yīng)用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
透明導(dǎo)電膜玻璃是指在平板玻璃表面通過物理或化學(xué)鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜而形成的組件。對(duì)于薄膜太陽能電池來說，由于中間半導(dǎo)體層幾乎沒有橫向導(dǎo)電性能，因此必須使用透明導(dǎo)電膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑，采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:18
20 用激光同時(shí)測(cè)量玻璃管外徑和壁厚的方法:提出了一種用激光同時(shí)測(cè)量玻璃管外徑和壁厚的方法. 當(dāng)位于含玻璃管軸線垂直剖面內(nèi)的一束激光與玻璃管軸線成一定角度入射到玻璃管時(shí),
2009-06-02 17:49:0439 臥式熱壁型PECVD 設(shè)備北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司微電子設(shè)備分公司1、簡(jiǎn)介我公司研制的臥式PECVD 設(shè)備專門應(yīng)用于太陽能電池制造領(lǐng)域中氮化硅薄膜的淀積工藝。由于
2009-12-18 16:27:5423 采用真空熱蒸發(fā)法在石英玻璃基片上制備了具有特殊微柱狀結(jié)構(gòu)的碘化銫閃爍薄膜。運(yùn)用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀和熒光光譜儀分別對(duì)碘化銫薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)及發(fā)光性能等進(jìn)
2010-03-05 15:53:1228 玻璃瓶壁厚測(cè)量?jī)x 玻璃瓶在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。從食品包裝到化學(xué)試劑，再到醫(yī)療用品，玻璃瓶在其中都扮演著重要角色。為了確保玻璃瓶的品質(zhì)和安全性，對(duì)其壁厚的精確測(cè)量顯得
2023-09-19 14:28:48
玻璃瓶壁厚測(cè)試儀 瓶罐容器大家庭涵蓋了玻璃瓶、安瓿瓶、西林瓶、輸液瓶、啤酒瓶、塑料瓶、瓶胚等成員。談到玻璃瓶，我們不得不重點(diǎn)談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">在輕量化過程中，壁厚指標(biāo)這一重要的物理性檢測(cè)項(xiàng)目。生產(chǎn)線
2023-09-19 15:02:04
鈉鈣玻璃熱沖擊強(qiáng)度測(cè)試儀 玻璃瓶熱沖擊試驗(yàn)儀是一種專門用于測(cè)試玻璃瓶在瞬間高溫和低溫環(huán)境下的熱沖擊性能的設(shè)備。它能夠模擬實(shí)際使用中可能出現(xiàn)的各種熱沖擊情況，例如冷熱溫度的交替、室外和室內(nèi)
2023-09-27 15:51:22
抗生素玻璃瓶壁厚測(cè)量?jī)x 在醫(yī)藥行業(yè)中，玻璃瓶作為常用的包裝容器，其質(zhì)量與安全性倍受關(guān)注。而藥用玻璃瓶測(cè)厚儀，則是確保瓶壁厚度均勻性、一致性的關(guān)鍵檢測(cè)工具。 壁厚測(cè)厚儀的基本原理
2023-09-28 13:25:56
在材料科學(xué)和工業(yè)生產(chǎn)中，薄膜的熱縮性能是非常重要的指標(biāo)之一。薄膜在受熱或受冷時(shí)，會(huì)發(fā)生尺寸的變化，這種現(xiàn)象稱為熱收縮。熱縮現(xiàn)象可能會(huì)影響薄膜的性能，如機(jī)械強(qiáng)度、阻隔性能和密封性能等。因此，準(zhǔn)確評(píng)估
2023-10-24 16:44:30
化妝品玻璃瓶瓶壁厚底厚測(cè)試儀適用于食品、藥品、化妝品等行業(yè)玻璃瓶、塑料瓶的瓶底及瓶壁的厚度測(cè)量。可滿足輸液瓶、啤酒瓶、口服液瓶、安瓿瓶、西林瓶、PET塑料瓶等產(chǎn)品壁厚底厚的測(cè)量。化妝品玻璃瓶瓶壁
2024-04-17 10:53:28
ITO導(dǎo)電玻璃基礎(chǔ)知識(shí)
ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫
2008-10-25 16:00:114499 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:4110170
在玻璃上鉆孔的技巧
2009-09-10 14:37:592665 
高電導(dǎo)透明單壁碳納米管薄膜成功應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管
透明導(dǎo)電的氧化銦錫（ITO）薄膜目前已廣泛應(yīng)用于平板顯示、太陽能電池
2009-12-11 21:17:53857 
LED發(fā)光效率提高方法需注意以下幾類技術(shù)：
一、透明襯底技術(shù) InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長(zhǎng)InGaAlP發(fā)
2010-07-23 09:49:482780 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 天威薄膜公司自主研制的聚合物背板太陽能電池組件（單片1.1×1.3米）的輕量化技術(shù)可保證硅薄膜組件在滿足IEC標(biāo)準(zhǔn)要求的前提下，將重量降至9.79kg/m2，成為目前世界上重量最輕的玻璃基
2012-05-02 13:40:011041 用于玻璃幕墻清洗的爬壁機(jī)器人的研制_張子博
2017-01-14 22:32:465 玻璃_PDMS薄膜_玻璃夾心微流控芯片制作_王麗
2017-03-19 18:58:378 來自美國(guó)普渡大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了一種全新的可導(dǎo)電玻璃狀透明聚合物薄膜材料，該材料易于大規(guī)模制造，成本低于氧化銦錫薄膜導(dǎo)電材料，導(dǎo)電性優(yōu)于普通聚合物。
2018-06-15 11:44:006501 導(dǎo)電膜是具有導(dǎo)電功能的薄膜。 導(dǎo)電薄膜的荷電載流子在輸運(yùn)過程中受到表面和界面的散射，當(dāng)薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時(shí)，在表面和界面的影響將變得顯著，這個(gè)現(xiàn)象稱為薄膜的尺寸效應(yīng)。它等效于載流子的自由程減小，因此與同樣材料的塊體相比，薄膜的電導(dǎo)率較小。
2019-06-04 15:24:5917869 圖片中的玻璃杯是從先前的實(shí)驗(yàn)中搶救出來的，因此出現(xiàn)了灰色斑點(diǎn)。無論如何，您都可以在ebay上以合理的價(jià)格購(gòu)買新的和有光澤的ITO玻璃，或者從舊的手機(jī)觸摸屏上獲得它。
2019-10-09 09:45:474601 南京大學(xué)呂笑梅教授課題組和美國(guó)羅格斯大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、美國(guó)華盛頓大學(xué)等多個(gè)單位合作，利用基于原子力顯微鏡的三維電疇表征方法，對(duì)外延BiFeO3薄膜中不同類型疇壁的動(dòng)力學(xué)特征進(jìn)行了觀測(cè)和統(tǒng)計(jì)學(xué)分析。
2020-05-07 16:32:562878 在SEM/TEM 分析測(cè)試方面，F(xiàn)T2000 單壁碳納米管為束狀結(jié)構(gòu)，平均管徑在2.8nm，管壁層數(shù)1~2層。起始碳管長(zhǎng)度可達(dá) 200um，分散后碳管長(zhǎng)度可維持在7.6um 左右，提供更高長(zhǎng)徑比與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。
2020-12-24 11:01:362792 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:291175 中壁熱縮套管，簡(jiǎn)言之就是中等偏上壁厚的熱縮套管，相較一般熱縮套管、一般雙壁熱縮套管的薄厚更厚一些，而壁厚是熱縮套管的一個(gè)重要基本參數(shù)，很多的性能是由其壁厚管理決策的。中壁熱縮套管的種類也是很多：有
2021-02-25 10:32:531381 溝道層，在GOI或絕緣體上硅鍺(SGOI)襯底上外延生長(zhǎng)鍺是一種很有前途的技術(shù)。GOI和SGOI襯底的表面清潔是獲得所需溝道層的最重要問題之一。
2021-12-10 17:25:061339 薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍(lán)寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線，最后進(jìn)行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類，為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD
2021-12-22 16:41:069492 引言 對(duì)于在涂有氧化錫的玻璃基板上制造的薄膜光伏組件中，有時(shí)會(huì)觀察到電化學(xué)腐蝕效應(yīng)。電化學(xué)腐蝕效應(yīng)可能發(fā)生在薄膜光伏(PV)模塊中，這些組件在氧化錫鍍覆玻璃上制造，在高壓和高溫下工作。目前的研究表明
2022-01-17 13:27:471245 
高效薄膜太陽能電池需要具有高吸收、低缺陷、透明導(dǎo)電的吸收層 氧化物(TCO)薄膜，透過率超過80%，導(dǎo)電率高。 此外，光可以通過玻璃捕獲并送至光吸收層以提高效率。 本文研究了玻璃表面形貌的形式利用
2022-03-08 11:52:411826 
我們已經(jīng)使用“種子層概念”在薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度。基于非晶硅
2022-04-13 15:24:372644 
方法，觀察了多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的發(fā)展，結(jié)果表明這種觀察方法沒有改變蝕刻行為，停止和重新開始蝕刻也沒有改變侵蝕點(diǎn)，表明HCl侵蝕點(diǎn)是隨著它們的生長(zhǎng)而形成在膜中的。此外我們?nèi)A林科納研究了先前在KOH
2022-05-09 13:28:32986 
摘要 在先進(jìn)的p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，SiGe溝道可用于提高空穴遷移率和定制閾值電壓偏移。在這種器件的源極/漏極區(qū)中SiGe:B的低溫選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27:242509 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng)，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
2022-09-30 15:00:3810576 二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級(jí)計(jì)算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對(duì)稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術(shù)
2022-10-19 20:20:572465 
固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5215305 碳納米管具有優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，碳納米管導(dǎo)電薄膜具有通電加熱快速升溫、斷電快速將的特點(diǎn)。紅外和遠(yuǎn)紅外輻射，發(fā)熱效率高，傳熱快，重復(fù)穩(wěn)定性好，性能穩(wěn)定，是非常好的加熱導(dǎo)熱材料之一。
2022-11-21 10:01:143034 作者通過退火和濃鹽酸處理去除制備出的MWCNT薄膜的不導(dǎo)電的無定形碳和金屬氧化物，從而有效的提升了薄膜的導(dǎo)電性。然后為了MXCNT擁有更致密的結(jié)構(gòu)和更高的結(jié)晶度，作者采用CSA進(jìn)行了進(jìn)一步處理。
2023-01-31 09:43:481530 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007537 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:254278 迄今為止， 石墨烯的制備方法主要有機(jī)械剝離法、液相剝離法、碳化硅外延法、化學(xué)氣相沉積法 （Chemical vapor deposition，CVD）等。其中， CVD法制備的石墨烯薄膜，尤其是在銅等金屬襯底上生長(zhǎng)的石墨烯薄膜，具有質(zhì)量高和可控性好的優(yōu)點(diǎn)，越發(fā)受到科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注。
2023-02-22 11:28:293582 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的外延生長(zhǎng)GaN基材料。GaN材料的生長(zhǎng)是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，生長(zhǎng)GaN需要一定的生長(zhǎng)溫度，且需要一定的NH3分壓。
2023-06-10 09:43:442359 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長(zhǎng)出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:321206 SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:522521 
薄膜開關(guān)的導(dǎo)電漿料由導(dǎo)電載體、膠粘劑、溶劑、助劑四部分組成
2023-03-29 17:12:131778 
? 導(dǎo)電薄膜指的是具有導(dǎo)電性質(zhì)的薄膜材料，它可以使得電信號(hào)在平面上傳遞，同時(shí)還具有透光性和柔韌性。導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于觸摸屏、電池、顯示器等電子產(chǎn)品中，是現(xiàn)代科技發(fā)展的重要組成部分。 01 導(dǎo)電薄膜
2023-06-30 15:38:362968 液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長(zhǎng)領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測(cè)器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:202941 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:343035 
原位拉曼系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)全過程前言原位拉曼系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)過程，并且通過監(jiān)控不同的生長(zhǎng)因素
2023-08-14 10:02:341630 
薄膜和多層中的應(yīng)力會(huì)降低性能，甚至導(dǎo)致技術(shù)應(yīng)用中的故障，通過諸如破裂、彎曲或分層的機(jī)制。然而，在某些情況下，應(yīng)力是理想的，因?yàn)樗梢杂脕硖岣咄繉拥奶囟ㄐ阅埽?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)電性，熱穩(wěn)定性，機(jī)械強(qiáng)度或磁性。由于這個(gè)原因，評(píng)估和控制薄膜和涂層的應(yīng)力狀態(tài)具有技術(shù)重要性。
2023-09-28 10:04:131049 
?外延片指的是在村底上生長(zhǎng)出的半導(dǎo)體薄膜,薄膜主要由P型、量子阱、N型三個(gè)部分構(gòu)成。
2023-10-20 17:43:520 HVPE主要是利用生長(zhǎng)過程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長(zhǎng)溫度高、源爐通氣量大、生長(zhǎng)速率大的特點(diǎn)，一般用來制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:088586 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:401429 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:166531 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:535133 
Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111) 濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機(jī)氣相外延（MOVPE）更低的生長(zhǎng)溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)
2024-01-12 17:27:131093 
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:592126 
異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù)，它指的是在一個(gè)特定的襯底材料上生長(zhǎng)出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過程，即：在一種材料的基片上生長(zhǎng)出另一種材料。
2024-04-17 09:39:421714 
本文簡(jiǎn)單介紹了幾種半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)方式。
2024-10-18 14:21:362784 
SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)。
2024-11-14 14:46:302351 
復(fù)合材料，因其獨(dú)特的物理和電學(xué)特性，在半導(dǎo)體芯片制造中得到了廣泛應(yīng)用。 ? ? ? ? SiGe外延工藝的重要性 1.1 外延工藝簡(jiǎn)介?? ?????????? 外延(Epitaxy, 簡(jiǎn)稱Epi)是指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與襯底具有相同晶格排列的單晶材料。外延層可以是
2024-12-20 14:17:496643 
紅外熱成像技術(shù)在玻璃熔融、熱彎成型等生產(chǎn)過程中的應(yīng)用
2024-12-30 11:44:561321 
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2024-12-31 15:04:18398 
碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)是實(shí)現(xiàn)高性能SiC器件制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而
2025-01-03 15:11:42382 器件制造的關(guān)鍵。鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長(zhǎng)裝置作為一種先進(jìn)的生長(zhǎng)設(shè)備，以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和高效的生長(zhǎng)性能，成為制備高質(zhì)量SiC外延片的重要工具。本文將詳細(xì)介紹鐘罩式
2025-01-07 15:19:59423 一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，外延生長(zhǎng)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。化學(xué)氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長(zhǎng)方法，被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長(zhǎng)過程中，石墨托盤作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10364 SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長(zhǎng)過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長(zhǎng)速率和品質(zhì)的同時(shí)，有效避免這些問題的產(chǎn)生，可以從以下幾個(gè)方面入手。?
2025-02-06 10:10:581350 引言
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長(zhǎng)過程中，襯底應(yīng)力問題一直是
2025-02-08 09:45:00268 薄膜外延生長(zhǎng)是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
2025-03-19 11:12:232319 
本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39869 在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅基光電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵，而在硅si襯底上外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺(tái)階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 
半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061537 
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645 
松下透明導(dǎo)電薄膜：先進(jìn)的透明電磁屏蔽解決方案 在電子設(shè)備日益普及的今天，電磁干擾（EMI）問題愈發(fā)突出，如何在保證設(shè)備透明度的同時(shí)有效屏蔽電磁干擾，成為了電子工程師們面臨的重要挑戰(zhàn)。松下推出的透明
2025-12-21 17:00:061092 隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學(xué)常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非
2025-12-26 18:02:201017
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