Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111)

濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導體，并允許在比金屬-有機氣相外延（MOVPE）更低的生長溫度下在大襯底區域上沉積。介紹了用反應磁控濺射法在Si（111）襯底上外延生長的高質量AlN、AlGaN和GaN，并給出了工藝參數的詳細信息。在高純度環境中使用基于氨的反應濺射工藝，可以在扭曲和傾斜方面以與最佳MOVPE生長樣品相當的高結晶質量生長AlN，并且具有非常低的表面粗糙度，沒有濺射AlN和凹坑的典型柱狀結構。

下一代顯示器的Micro-LED集成技術

基于III-V族化合物半導體的無機微發光二極管（micro-LED）已被廣泛研究用于自發射顯示器。從芯片到應用，集成技術在微型LED顯示器中發揮著不可或缺的作用。例如，大規模顯示器依賴于分立器件管芯的集成來實現擴展的微型LED陣列，而全色顯示器需要在同一基板上集成紅色、綠色和藍色的微型LED單元。此外，與晶體管或互補金屬氧化物半導體電路的集成對于控制和驅動微型LED顯示系統是必要的。在這篇綜述文章中，我們總結了微型LED顯示器的三種主要集成技術，即轉移集成、鍵合集成和生長集成。概述了這三種集成技術的特點，并討論了集成微型LED顯示系統的各種策略和挑戰。

化學刻蝕法制備金屬超疏水表面及其應用研究進展

本文從以下幾個方面綜述了MSHPS的作用機制和研究現狀。首先，提出了潤濕理論模型，然后討論了化學蝕刻法制備MSHPS的進展。其次，介紹了MSHPS在自清潔、防冰、耐腐蝕、減阻、油水分離等方面的應用。最后，總結了MSHPS在當前應用中遇到的挑戰，并討論了未來的研究方向。

關鍵詞：金屬、超疏水表面、化學蝕刻、低粘附性、自清洗、Micro-LED、下一代顯示器、集成技術、硅、氮化鎵

審核編輯 黃宇