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第二代CoolSiC 34mΩ 1200V
SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代 CoolSiC G2 1200V MOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。
第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。
產(chǎn)品型號:
■IMBG120R034M2H
產(chǎn)品特點(diǎn)
開關(guān)損耗極低
過載運(yùn)行溫度最高可達(dá)Tvj=200°C
短路耐受時(shí)間2μs
基準(zhǔn)柵極閾值電壓,VGS(th)=4.2V
抗寄生開通能力強(qiáng),可用0V柵極關(guān)斷電壓
用于硬換流的堅(jiān)固體二極管
.XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能
應(yīng)用價(jià)值
更高的能源效率
優(yōu)化散熱
更高的功率密度
新的穩(wěn)健性性能
高可靠性
競爭優(yōu)勢
最低RDS(on),最高輸出能力
市場上最精細(xì)的產(chǎn)品系列
過載運(yùn)行溫度最高可達(dá)Tvj=200°C
強(qiáng)大的短路額定值
雪崩穩(wěn)健性
應(yīng)用領(lǐng)域
電動汽車充電
組串逆變器
光伏優(yōu)化器
在線式UPS/工業(yè)UPS
通用變頻器(GPD)
-
MOSFET
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SiC
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