【2022年5月30日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY）近日發布了采用EconoDUAL? 3標準工業封裝的全新1700 V
2022-05-30 15:10:15
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級IGBT?，包括AIKQ120N75CP2?和?AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，并
2022-06-10 16:53:133563 
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應用而設計。這些IGBT具有優化的集電極-發射極飽和電壓（VCE(sat)）、強大的短路能力和更大
2025-04-09 10:15:141820 
Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQSCALE-iDriver門極驅動器。繼推出1200V SID1182KQ驅動器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:003701 英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化，進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器件的產品陣容。
2022-03-21 14:14:042272 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導。
2018-04-17 15:27:54
8-20kHz之間，請使用英飛凌后綴為DN2、RT4、KT4的IGBT模塊.高壓1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17ME4
2022-05-10 10:06:52
全球半導體領先供應商英飛凌聯合第三方，推出了性能優越的的750W伺服套件。該套件包括主控板和功率板兩部分。主控板采用英飛凌32位微處理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）為主
2018-12-11 10:47:32
我在做軟開關，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負載時驅動波形會有振蕩現象，有個別大神說可能是IGBT問題，有用過這個信號的大神嗎？這個管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
英飛凌IGBT參數中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
[tr][td]英飛凌IGBT應用常見問題解答1.IGBT模塊適用于哪些產品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個問題，，已經有此資料
2018-12-13 17:16:13
FZ400R17KE3 英飛凌 FZ400R12KS4英飛凌 FZ600R17KE3英飛凌 FZ600R12KS4 英飛凌 FF450R12KT4英飛凌 BSM100GB120DN2K 英飛凌
2012-09-13 20:53:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族2
2012-08-17 13:29:28
TT162N14KOF FP15R12YT3BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM50GX120DN2 FS200R12PT4 T589N16TOF
2021-12-02 17:55:00
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
供應英飛凌的模塊，IGBT，***
2017-06-06 18:09:32
充電電路用于輸出電壓經整流后在10ms左右給20uF的儲能大電容充電到750V。充電電路設計為典型UC2843構成的反激充電，pwm波為50kHZ左右，占空比0.45左右，輸入電壓為DC12V，對于
2017-09-29 17:35:51
發揮重要作用。”電動交通技術的量產在很大程度上取決于是否能推出經濟、可靠的功率電子器件。從IGBT 芯片、分立驅動芯片到功率模塊，英飛凌的產品組合旨在幫助開發適用于混合動力汽車和電動汽車的優化系統解決方案。為
2018-12-06 09:57:11
回收英飛凌IGBT模塊回收三菱IGBT模塊回收富士IGBT模塊回收西門康IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ2360670759回收歐派克IGBT模塊回收IR IGBT模塊回收東芝
2021-03-01 15:10:19
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
由分立元件構成的IGBT驅動電路
2019-11-07 01:22:18
R12KT4 FF200R12KT3 FF450R12KT4 英飛凌IGBT模塊,芯瑞回收英飛凌IGBT模塊 BSM100GB120DN2B BSM150GB120DN2B,回收不限地區,不限數量,不限型號,歡迎
2022-01-01 19:06:43
大量回收各種型號英飛凌IGBT模塊富士模塊本公司高價回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT等,本公司資金雄厚、現金交易、電話151-5220-9946QQ2360670759高價回收
2021-01-09 18:20:52
山東省長期上門收購英飛凌IGBT模塊富士IGBT模塊日 匯灃科技工控自動化公司提供全國高價回收IGBT模塊長期大量回收二手IGBT模塊,包括三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2022-02-14 17:34:35
寧波天津市有收購三菱IGBT模塊報價英飛凌模塊回收蘇州有收購三菱IGBT模塊 蘇州英飛凌模塊回收上海IGBT模塊回收模塊回收上海模塊回收長期收購各類庫存電焊機模塊回收IGBT電源模塊回收高頻電源
2022-01-04 20:52:15
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2021-09-16 14:19:49
，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應用做出的改進 1.簡介混合動力車中IGBT，相對于傳統工業應用，工作環境惡劣，對IGBT長期使用的可靠性提出了更高的要求，針對汽車功率
2018-12-06 09:48:38
模塊長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ? 無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
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2021-09-25 18:53:15
千瓦。該模塊使用了最新一代 IGBT 芯片 EDT2，此芯片采用汽車級微溝槽柵場終止型技術。該芯片組具有業內標桿的電流密度、同時具備短路能力，并提高了電壓等級，以保障逆變器在惡劣環境下可靠地運行。此外
2021-03-27 19:25:05
分立元件構成的IGBT驅動電路
2019-09-24 09:13:35
EconoDUAL3 ?無錫求購英飛凌IGBT模塊FF600R12IS4F 600A,1200V,PrimePack2 PrimePack2 ?徐州收購回收英飛凌IGBT模塊FF1400R12IP4
2021-09-17 19:23:57
歐元（600 V、20 A）到5.10歐元（1,200 V、40 A）。針對應用而優化的IGBT提高能源效率和改進系統成本，仍然是光伏逆變器、不間斷電源（UPS）和焊接系統等傳統IGBT應用，以及
2018-12-03 13:47:00
英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 09:50:06
英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n
2023-02-07 09:58:53
FF200R17KE4英飛凌IGBT模塊FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 10:42:08
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產品，提供業界最佳
2024-02-26 19:40:31
IKQ100N120CH7是英飛凌1200V 100A 帶反并聯二極管的IGBT單管；主要應用方向：太陽能，逆變器、電池充電等場景；狀態：批量供貨中特征描述英飛凌知名的TRENCHSTOP?技術帶來
2024-12-22 23:01:46
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出性能領先業界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271386 英飛凌發布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011539 英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導（RC） 軟開關IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領先的RC-H系列的擴展，重點關注感應加熱應用的系統效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:251110 2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049179 英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片，可提高牽引和工業傳動等高性能設備的可靠性
2015-06-24 18:33:292863 
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業電機驅動應用進行芯片優化，實現更高功率密度與更優的開關特性。
2018-06-21 10:10:4413292 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅動器。繼推出1200V SID1182KQ驅動器IC之后，新器件擴展了公司的汽車級驅動器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:003482 LT1812：3 mA、100 MHz、750V/μs運算放大器，帶關斷數據表
2021-05-21 08:14:41
1 RH1814M：四路3 mA、100 MHz、750V/μs運算放大器產品手冊
2021-05-24 19:56:322 近日，東芝新推出了一款額定值為1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，擴充了其IGBT產品陣容。新產品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器，例如IH電磁爐、IH
2021-08-16 16:33:164212 
英飛凌推出了一款車規級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。
2021-10-12 09:34:452728 英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-19 12:36:0434 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:162199 
APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出內部集成750V PowiGaN?氮化鎵開關
2022-03-22 12:44:091730 450/750V及以下橡皮絕緣電纜，實驗方法和標準
2022-07-31 09:15:122 UnitedSiC（現為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:082356 (ASEMI)英飛凌AIGW40N65H5汽車級IGBT規格書免費下載。
2022-10-17 16:35:186 被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設計靈活性上也絲毫不妥協 我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于
2023-02-16 16:30:582132 英飛凌AIGW40N65H5汽車級IGBT參數：
型號：AIGW40N65H5
脈沖集電極電流（ICpuls）：120A
功耗（Ptot）：250W
工作結溫度（Tvj）：-40 ~ 175
2023-02-24 09:37:510 來源：Qorvo 近日，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:201191 布的 750V SiC FETs 產品系列中的首發產品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于受空間限制的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達 100A 的固態
2023-04-11 15:55:091329 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:11:101475 
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:07:021868 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:03:092116 新品120-200A750VEDT2工業級分立IGBT120-200A750VEDT2工業級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產品型號
2023-05-18 09:41:312383 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:131043 
、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
2023-08-25 16:58:534679 
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增數據表相關產品參數、數據手冊，更有RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增
2023-10-08 16:00:48
國內各家（英飛凌、安森美）車載IGBT的產品性能上的對比情況車載IGBT分為幾個層級，主要分為A0/A00級以下，A級車，還有一些專用車例如物流和大巴車。在2015年以前是沒有IGBT車規級的說法
2023-11-23 16:48:002382 
深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上，至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:171702 英飛凌近期發布了搭載第五代人機界面（HMI）技術的新型汽車可編程SoC，以及汽車和工業級750V G1離散SiC MOSFET，這兩項新產品的發布進一步鞏固了英飛凌在半導體領域的領先地位。
2024-03-08 10:52:191341 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
電子發燒友網站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:23:450 電子發燒友網站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 16:59:080 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:11:310 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:14:080 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:16:100 電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:02:380 電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:05:173 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26788 
貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7，額定電壓達750V，額定電流275A，適用于生產550A-950A的車規級IGBT模塊。
2024-04-29 16:56:111186 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-05-31 15:29:19580 
的基于英飛凌IGBT7技術的新一代高功率密度2MW儲能變流器PCS，使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750
2024-06-14 08:14:242480 
DC1500V轉750V DC/DC直流變換器（DCDC轉換器或DCDC隔離模塊電源）是一種電力電子設備，用于將1500V的直流電壓轉換為750V的直流電壓。以下是對該設備的詳細解析： 一、設備概述
2024-11-19 17:02:591749 
。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優勢，并具有柵極驅動靈活性，從而簡化了系統設計，提高了成本效益，實現了最高的效率和功率
2024-12-20 17:04:511010 ，以新一代750V車規級芯片為核心，再次刷新了車用IGBT模塊的性能標準。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒微半導體在IGBT技術領域的深厚積累，更在性能上實現了顯著的提升。其采用的750V新技術車規級芯片，不僅大幅提高了模塊的電壓承受能力，更在
2024-12-26 13:56:071002 JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術。
2025-01-16 14:16:081127 新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統性
2025-01-17 17:03:271225 英飛凌車規級IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A，這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產品家族中的最新成員，它基于EDT2技術，封裝形式為EasyPACK? 2B半橋
2025-02-20 17:52:392921 
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321136 。英飛凌發布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統，相
2025-05-06 14:08:48716 
陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管，產品型號為AU40N120T3A5。產品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺，PitchSize 1.6um，TO247封裝。
2025-05-27 12:04:171070 
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的柵極氧化層技術，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。
2025-06-20 14:44:26971 新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業級與車規級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該器件在圖騰柱
2025-07-28 17:06:08842 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術：從原理到應用 在電子工程領域，功率MOSFET技術的不斷創新推動著各類電力電子設備向更高效率、更高功率密度和更高系統可靠性邁進。英飛凌作為行業的領軍者
2025-12-20 10:35:06518
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