中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)——UJ4N075004L8S。該產品專為包括固態斷路器在內的電路保護應用而設計,UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優點在上述應用中至關重要。
UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業內采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導通電阻最低的器件。較低的導通電阻使發熱量顯著降低,加之緊湊的 TOLL 封裝,使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產品小 40%。新品可應對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求,且無需復雜的冷卻系統即可運行,加速從電磁式斷路器向基于半導體的固態斷路器(SSCB)的轉型。
“隨著 UJ4N075004L8S 的推出,Qorvo 將繼續領導 SiC 電源產品的創新,以超小型元件封裝的超低導通電阻 FET 器件助力電路保護等應用的發展。”Qorvo SiC 電源產品業務產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示,“SSCB 市場正迅速增長,Qorvo 的最新產品是這一技術演進中的重要里程碑。”
Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用,能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現關斷,非常適合應對電路保護領域的挑戰。其最新款 JFET 還能承受高瞬時結溫而不發生性能劣化或參數漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認導通狀態的系統中,并在故障條件下轉為關斷狀態。
UJ4N075004L8S 現已提供樣品,并將于 2024 年第四季度投入量產;屆時,Qorvo 還將推出更多 JFET 產品,包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產品,均采用 TO-247 封裝。獲取有關這一變革性電源技術的更多詳情及詳細產品規格,請訪問 Qorvo 電源解決方案網站。
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Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET,推動斷路器技術的革命性變革
- Qorvo(80404)
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(GaN)等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。 與傳統硅基產品相比,這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方面都有了質的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力,Qorvo的SiC FET技術用于采用TO-Leadless(TOLL)封裝的750V器件開發,并擴大了其領先優勢。
2023-08-29 18:10:01
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RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增數據表 ADI
數據表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增數據表真值表,RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增數據表管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-10-08 16:00:48

智能斷路器開發首選SCR:超小尺寸,支持 750 V浪涌峰壓
來源:意法半導體博客 X0115ML是ST為接地故障斷路器 (GFCI) 和電弧故障斷路器(AFCI)設計的首款斷態浪涌峰值電壓750 V的緊湊型可控硅整流器(SCR), SOT23-3L微型封裝
2023-11-24 10:51:33
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斷路器的參數怎么選擇?斷路器的選型原則
斷路器的參數怎么選擇?斷路器的選型原則? 斷路器是電氣系統中的重要組件,用于保護電氣設備免受過電流和短路等故障的損害。斷路器的參數選擇和選型原則對于正常運行和安全保護電氣設備至關重要。本文將詳細介紹
2023-12-19 15:47:27
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7994至信微發布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片
深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上,至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17
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1702Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET
Qorvo,全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商,近日發布了其全新車規級碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06
1404
1404Qorvo借助SiC FET獨特優勢,穩固行業領先地位
在產品研發方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導體技術(如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET)均無法超越的。
2024-02-21 14:40:52
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646仁懋TOLL封裝技術:BMS保護板的新寵
MOT在當今日新月異的電子科技領域,高效、可靠、穩定的電子元器件顯得尤為重要。而仁懋,作為一家專業做MOS的智能制造公司,憑借其創新的TOLL封裝技術,為BMS保護板領域帶來了革命性的突破。ONE.
2024-05-15 08:36:45
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Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC)結型
2024-06-12 14:04:44
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950Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝
Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:20
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Qorvo SiC JFET推動固態斷路器革新
Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)產品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL)封裝,可帶來卓越的斷路器設計和性能。
2024-11-15 16:04:40
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1228新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET
750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET,具有最佳的系統性能和可靠性
2024-12-20 17:04:51
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1010
中恒微發布Mini Z3功率模塊:750V新技術車規級芯片引領新能源變革
,以新一代750V車規級芯片為核心,再次刷新了車用IGBT模塊的性能標準。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒微半導體在IGBT技術領域的深厚積累,更在性能上實現了顯著的提升。其采用的750V新技術車規級芯片,不僅大幅提高了模塊的電壓承受能力,更在
2024-12-26 13:56:07
1002
1002工業斷路器與家用斷路器的區別
設計和用途 1.1 工業斷路器 工業斷路器專為工業環境設計,它們通常需要承受更嚴苛的工作條件,如高溫、高濕、灰塵、震動等。這些斷路器通常用于控制和保護大型電機、變壓器、配電線路等高電流負載。工業斷路器的設計注重耐用性、可靠
2025-01-03 09:34:28
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2763新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V
新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列,具有最佳的系統性
2025-01-17 17:03:27
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英飛凌新一代750V SiC MOSFET產品亮點
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的柵極氧化層技術,可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。
2025-06-20 14:44:26
971
971兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應用分析
010C075Z (750V)B3M013C120Z (1200V)智能斷路器應用優勢 導通電阻 (Rds(on))10m (25C) → 14m (175C) 5813.5m (25C) → 24m (175C) 36高溫
2025-08-10 14:58:51
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1227安森美三款產品入圍2025年度全球電子成就獎與亞洲金選獎
(onsemi)的Hyperlux ID iToF 先進深度傳感器、采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S、先進模擬和混合信號平臺Treo成功入圍兩個獎項。
2025-08-21 10:16:07
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1071安森美榮獲2025全球電子成就獎之年度功率半導體/驅動器產品獎
11月25日,安森美(onsemi)采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S憑借卓越的性能和創新的設計,榮獲2025年全球電子成就獎
2025-11-27 13:55:06
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