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電子發燒友網>制造/封裝>Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET,推動斷路器技術的革命性變革

Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET,推動斷路器技術的革命性變革

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2023-05-19 12:42:271227

斷路器的分類與選擇

高壓斷路器具有可靠的滅弧裝置,其滅弧能力很強,電路正工作時,用來接通或切斷負荷電流,在電路發正故障時,防止事故擴大,保證安全運行。也可用來切斷巨大的短路電流。高壓斷路器要開斷1500V,電流為1500-2000A的電弧,這些電弧可拉長至2m仍然繼續燃燒不熄滅。故滅弧是高壓斷路器必須解決的問題。
2023-06-08 16:38:204129

使用SiC FET替代機械斷路器的固態解決方案

機械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態解決方案解決這些問題,并且損耗也會持續降低。
2023-06-12 09:10:021361

固封式高壓真空斷路器與普通高壓真空斷路器有何區別

封極柱式斷路器的一種簡稱。固封斷路器也是真空斷路器,與普通的真空斷路器相比只不過是封裝的材質有所差別。然而,涉及到更深一層的技術問題時固封斷路器與普通的真空斷路器
2022-07-18 09:39:475701

4代碳化硅場效應晶體管的應用

Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝750V/5.4mΩ SiC FET,擴大了公司的性能地位,并擴大了其突破的第 4SiC FET 產品組合
2023-08-07 14:47:171137

以更小封裝實現更大開關功率,Qorvo SiC FET如何做到的?

(GaN)等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。 與傳統硅基產品相比,這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方面都有了質的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力,QorvoSiC FET技術用于采用TO-Leadless(TOLL封裝750V器件開發,并擴大了其領先優勢。
2023-08-29 18:10:011062

RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增數據表 ADI

數據表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增數據表真值表,RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業務擴增數據表管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-10-08 16:00:48

智能斷路器開發首選SCR:超小尺寸,支持 750 V浪涌峰壓

來源:意法半導體博客 X0115ML是ST為接地故障斷路器 (GFCI) 和電弧故障斷路器(AFCI)設計的首款斷態浪涌峰值電壓750 V的緊湊型可控硅整流(SCR), SOT23-3L微型封裝
2023-11-24 10:51:331297

斷路器的參數怎么選擇?斷路器的選型原則

斷路器的參數怎么選擇?斷路器的選型原則? 斷路器是電氣系統中的重要組件,用于保護電氣設備免受過電流和短路等故障的損害。斷路器的參數選擇和選型原則對于正常運行和安全保護電氣設備至關重要。本文將詳細介紹
2023-12-19 15:47:277994

至信微發布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上,至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:171702

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo,全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商,近日發布了其全新車規級碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404

Qorvo借助SiC FET獨特優勢,穩固行業領先地位

在產品研發方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導體技術(如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET)均無法超越的。
2024-02-21 14:40:52646

仁懋TOLL封裝技術:BMS保護板的新寵

MOT在當今日新月異的電子科技領域,高效、可靠、穩定的電子元器件顯得尤為重要。而仁懋,作為一家專業做MOS的智能制造公司,憑借其創新的TOLL封裝技術,為BMS保護板領域帶來了革命性的突破。ONE.
2024-05-15 08:36:452421

Qorvo?推出采用TOLL封裝750V4mΩSiC JFET

中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業界推出采用 TOLL 封裝4mΩ 碳化硅(SiC)結型
2024-06-12 14:04:44950

Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝

Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265

Qorvo SiC JFET推動固態斷路器革新

Qorvo推出了一款750V4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)產品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL封裝,可帶來卓越的斷路器設計和性能。
2024-11-15 16:04:401228

新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET,具有最佳的系統性能和可靠
2024-12-20 17:04:511010

中恒微發布Mini Z3功率模塊:750V技術車規級芯片引領新能源變革

,以新一代750V車規級芯片為核心,再次刷新了車用IGBT模塊的性能標準。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒微半導體在IGBT技術領域的深厚積累,更在性能上實現了顯著的提升。其采用750V技術車規級芯片,不僅大幅提高了模塊的電壓承受能力,更在
2024-12-26 13:56:071002

工業斷路器與家用斷路器的區別

設計和用途 1.1 工業斷路器 工業斷路器專為工業環境設計,它們通常需要承受更嚴苛的工作條件,如高溫、高濕、灰塵、震動等。這些斷路器通常用于控制和保護大型電機、變壓、配電線路等高電流負載。工業斷路器的設計注重耐用、可靠
2025-01-03 09:34:282763

新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列,具有最佳的系統性
2025-01-17 17:03:271225

英飛凌新一代750V SiC MOSFET產品亮點

英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的柵極氧化層技術,可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。
2025-06-20 14:44:26971

兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應用分析

010C075Z (750V)B3M013C120Z (1200V)智能斷路器應用優勢 導通電阻 (Rds(on))10m (25C) → 14m (175C) 5813.5m (25C) → 24m (175C) 36高溫
2025-08-10 14:58:511227

安森美三款產品入圍2025年度全球電子成就獎與亞洲金選獎

(onsemi)的Hyperlux ID iToF 先進深度傳感采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S、先進模擬和混合信號平臺Treo成功入圍兩個獎項。
2025-08-21 10:16:071071

安森美榮獲2025全球電子成就獎之年度功率半導體/驅動產品獎

11月25日,安森美(onsemi)采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S憑借卓越的性能和創新的設計,榮獲2025年全球電子成就獎
2025-11-27 13:55:061348

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