反饋是一件好事——控制工程師希望反饋為負值，具有不錯的增益和相位裕量，但營銷人員更喜歡積極的反饋，例如客戶要求在 UnitedSiC Gen 750 SiC FETS 的 4V 級別中提供更多選項。該公司憑借其 18 毫歐和 60 毫歐器件引領市場，但在某些應用中，更低的電阻部件和更高的中間值將是有益的。這取決于應用和預算 - 具有最低導通電阻的單個優質SiC FET占用的空間最小，需要最少的組裝，但并聯，具有相同導通電阻的低成本部件通常同樣有效，特別是當有空間將熱量分散出去時。但是，這需要設備并聯和更多的設計工作。

第 4 代 SiC FET 系列增加了更多器件

為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11 毫歐的部件，這是對已經推出的 18 和 60 毫歐器件的重大改進。現在，客戶可以“混合搭配”，以獲得針對其特定熱和工作條件的價格和性能的最佳組合，也許可以利用低成本部件的批量定價，使它們與不同的設計通用，并根據需要或多或少地并行。

并聯SiC FET很容易，柵極驅動功率非常低，因此并聯的額外功率通常無關緊要。器件由于其導通電阻正溫度系數而自然共享電流，并且還有一個額外的相關優勢，即與單個 9 毫歐器件相比，兩個 18 毫歐并聯的器件總共具有更少的傳導損耗。這是因為兩個器件中每個器件的一半電流產生的功率是單個器件的一半，并且每個器件的溫升更低，并且導通電阻按比例上升得更少。較低的結溫自然也會提高可靠性，從而在已經很高的SiC最大值下提供更大的裕量。UnitedSiC FET-Jet基于網絡的計算器（現在為版本2）可用于查看效果，并給出各種應用和工作條件下任意數量的并聯SiC FET的實際損耗和溫升數字。

第 4 代碳化硅 FETS 仍然是同類領先的

新增系列具有與其穩定產品相同的領先品質因數，并具有相同的先進第 4 代制造功能，例如晶圓減薄以減少基板傳導損耗和銀燒結芯片連接，以實現最低的結殼熱阻和相應的低結工作溫度。這些器件采用 TO-247 3 引腳封裝和額外的 4 引腳封裝，當需要源極“開爾文”連接時。圖1總結了新型750V SiC FET與競爭產品SiC MOSFET相比所處的位置，請記住，這些FET的額定電壓僅為650V。

圖 1：在競爭格局中新增的 UnitedSiC 750V SiC FET 系列產品

UnitedSiC 750V SiC FET 系列具有更多器件選擇的靈活性，這意味著它們可以應用于許多應用 - 通過汽車 AEC-Q101 認證，它們可用于牽引逆變器、車載和非車載充電器、DC-DC 轉換器和無線充電，與 650V 額定器件相比，可提高效率并改善電壓裕量。目前可用的超低導通電阻在交流和直流固態斷路器應用中也很有價值，在這些應用中，低傳導損耗對于效率和小尺寸至關重要。通常，在工業和IT電源轉換產品中，第4代SiC FETS還可以提高硬開關和軟開關拓撲的性能。

審核編輯：郭婷