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UnitedSiC提供七個采用七引腳設計的新750V SiC FET

電子工程師 ? 來源:UnitedSiC ? 作者:UnitedSiC ? 2022-08-01 14:42 ? 次閱讀
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七是個吉祥數字,一周有七天,世界有七大奇跡,地球有七個大陸,葫蘆娃有七兄弟,白雪公主有七個小矮人。..。..

許多人選擇“七”這個數字是因為它的“幸運”屬性,而UnitedSiC選擇它則當然是因為七個引腳非常適合D2PAK半導體封裝。它比標準D2PAK-3L版本多了四個引腳,這造就了它的與眾不同,它便于您采用靈活的設計選擇,從而盡可能提高SiC FET的實際性能。一個引腳用于到源極的開爾文連接,避免負載電流柵極驅動產生交互,一個引腳用于柵極,其他五個引腳并聯到源極,以盡量減小電阻和引腳電感。

當然,D2PAK-7L的“首要”屬性是厚度小和表面式安裝,這使它非常適合以現代化自動組裝技術安裝到功率密集的交流轉直流產品、直流轉直流產品和逆變器中。以前的最終產品設計通常需要用到采用TO-247等封裝的引腳器件,因為它們能夠將熱量傳導至必不可少的外部散熱片,同時具備在高壓下使用的引腳分離屬性。然而,這種設計也有缺點,它需要人工擰螺絲和螺母,還需要人工執行通孔焊接。現在,借助銀燒結晶粒連接和先進的晶圓減薄技術,如果將UnitedSiC的新D2PAK-7L封裝安裝到PCB上或采用液冷的隔離金屬基板上,它將具有具備出眾的熱性能。事實上,因為這些封裝內的第四代750V SiC FET的損耗非常低,所以,通常,只需PCB墊就可以提供足夠的散熱,甚至在電池充電器和電動機等功率非常高的應用中也是如此。UnitedSiC提供的七個器件的導通電阻從60毫歐到9毫歐不等,適合各種應用和預算。沒有什么競爭器件能與其相比,最接近的器件也僅僅達到11毫歐,請見圖1。

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【圖1:UnitedSiC D2PAK-7L SiC FET RDS(on)與競爭產品對比】

D2PAK-7L封裝的性能優于TO-247,且源極和漏極連接之間有更好的外部間隔,更方便進行PCB布局和遵守安全機構的漏電與間隙要求。更小的封裝尺寸還能減小封裝接合線的長度,這是一個重要優勢,因為晶粒RDS(ON)和晶粒體積都在不斷縮小。由于線接合處更短且鷗翼形引腳長度造成的環形更小,電感會降低,從而使碳化硅開關技術可能帶來的快速di/dt速率導致的電壓峰值降低。

UnitedSiC 750V SiC FET系列中引入的D2PAK-7L封裝以其更小巧的外形、更高的成本效益和更低的損耗推開了新的性價比敏感型應用的大門。750V額定值產品提供的低電感、開爾文柵極連接和額外的電壓裕度還能提高器件的堅固性。

UnitedSiC在線FET-Jet Calculator的庫中包含D2PAK-7L器件,讓您可以為您的應用選擇最佳器件版本,并能立即讀出所選轉換拓撲和冷卻布置的效率、組件損耗和結溫上升。

因此,無論七是不是您的幸運數字,它都代表著SiC FET封裝技術的一大進步。在您的下一款功率產品設計中試試它吧!

審核編輯:彭靜
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:UnitedSiC推出七款采用七引腳設計的新750V SiC FET

文章出處:【微信號:UnitedSiC,微信公眾號:UnitedSiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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