本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術平臺的首選功率變換拓撲及關鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導致性能退化。如何在短時間內(nèi)準確評估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關注的焦點。
2025-06-03 16:03:571448 
近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下
2025-10-15 11:27:0221907 
射頻（RF）應用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點開發(fā)面向為電力電子應用的經(jīng)濟型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導體公司都在積極開發(fā)幾種不同的方法，以實現(xiàn)GaN功率場效應電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:5310738 
使用GaN FET構建高速系統(tǒng)并非易事。開關電場可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無線系統(tǒng)的系統(tǒng)對于整體性能至關重要。本文著眼于不同封裝技術對不同應用的影響以及這些技術如何用于構建高性能GaN設備。
2019-03-11 08:04:005383 
長期以來，寬帶隙氮化鎵硅（GaN-on-Si）晶體管現(xiàn)已上市。他們被吹捧為取代硅基MOSFET，這對于許多高性能電源設計而言效率低下。最近，市場上出現(xiàn)了幾家基于GaN-on-Si的HEMT和FET
2019-01-24 09:07:003722 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉換應用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:003895 對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:092162 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有祼片外形尺寸小、導熱和熱管理性能優(yōu)異、開關損耗
2023-10-12 16:18:563227 
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
2023-12-07 09:44:525989 
四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件，助力設計人員改進射頻系統(tǒng)尺寸、重量和功率。
2021-04-14 10:57:161331 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:185483 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:366224 對比GaN FET：新的集成系統(tǒng)大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器和通信交換中心會消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中，FET通常與柵極驅動器分開封裝，因為它們使用不同的工藝技術，并且最終會產(chǎn)生額外的寄生電感。除了導致較大的形狀尺寸外，這還可能限制GaN在高壓擺率下的開關性能…
2022-11-07 06:26:02
的好處。雖然增強型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設計，并提供了大大提高性能和效率的設計路徑。高壓設計案例開關電源（SMPS）設計是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設計都采用
2017-05-03 10:41:53
半導體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導體材料相比，GaN 具有獨特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高，使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實現(xiàn)更高的開關頻率，從而在保持合理開關損耗的同時，提升功率密度和瞬態(tài)性能。傳統(tǒng)上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨的驅動器驅動，這是因為GaN器件和驅動器
2018-08-30 15:28:30
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
Maurice Moroney 市場經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關
2018-10-16 21:19:44
電源設計說明：比較器件的不同效率 本教程演示了使用不同器件驅動阻性負載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在給定相同電源電壓和負載阻抗的情況下哪種電子開關最有效。多年來的開關設備 多年來，電子開關已經(jīng)
2023-02-02 09:23:22
下，器件在關鍵區(qū)域工作。圖 5：電阻 R 的圖形DS（開啟）作為施加到排水管的負載的函數(shù)碳化硅器件速度SiC器件的真實性能在開關應用中表現(xiàn)得最為明顯，在開關應用中，它必須執(zhí)行艱苦的工作，以快速開關速率
2023-02-02 09:41:56
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
在高效開關電源、車載充電機等應用中，驅動電路的性能直接影響著GaN、SiC等新一代功率器件的潛力發(fā)揮。為滿足高頻、高壓驅動的嚴苛要求，SiLM27531H——一款通過車規(guī)認證的單通道低邊門極驅動器
2025-12-26 08:20:58
，并且優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能驅動器進行共同封裝，我們能夠在一個模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降
2018-09-10 15:02:53
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
描述交錯連續(xù)導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件，由于具有電源效率高和尺寸減小的特點，因此是極具吸引力的電源拓撲。此設計說明
2018-10-24 16:15:16
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
可滿足高性能數(shù)字接收機動態(tài)性能要求的ADC和射頻器件有哪些？
2021-05-28 06:45:13
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉換器等高開關頻率應用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機制很重要。聯(lián)合電子設備工程委員會 (JEDEC) 針對硅器件的認證標準經(jīng)證明是產(chǎn)品
2019-07-12 12:56:17
在競爭激烈的當今市場中，可再生能源、儲能、電源適配器、電源充電器和數(shù)據(jù)處理應用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來提高性能，以滿足不斷增長的電信、汽車、醫(yī)療保健和航空航天行業(yè)的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
DN47- 開關穩(wěn)壓器通過單個電感器產(chǎn)生正電源和負電源 - 設計說明47
2019-05-16 06:06:33
用高性能的FPGA器件設計符合自己需要的DDS電路有什么好的解決辦法嗎？
2021-04-08 06:23:09
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
的選擇和比較進行了分析。考慮了晶體管參數(shù)，如與時間相關的輸出有效電容（Co（tr））和關斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
日益嚴格的能效及環(huán)保法規(guī)推動汽車功能電子化趨勢的不斷增強和混合電動汽車/電動汽車(HEV/EV)的日漸普及，這加大了對高能效和高性能的電源和功率半導體器件的需求。安森美半導體作為汽車功能電子化的領袖
2019-07-23 07:30:07
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢，有非常重要的現(xiàn)實意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
副邊發(fā)生故障后復位。對于更緊湊的純SiC/GaN應用，新型隔離式柵極驅動器ADuM4121是解決方案。該驅動器同樣基于ADI公司的iCoupler數(shù)字隔離技術，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns
2018-10-22 17:01:41
據(jù)權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:113205 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:52
9 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:005391 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:094604 
產(chǎn)品包括SBD、常關型FET、常開型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無線充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0012943 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉換控制器相結合
2019-08-07 10:17:062913 GaN器件分為射頻器件和電力電子器件，射頻器件產(chǎn)品包括PA、LNA、開關器、MMIC等，面向基站衛(wèi)星、雷達等市場：電力電子器件產(chǎn)品包括SBD、常關型FET、常開型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無線
2020-07-27 10:26:001 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013305 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-25 09:15:051075 
MasterGaN 將硅與 GaN 相結合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達 400 W 的消費和工業(yè)應用。通過使用 GaN 技術，新設備可以處理更多功率，同時優(yōu)化其效率。ST 強調(diào)了將 GaN 與驅動器集成如何簡化設計并提供更高水平的性能。
2022-07-27 08:03:00887 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-29 08:06:371093 
的9mOhm導通電阻，擴大了性能領先地位。 新型碳化硅 FET 采用標準分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS（on），是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定值的器件（參見Figure 1）。
2022-08-01 12:14:082356 氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應該得到適當?shù)墓芾恚@使得創(chuàng)新的熱管理技術成為一個需要考慮的關鍵方面。
2022-08-03 08:04:572305 
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
以及幾個變量。 UnitedSiC 推出了 FET-Jet 計算器 ，這是一種在線工具，用于選擇和比較不同電源應用的性能。 計算機 讓我們來看看它的一些值得注意的功能： 在各種基于功率的應用中輕松評估全系列 UnitedSiC FET 和二極管； AC-DC：PFC升壓、PFC圖騰、Vien
2022-08-04 09:37:521013 
多年來，技術進步使得從功率器件獲得高級性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導更高的電壓。與硅元件相比，電流可以更容易地通過元件，從而提高效率并減少
2022-08-05 08:04:466793 
氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉換應用的系統(tǒng)成本。在這些應用中，eGaN ? FET 和 IC 的應用迅速增長，已被納入高密度計算以及許多新的汽車電源
2022-08-05 10:19:122065 
寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:231598 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:062014 高頻開關等寬帶隙半導體是實現(xiàn)更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術進行了比較。
2022-11-11 09:11:552371 在電源轉換這一語境下，性能主要歸結為兩個互為相關的值：效率和成本。仿真結果和應用實例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:011045 在過去幾年里，GaN技術，特別是硅基GaN HEMT技術，已成為電源工程師的關注重點。該技術承諾提供許多應用所需的大功率高性能和高頻開關能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個關鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:121064 
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06975 鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。
2023-05-30 09:03:151221 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392003 
。Nexperia（安世半導體）在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導體）豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。
2023-08-10 13:55:541513 還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
2023-11-29 16:49:231395 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21956 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關模式電源建模和環(huán)路補償設計說明.pdf》資料免費下載
2023-11-24 11:15:212 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關模式電源的建模和環(huán)路補償設計說明.pdf》資料免費下載
2023-11-24 11:51:051 為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術，在電動汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應用中實現(xiàn)更高性能電源轉換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，這些全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時改進SiC和GaN技術的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:181303 ，設計人員可以使用氮化鎵(GaN)來實現(xiàn)這些目標，氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進和進步。GaN器件是主流，已
2024-05-23 10:56:371576 
SiC（碳化硅）器件在電源中的應用日益廣泛，其獨特的物理和化學特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關鍵材料。以下將詳細探討SiC器件在電源中的應用，包括其優(yōu)勢、具體應用場景、技術挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。
2024-08-19 18:26:082418 如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應用。
2025-03-14 18:05:172381 LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號：LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：VQFN32產(chǎn)品功能：高性能GaN功率器件LMG3410R070RWHR
2025-11-29 11:25:34188 
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