和IP(知識產權)組合。這一方法旨在讓英特爾加快創新步伐,并將扎根于六大戰略支柱: 英特爾公司處理器核心與視覺計算高級副總裁Raja Koduri 制程 擁有領先的制程技術,仍是建構領先的產品之關鍵。先進的封裝解決方案在三維空間中擴展晶體管
2018-12-13 12:04:02
1012 8月13日,在2020年架構日上,英特爾六大技術支柱持續創新,揭秘Willow Cove,Tiger Lake和Xe架構以及全新的晶體管技術。
2020-08-14 18:52:26
6294 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業,是因為英特爾在立體晶體管(FinFET)技術方面的量產業績獲得好評。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺積電作為主要的代工企業,而14nm工藝的生產將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:20
1758 超微縮是英特爾用來描述從14納米到10納米制程,晶體管密度提高2.7倍的術語。超微縮為英特爾14納米和10納米制程提供了超乎常規的晶體管密度,并延長了制程工藝的生命周期。盡管制程節點間的開發時間超過兩年,但超微縮使其完全符合摩爾定律。
2017-09-20 09:23:41
6816 兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術將大幅度提高芯片的計算密度。 ? 目前我們所熟知的臺積電、三星、英特爾、格芯、中芯國際等芯片代工廠量產的先進工藝普遍采用基于多柵鰭型場效應晶體管
2021-01-06 16:31:20
6277 
近日公布2011年“科技創新獎”,英特爾的3-D三柵極晶體管設計獲得半導體類別創新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結構代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變
2011-10-23 01:01:04
1184 。 ? 英特爾18A工藝堪稱芯片制造領域的一項重大突破,處于業界2納米級節點水平。它采用了兩項極具創新性的基礎技術——RibbonFET全環繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術
2025-10-21 08:52:00
4858 相似,英特爾一直在考慮新材料的引入、新的晶體管設計等。本屆IEDM上,出現了很多針對全柵極晶體管的討論,無論是納米片還是納米線,隨著FinFET技術在更新工藝下的逐漸失效,全柵極可能會逐漸成為主流。如果英特爾在
2020-07-07 11:38:14
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸?
2021-05-26 06:57:13
及制造工藝分類 晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?! “措娏魅萘糠诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管管芯的工藝流程?光刻的工藝流程?pcb制版工藝流程?薄膜制備工藝流程?求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
英特爾聯合創始人戈登·摩爾在半世紀前提出的摩爾定律,是指每代制程工藝都要讓芯片上的晶體管數量翻一番。縱觀芯片每代創新歷史,業界一直遵循這一定律,并按前一代制程工藝縮小約 0.7倍來對新制程節點命名
2019-07-17 06:27:10
` 中關村在線 據外媒Phone Arena報道,英特爾多款平板電腦CPU將于明年推出,達到擴大產品的覆蓋范圍,同時也能擴大產品的生產數量。相信在不久的明天,不管是在入門級還是旗艦級的平板電腦
2013-12-19 16:48:30
Bridge的處理器。這種處理器使用3D(三閘)晶體管?! at Bliemer還證實稱,英特爾的Tick-Tock(工藝年-構架年)戰略正在按計劃進行。這意味著第一款采用14納米技術的處理器將在
2011-12-05 10:49:55
)和M2M(機器對機器)市場?! ?b class="flag-6" style="color: red">英特爾架構事業部副總裁斯特凡·沃爾夫(Stefan Wolf)表示,這種系統芯片比類似的系統芯片體積小,將簡化產品開發和減少制作產品所需要的組件數量,為開發商減少
2012-08-07 17:14:52
嗨伙計,我的英特爾愛迪生停止通過終端和ssh通過wifi訪問,所以我決定閃存它。$ ./flashall.sh使用U-Boot目標:edison-blankcdc現在等待dfu設備8087:0a99
2018-11-02 10:57:32
,是通信、數字標牌、零售、工業和醫療領域嵌入式應用開發者的理想選擇;預計會有超過200種嵌入式應用將基于該系列處理器研發。w w英特爾向嵌入式市場提供酷睿移動處理器,以及其與移動英特爾? QM57高速
2019-07-29 06:13:57
%的市場份額。 通信世界網總編輯劉啟誠認為,英特爾本身缺乏移動互聯網的DNA,其傳統PC時代的思維無法與當前的移動互聯時代相契合。移動芯片的技術研發并非一朝一夕,需要時間與技術的積累與沉淀,在這方面英特爾
2012-11-07 16:33:48
。但從技術層面來看,開始領先于AMD的英特爾慢慢被后來者居上,AMD也使勁全力向頂層技術發起總攻,如10nm、7nm工藝。在AMD漫長的奮斗下,英特爾稍顯疲態。有分析師預測,隨著英特爾緩慢的研發步伐
2018-09-29 17:42:03
了上市時間,提高了生產力。英特爾的 ABF 計劃如今,隨著 ABF 短缺問題日益嚴重,英特爾的目標是通過提高現有 ABF 制造工藝的生產率來彌補這一缺口。為了做到這一點,英特爾已經宣布,其越南組裝和測試
2022-06-20 09:50:00
,2019年底發布時還是屬于探索的第一步,現在已經轉正了。oneAPI計劃的跨架構開發模型基于行業標準和開放規范,支持廣泛的行業生態系統采納該技術來推動應用開發領域的新演進。英特爾? oneAPI beta
2020-10-26 13:51:43
是英特爾 VS ARM。英特爾發布三柵極3D晶體管之后,關于該技術能否左右二者之間的戰局業界已有很多評論文章。目前看來,ARM似乎肯定會采用平面的22nm工藝,而英特爾則會采用Tri-Gate三柵極3D
2011-12-24 17:00:32
。圖片:D. Hisamoto等人,1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置(22 納米技術)(圖 11)。 圖 11.英特爾的鰭式場效應晶體管。圖片:英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
在這個高度依賴圖像的時代,英特爾? FPGA 可利用 OpenCL? 平臺滿足巨大的圖像處 理和分類需求簡介從 2015 年到 2020 年,互聯網視頻流量將增長四倍。[1] 鑒于可視數據的爆炸性
2019-07-17 06:34:16
蘋果晶圓代工龍頭臺積電16納米鰭式場效晶體管升級版(FinFET Plus)將在明年1月全產能量產,搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝(InFO WLP)的系統級封裝(SiP)技術,在x86及ARM架構64位
2014-05-07 15:30:16
的金屬間距,從而實現了業內最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進展英特爾高級院士馬博(Mark Bohr)介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節,展現了英特爾的技術領先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
,10埃)開始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產中獲得的知識可能有助于下一代互補場效應晶體管(CFET)的生產。
目前,領先的芯片制造商——英特爾、臺積電和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40:07
近日,加入英特爾已有3個月的明星芯片架構師Jim Keller接受了外媒VentureBeat的采訪,在采訪中談及了自己加入英特爾的始末和讓其為之興奮的新角色——英特爾公司技術、系統架構和客戶端事業部高級副總裁兼芯片工程事業部總經理。
2019-07-25 07:31:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝,也可以封裝在非常小的區域內,容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術)嚴格來說,晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件,包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
你好。當我在英特爾RST中啟用英特爾Optane,然后重新啟動我的計算機時,Defraggler將加速驅動器看作只是一個硬盤驅動器,在任務管理器中,它將其視為“1.8TB硬盤+英特爾Optane”我
2018-10-31 10:12:53
幾個月前就有分析師援引彭博社的報道稱,AMD即將與宿敵英特爾達成顯卡芯片技術授權協議,上周更有匿名消息人士在一家PC愛好者網站上確認了此事。然而,無論從AMD自身利益角度考慮,還是從該公司CEO
2017-05-27 16:12:29
英特爾的未來樂觀嗎?看一看英特爾的盲點在哪里?英特爾有哪些死角?
2021-06-18 08:08:01
蘋果首次舉行線上開發者大會(WWDC20),在一系列iOS14、macOS等軟硬件更新宣布中,最重磅的莫過于蘋果電腦Mac未來將使用自研的ARM架構芯片,逐步替代現有的英特爾芯片?! ≡跇I
2020-06-23 08:53:12
騰訊科技訊,7 月 5 日據國外媒體報道,英特爾未來不會再向蘋果的 iPhone 智能手機提供基帶芯片了。英特爾剛剛確認,公司已經停止開發部分原本計劃使用在蘋果 iPhone 上的 5G 通信基帶
2021-07-23 06:20:50
采用MMX技術的英特爾奔騰和奔騰
2019-02-26 08:05:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
“集成電子”之名在1968年7月18日共同創辦公司,將高端芯片設計能力與領導業界的制造能力結合在一起。英特爾也有開發主板芯片組、網卡、閃存、繪圖芯片、嵌入式處理器,
2025-12-21 11:32:23
Achronix半導體公司宣布:該公司已經戰略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術的使用權,并計劃開發最先進的現場可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29
793 在本周于舊金山召開的英特爾開發者大會(IDF)中,英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術的22nm元件細節,并進一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設計概念。
2011-09-16 09:23:43
1145 從技術角度概括介紹用于快速開發和部署啟動加載器的英特爾 Boot Loader 開發套件(英特爾 BLDK),該套件基于英特爾 UEFI 開發套件 2010(英特爾 UDK2010)標準,面向基于英特爾凌動處理器的嵌
2011-12-07 14:57:53
59 晶體管是現代電子學的基石,而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發明,甚至可以說是重新發明了晶體管。半個多世紀以來,晶體管一直都在使用2-D 平面結構,現在終于邁入
2012-01-18 15:28:52
147 將特別采用英特爾的3-D三維晶體管尖端制造工藝
2012-04-16 08:52:00
862 據英特爾的首席財政官 Stacy Smith 在一次新聞發布會上討論公司的第一季度財務情況時稱,英特爾的22nm制造工藝技術的FinFET晶體管將占英特爾半導體第二季度出貨量的25%。
2012-04-19 08:41:23
745 Achronix 半導體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產品系列的細節,它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術工藝制造的首批現場可編程門陣列(FPGA)產品。Speedster22i FPGA產品是業內唯一
2012-04-25 09:12:05
1560 英特爾凌動處理器,Intel Atom是Intel的一個處理器系列,處理器采用45納米工藝制造,集成4700萬個晶體管。
2012-05-25 14:06:17
4336 本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造,沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝,并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:18
0 本文核心議題: 通過本文介紹,我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術有著詳細的了解。業界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造,沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:27
8565 
英特爾已經準備把第一個3D晶體管結構導入大量生產,它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產芯片。22納米處理器,代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區別,它不只可
2012-08-15 11:23:24
1252 
電子發燒友網訊【編譯/David】:英特爾 終于祭出殺手锏——Haswell,將該CPU改善其電池壽命和圖形處理能力。英特爾稱其為首款采用22nm工藝的三柵極晶體管新架構的CPU,其功耗最低將少
2012-09-12 17:33:07
1348 近日消息,英特爾計劃將“3D晶體管”工藝應用到SoC移動芯片上,以獲得產品性能飛躍性提升,但對于“3D晶體管”技術是否適用于SoC芯片的制造,參與舊金山國際電子產品大會的專家們
2012-12-11 09:05:45
1434 的onshore代工技術和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術,開發先進的高性能數字集成電路(IC)和系統級芯片(SoC)解決方案。
2013-05-09 11:15:58
1029 據消息,英特爾正計劃利用現有的硬件材料去開發量子計算機。通過量子機制,量子計算機能帶來更強大的計算性能。 荷蘭代爾夫特理工大學與英特爾合作開發的量子計算設備 競爭對手IBM、微軟和谷歌都在開發量子計算機,但這些量子計算機與當前的計算機有很大不同。英特爾則計劃利用當前的硅晶體管材料來實現量子計算機。
2016-12-23 02:39:11
1838 在英特爾制造日,英特爾發布了10nm晶圓。通過采用超微縮技術(hyper scaling),英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實現了業內最高的晶體管密度。超微縮技術
2018-03-12 11:48:00
891 
Cannonlake架構的Core i3-8121處理器,通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達到了100MTr/mm2,是14nm節點的2.7倍,而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:00
6886 模塊,包含英特爾公司領先的技術和IP(知識產權)組合。這一方法旨在讓英特爾加快創新步伐,并將扎根于六大戰略支柱: 1. 制程——擁有領先的制程技術,仍是建構領先的產品之關鍵。先進的封裝解決方案在三維空間中擴展晶體管密度,將賦予英特
2018-12-17 16:03:01
186 英特爾的“初心”體現在,不斷推動摩爾定律發揚光大。芯片上的晶體管數量增加了100萬倍,處理能力提高了45萬倍,并將為處理海量數據提供領先的技術。
2020-04-30 17:22:36
2983 在2020年架構日上,英特爾六大技術支柱持續創新,揭秘Willow Cove,Tiger Lake和Xe架構以及全新的晶體管技術。
2020-08-14 14:08:19
2332 在2020年架構日上,英特爾六大技術支柱持續創新,揭秘Willow Cove,Tiger Lake和Xe架構以及全新的晶體管技術。
2020-08-14 17:55:33
3955 最近英特爾終于帶來了一些好消息,除了下一代(第11代)酷睿處理器的工藝制程全面進軍10 nm節點以外,英特爾還將在10 nm工藝制程中加入全新的“SuperFin”晶體管?;谶@一新技術生產的第11
2020-08-17 15:22:17
3681 制程工藝是非常重要的基礎。在今年“架構日”上,英特爾推出了創新的晶體管技術SuperFin。這項技術擁有行業顛覆意義,英特爾在底層晶體管設計上做了優化,降低了電阻,提高了電流,同時在電容層級采用了Super MIM的大幅優化技術,電容量提高了5倍,同時降低了壓降。
2020-08-27 11:14:58
2869 英特爾在2020年架構日上推出10nm SuperFin晶體管技術,將實現其有史以來最強大的單節點內性能增強。
2020-08-31 09:52:06
3204 
的軟件堆棧oneAPI Gold工具。英特爾此次同時推出了全新服務器GPU和oneAPI軟件,意味著英特爾開始釋放XPU的強大實力。 英特爾率先定義XPU時代 10年前,美國數據科學家舍恩伯格在《大數據時代》一書中對大數據時代作出系統闡釋。 10年后,互聯網、人工智能、
2020-11-12 10:48:15
2351 芯東西12月30日消息,英特爾在本周的IEEE國際電子設備會議上展示了一項新的研究,或為續命摩爾定律提供下一步可行方向。 此項研究是英特爾一直熱衷的堆疊納米片晶體管技術,通過將PMOS和NMOS兩種
2021-01-02 09:03:00
2358 ,進而大大降低了功耗。這些成對的晶體管已經彼此櫛次鱗比在一起好幾十年,但是如果電路要繼續縮小,它們就必須靠得更近。 英特爾(Intel)在本周的IEEE 國際電子元件大會(IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM)上展示全然不同的排列方式:把一對
2021-01-08 09:55:15
2732 的是,英特爾代工廠客戶將可以使用我們已準備好部署的前沿封裝技術,包括2D、2.5D或3D技術?!睋﨡ohanna Swan介紹,在進入到IDM 2.0時代后,英特爾將繼續開發2D、2.5D 和 3D 等
2021-06-28 10:19:18
2533 
方法背后的依據。 未來之路 英特爾的路線圖是基于無與倫比的制程技術創新底蘊制定而成。結合世界先進的研發流程,英特爾推出過諸多深刻影響了半導體生態的行業首創技術,如應變硅、高K金屬柵極和3D FinFET晶體管等。 如今,英特爾延
2021-08-09 10:40:31
5625 新聞重點 1. 英特爾制程工藝和封裝技術創新路線圖,為從現在到2025年乃至更遠未來的下一波產品注入動力。 2. 兩項突破性制程技術:英特爾近十多年來推出的首個全新晶體管架構RibbonFET,以及
2021-08-09 10:47:23
2233 英特爾向今年的國際電子器件會議(IEDM)提交了幾篇研究論文,強調了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計劃。這些新信息支持了首席執行官Pat Gelsinger之前關于英特爾即將進行的微
2022-12-05 10:16:07
1723 
英特爾正在為 300 毫米硅基 GaN 晶圓打造一條可行的道路,讓世界離超越 5G 更近一步并解決能效挑戰。英特爾在這一領域的突破表明,增益是行業標準 GaN 的 20 倍,并創下了高性能功率傳輸的行業記錄。
2022-12-05 11:50:36
735 )上,英特爾發布了多項突破性研究成果,繼續探索技術創新,以在未來十年內持續推進摩爾定律,最終實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管。英特爾的研究人員展示了以下研究成果:3D封裝技術的新進展,可將密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶體管微縮的新材料,包括僅三個
2022-12-06 15:50:21
1857 英特爾和Arm達成了一項合作協議,英特爾代工服務(Intel Foundry Services)和Arm將會進行設計技術協同優化,這意味著讓芯片設計者能夠基于英特爾18A制程打造低功耗的SoC
2023-04-19 14:31:23
1727 在比利時安特衛普舉行的ITF World 2023上,英特爾技術開發總經理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個關鍵領域的最新進展,最有趣的是英特爾將在未來采用堆疊CFET晶體管。
2023-05-20 10:01:14
910 
將于2024年上半年在Intel 20A制程節點上推出。通過將電源線移至晶圓背面,PowerVia解決了芯片單位面積微縮中日益嚴重的互連瓶頸問題。 “ 英特爾正在積極推進‘四年五個制程節點’計劃,并致力于在2030年實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管,PowerVia對這兩大目標而言都是重要里程
2023-06-09 20:10:03
732 芯片效能。英特爾封裝/組裝/測試技術開發資深總監Pat Stover就表示:「我在封裝領域已有27年經驗,透過封裝延續了摩爾定律?!?半導體業者過去透過制程的微縮,追求在更小的芯片內塞入更多電晶體,提升算力和效能,帶動各項電子產品的迭代。然而微縮存在物理極限,半導體
2023-08-28 11:08:14
3347 ? ? ? ?在今年9月,英特爾宣布率先推出用于下一代先進封裝的玻璃基板,并計劃在未來幾年內向市場提供完整的解決方案,從而使單個封裝內的晶體管數量不斷增加,繼續推動摩爾定律,滿足以數據為中心
2023-12-06 09:31:42
842 在IEDM 2023上,英特爾展示了結合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管,這些開創性的技術進展將繼續推進摩爾定律。
2023-12-11 16:31:05
1079 英特爾在2023年國際電子設備制造大會上宣布,他們已經成功完成了一項名為PowerVia的背面供電技術的開發。這個技術是基于英特爾的最新晶體管研究成果,它實現了互補金屬氧化物半導體場效應晶體管
2023-12-11 16:10:42
1642 
在最近的IEDM大會上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用于高度集成的48V設備。
2023-12-14 09:23:06
2122 
帕特·基辛格進一步預測,盡管摩爾定律顯著放緩,到2030年英特爾依然可以生產出包含1萬億個晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、PowerVIA電源傳輸、下一代工藝節點以及3D芯片堆疊等技術實現。目前單個封裝的最大芯片含有約1000億個晶體管。
2023-12-26 15:07:37
1221 12月9日,英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國際電子器件會議)上展示了使用背面電源觸點將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關鍵技術。英特爾表示將在2030年前實現在單個封裝內集成1萬億個晶體管。
2023-12-28 13:58:43
1311 臺積電預計封裝技術(CoWoS、InFO、SoIC 等)將取得進步,使其能夠在 2030 年左右構建封裝超過一萬億個晶體管的大規模多芯片解決方案。
2023-12-29 10:35:28
868 
英特爾對此次活動的定位如下: “誠摯邀請您傾聽
英特爾高層精英、
技術專才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰略布局、卓越
工藝技術、尖端
封裝技巧與生態建設。旨在讓您深入理解
英特爾的代工廠服務如何助力貴司充分利用
英特爾強大的彈性供應實力構筑芯片設計?!?/div>
2024-01-05 09:40:29
1149 眾所周知,整個半導體領域正邁進一個同時整合多個‘芯?!–hiplets,也被稱為‘小芯片’)在同一封裝中的多元時代。基于此,英特爾的 Foveros 及新型 EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)等高級封裝解決方案被譽為能將一萬億個晶體管融于單一封裝之內
2024-01-26 09:44:28
1201 英特爾在封裝技術方面取得了重大突破,并已經開始大規模生產基于3D Foveros技術的產品。這項技術使得英特爾能夠在單個封裝中整合多個小芯片(Chiplets),從而提高了芯片的性能、尺寸和設計靈活性。
2024-01-26 16:04:50
1281 英特爾首推面向AI時代的系統級代工——英特爾代工(Intel Foundry),在技術、韌性和可持續性方面均處于領先地位。
2024-02-25 10:38:39
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英特爾宣布全新制程技術路線圖、客戶及生態伙伴合作,以實現2030年成為全球第二大代工廠的目標。 新聞亮點: ?英特爾首推面向AI時代的系統級代工——英特爾代工(Intel Foundry),在技術
2024-02-26 15:41:45
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據悉,18A 制程是英特爾技術引領道路上的關鍵階段,雖非直接采用 1.8納米工藝,英特爾仍自豪宣稱其性能與晶體管密度媲美友商的 1.8 nm制程。
2024-02-29 15:13:29
1371 Ansys的多物理場簽核解決方案已經成功獲得英特爾代工(Intel Foundry)的認證,這一認證使得Ansys能夠支持對采用英特爾18A工藝技術設計的先進集成電路(IC)進行簽核驗證。18A工藝技術集成了新型RibbonFET晶體管技術和背面供電技術,代表了半導體制造領域的一項重大突破。
2024-03-11 11:25:41
1358 英特爾公司近日在半導體技術領域再有大動作,加碼先進封裝技術,并與14家日本企業達成深度合作。此次合作中,英特爾創新性地租用夏普閑置的LCD面板廠,將其作為先進半導體技術研發中心,專注于后段封裝領域的研發。
2024-06-11 09:43:44
871 在今年9月,英特爾宣布率先推出用于下一代先進封裝的玻璃基板,并計劃在未來幾年內向市場提供完整的解決方案,從而使單個封裝內的晶體管數量不斷增加,繼續推動摩爾定律,滿足以數據為中心的應用的算力需求
2024-07-22 16:37:15
917 晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節點,也將用于Intel 18A。 RibbonFET:柵極“環抱”晶體管 通過RibbonFET晶體管,英特爾實現了
2024-09-11 17:57:52
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遠的發展。 英特爾通過改進封裝技術將芯片封裝中的吞吐量提升高達100倍,探索解決采用銅材料的晶體管在開發未來制程節點時可預見的互連微縮限制,并繼續為先進的全環繞柵極(GAA)晶體管及其它相關技術定義和規劃晶體管路線圖。 這些技術進展來自負責研發
2024-12-25 09:52:11
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TechInsights分析,臺積電N2工藝在晶體管密度方面表現突出,其高密度(HD)標準單元的晶體管密度高達313MTr/mm2,遠超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和三星SF2/SF3P
2025-02-17 13:52:02
1088 ,英特爾代工已取得重要里程碑。例如,Intel 18A制程節點已進入風險試產階段,并計劃于今年內實現正式量產。這一節點采用了PowerVia背面供電技術和RibbonFET全環繞柵極晶體管。英特爾代工的生態系統合作伙伴為Intel 18A提供了EDA支持,參考流程
2025-05-09 11:42:16
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