為實現IDM 2.0戰略，英特爾在2021年宣布啟動“四年內五個節點”（簡稱‘5N4Y’）計劃。其中，Intel 18A（1.8nm級）技術將作為該項目的最高峰，計劃在2025年初投產。然而，對于未來的規劃仍未披露詳情，僅確定英特爾將于春節后揭示新工藝的具體藍圖。

值得關注的是，英特爾將在2月21日出席IFS Direct Connect活動，屆時，英特爾晶圓代工服務IFS將重點探討5N4Y之后的研發方向。此次會議將邀請到英特爾首席執行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）、IFS總經理斯圖·潘恩、英特爾供應鏈及運營總經理哈利凡·埃斯法賈尼、負責工藝技術開發的執掌安妮·凱萊赫等核心人物發表主旨演講。

英特爾對此次活動的定位如下： “誠摯邀請您傾聽英特爾高層精英、技術專才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰略布局、卓越工藝技術、尖端封裝技巧與生態建設。旨在讓您深入理解英特爾的代工廠服務如何助力貴司充分利用英特爾強大的彈性供應實力構筑芯片設計。”

然而，關于后續工藝革新的具體信息尚未明確，但是考慮到英特爾擅長的技術創新習性，其新工藝將在Intel 18A的基礎上進一步升級。尤其是Intel 20A已經引入了業界領先的RibbonFET環柵晶體管和PowerVia背面供電網絡（BSPDN），因此，預計這兩個技術將會繼續深化應用。另外，基于半導體技術的復雜性，英特爾需要針對各類應用場景適時調整工藝策略。以Intel 3為例，它具備豐富的高性能計算資源庫和卓越的驅動電流，適用于數據中心級別的處理器需求。至于此種模式將來能否推廣至更多類型的節點服務，以及英特爾是否打算提供更多專屬節點，尚需觀察后續進展。