摩爾定律已經持續半個多世紀，從90nm到65nm、45nm再到32nm……。不過，在實際的工藝制造角度，摩爾定律經受到一次又一次將終止的考驗和質疑，如2007年intel 開發45nm的HKMG工藝，以及2011年intel 開發22nm的finFET 結構等都是轉折點。更大的問題是28nm之后，定律的成本降低開始受到質疑，加上研發成本的高聳，許多IDM廠如Motorola、NXP、Renasas等轉向fab lite。

在9月份剛剛舉辦的英特爾精尖制造日上，英特爾力證摩爾定律仍然有效，宣布推出10nm晶圓，正在開發7nm,研發5nm和3nm。英特爾強調，晶圓的制程應該以密度為標準，表示其10nm比競爭對手領先3年。此外，英特爾拓展代工計劃，將22FFL技術作為針對物聯網移動互聯產品的制程技術，并與ARM合作強化在物聯網領域的競爭力。

力證摩爾定律仍有效 ?10nm晶圓已生產并開發7nm5nm3nm。

隨著晶圓工藝制程的不斷推進，每實現全新的制程節點變得愈加困難，成本也更加昂貴。僅僅是把設備安裝到已有晶圓廠中，就要花費近百億美元，能承擔得起推進摩爾定律的成本的公司越來越少。

在英特爾制造日，英特爾發布了10nm晶圓。通過采用超微縮技術（hyper scaling），英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現了業內最高的晶體管密度。超微縮技術讓英特爾在14納米和10納米制程節點上提升2.7倍晶體管密度的技術，讓14納米和10納米上的晶片面積縮小了0.5倍以上。

“摩爾定律仍然有效。”英特爾公司執行副總裁Stacy Smith表示,”晶體管密度一直以來都在快速提升。我們每一代新的晶體管技術都會帶來一個巨大的突破，這就是摩爾定律的原動力。我們知道每一個節點的晶體管數量都會增加一倍，14和10納米制程技術其實都創了歷史紀錄，它實現了超過平常制程工藝的更高的晶體管密度。 制造成本正常的趨勢是不斷攀升，如果成本攀升但是晶體管微縮，事實上每個晶體管的成本是下降的，可以看到最后兩個節點的成本下降幅度是高于歷史趨勢的。”

摩爾定律還將繼續前行。英特爾高級院士兼英特爾公司制程架構與集成總監馬博表示：“除了10nm的發布和已經生產之外，英特爾正在開發的7nm技術，5nm和3nm已經進行前沿研究，包括：納米線晶體管、3D堆疊、EUV圖案成形、神經元技術等等。

稱晶圓制程應以密度為標準 其14nm/10nm領先對手3年

隨著摩爾定律走向極致，能夠跟進的企業僅有格羅方德、三星、臺積電和英特爾四個巨頭。其中，臺積電和三星此前已經宣布推進10nm工藝制程。面對工藝領先地位的撼動，英特爾進行了正面回應。

“16納米、14納米、10納米、7納米，看起來像是一場賽馬。問題在于，這些制程節點數字曾經有著真實的物理意義，但現在已不是那么回事了。”Stacy Smith表示。

對于為何制程節點數字失去意義，半導體行業專家莫大康指出了背后的原因。他告訴記者：“由于此前的定義如依柵長來比較己經失效，從技術上很難找到一個合適的方法來界定。”

對此，英特爾強調需要有一個指標來描述某種制程的性能，為芯片設計者展現可用的晶體管密度。 馬博表示：“鑒定制程工藝的先進性，應該以晶體管密度指標。根據晶體管密度指標，英特爾的14nm可以媲美友商的10nm，最新的10nm領先友商3年。”

對此，英特爾正面對比了三星和臺積電在同樣工藝制程節點中的相關參數。不知到三星和臺積電看到這樣的對比圖表，會有何感想和如何解釋。

“從14nm之后，基本上各說各的。主要分兩派：一派是臺積電和三星的代工陣容,二是英特爾的CPU,因為存儲器早己離開定律的縮小規則。顯然各取所需，把自己打扮成先進。臺積電，三星是打先鋒，而英特爾則不同，英特爾是IDM，對于尺寸有內在的需求，每個硅片可以多出芯片。衡量先進性，可以從每年的研發投入上得出作為一個參考依據。”莫大康認為。