英特爾3D封裝工藝進(jìn)入量產(chǎn)，集成萬億晶體管
1 月 25 日訊息顯示，英特爾已實(shí)現(xiàn)基于先進(jìn)封裝科技的大規(guī)模量產(chǎn)，包括創(chuàng)新的 Foveros 3D 封裝技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)，由英特爾于新墨西哥州 fab 9 工廠進(jìn)行深度革新與升級后正式投產(chǎn)后披露。英特爾公司首席運(yùn)營官 Keyvan Esfarjani 稱：“這類尖端封裝技術(shù)使英特爾脫穎而出，助益客戶在提升芯片性能、縮小尺寸以及增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性等方面掌握競爭優(yōu)勢。”
眾所周知，整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域正邁進(jìn)一個(gè)同時(shí)整合多個(gè)‘芯粒’（Chiplets，也被稱為‘小芯片’）在同一封裝中的多元時(shí)代。基于此，英特爾的 Foveros 及新型 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等高級封裝解決方案被譽(yù)為能將一萬億個(gè)晶體管融于單一封裝之內(nèi)，且有望在2030年后助力延續(xù)摩爾定律。
具體來講，F(xiàn)overos 3D先進(jìn)封裝技術(shù)在處理器制造過程中，能以垂直角度替代傳統(tǒng)的水平堆疊計(jì)算模塊。更重要的是，F(xiàn)overos賦予了英特爾及其合作伙伴將各類芯片混合在一起，從而達(dá)到優(yōu)化成本和能源效率的目的。
英特爾甚至透露，預(yù)計(jì)至2025年，旗下Foveros3D封裝產(chǎn)能將有四倍增長。
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