電子發燒友網綜合報道 據科技媒體SemiAccurate報道，微軟已正式向英特爾晶圓代工（Intel Foundry）下達訂單，委托其使用先進的18A工藝節點生產下一代AI加速器Maia 2。

英特爾18A工藝堪稱芯片制造領域的一項重大突破，處于業界2納米級節點水平。它采用了兩項極具創新性的基礎技術——RibbonFET全環繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術。

RibbonFET全環繞柵極晶體管架構，改變了傳統晶體管的結構。舊的FinFET晶體管像“豎起鰭片”，而RibbonFET則如同“包裹導線的電纜”，電流被四面柵極牢牢控制。這一改變帶來了諸多優勢，電流泄漏更少，開關響應更快，晶體管密度更高，使得同面積可塞進更多邏輯單元，在相同性能下功耗更低、溫度更穩。

PowerVia背面供電技術同樣意義非凡。傳統芯片的供電金屬線在最上層，信號線在下方，電流需“翻山越嶺”才能到達底部晶體管，導致功率損耗和電壓不穩。而PowerVia將電源線移到芯片背面，實現了供電網絡解耦與獨立優化。這樣一來，電壓更穩定，頻率能更高，噪聲和干擾更小，多核協同效率更好，芯片頂部空間釋放后還更容易堆疊模塊。

基于這兩項技術，英特爾18A工藝實現了性能的顯著提升。每瓦性能提升約15%，功耗降低可達25%，晶體管密度提升1.3倍以上。這些數據表明，18A工藝不僅能讓設備性能更強，還能更省電，為下一代電子產品的發展提供了強大的技術支撐。

Maia芯片系列是驅動微軟AI基礎設施，尤其是Azure數據中心的核心硬件，其性能直接與英偉達和AMD的高性能加速器展開競爭。Maia 2作為下一代產品，采用英特爾18A或其增強版本18A - P工藝打造，具備諸多先進特性。

18A - P工藝在18A的基礎上進一步優化，引入第二代RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術，通過采用新設計的低閾值電壓組件、優化元件以減少漏電，并精細化調整晶體管結構，顯著提升了單位功耗下的運算效率。此外，該工藝還采用低閾值電壓單元設計，結合元件級漏電抑制措施及晶體管結構微調，進一步增強了性能輸出與能效平衡。

從產品層面來看，Maia 2將為微軟的AI應用和服務提供更強大的支持。隨著大模型技術的快速發展，對算力的需求呈現指數級增長。Maia 2在性能和功耗方面的優化，能夠更好地滿足微軟日益增長的AI計算需求，助力其在AI基礎設施領域進一步布局。而且，若此次合作進展順利，雙方可能就未來幾代Maia芯片開啟長期合作，形成更穩固的聯盟，共同推動AI硬件生態的演進。

此次英特爾18A工藝代工微軟AI芯片Maia 2，不僅是雙方的一次重要合作，更可能成為芯片代工格局變化的轉折點。英特爾憑借18A工藝的技術優勢，獲得了微軟這一重量級客戶的認可，為其代工業務的發展注入了強大動力。而微軟通過與英特爾合作，實現了芯片供應鏈的多元化，降低了對單一供應商的依賴，增強了供應鏈的韌性。