意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
新推出的STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效，相關參數十分出色，例如，飽和電壓Vce(sat)很低，確保器件在導通狀態下耗散功率很低。續流二極管的壓降很低，關斷電能得到優化，讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關準諧振轉換器具有更高的能效。
新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應用中，意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。
此外，Vce(sat) 具有正溫度系數效應，器件之間緊密的參數分布有助于簡化設計，并輕松并聯多個 IGBT管，以滿足高功率應用需求。
該系列先期推出的兩款器件25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 現已量產，采用標準 TO-247 長引線功率封裝。
審核編輯：劉清
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