意法半導體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 （SMPS）。

首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻（RDS（on））都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻（RDS（on）max）都處于同類領先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43mΩ。由于柵極電荷 （Qg）非常低，在 400V 漏極電壓時通常為 80nC，兩款器件都具有目前市場上一流的RDS（on）max x Qg品質因數 （FoM）。

STP65N045M9 的柵極閾壓（VGS（th））典型值為 3.7V，STP60N043DM9 的典型值為 4.0V，與上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比，可極大程度地降低通斷開關損耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢復電荷（Qrr）和反向恢復時間（trr）也都非常低，這有助于進一步提高能效和開關性能。

意法半導體最新的高壓 MDmesh 技術的另一個特點是增加了一道鉑擴散工藝，確保本征體二極管開關速度快。該二極管恢復斜率（dv/dt） 峰值高于早期工藝。MDmesh DM9全系產品具有非常高的魯棒性，在 400V電壓時可耐受高達 120V/ns 的dv/dt斜率。