中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。

新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現高效的開關性能。因此，STL120N10F8的最大導通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ（在 VGS = 10V 時），高效運行頻率達到600kHz。

STripFET F8技術還確保輸出電容值可以減輕漏源電壓尖峰，最大程度地減少充放電能量浪費。此外，這款MOSFET的體漏二極管的軟度特性更高。這些改進之處可以減少電磁輻射，簡化最終系統的合規性測試，確保電磁兼容性 (EMC)符合適用的產品標準。

STL120N10F8擁有卓越的能效和較低的電磁輻射，可以增強硬開關和軟開關拓撲的電源轉換性能。此外，這款產品還是首款完全符合工業級規格的STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET，非常適合電機控制、電信和計算機系統的電源及轉換器、LED 和低壓照明，以及消費類電器和電池供電設備。

新款MOSFET還有其他優勢，其中包括柵極閾值電壓(VGS(th))差很小，這個優勢在強電流應用中很有用，可簡化多個功率開關管的并聯設計。新產品的魯棒性非常強，能夠承受 10μs的800A短路脈沖電流沖擊。

STL120N10F8采用 PowerFLAT5x6 封裝，現已全面投產。

審核編輯：湯梓紅