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意法半導體ST推出250A功率MOSFET,封裝和制程同步升

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2021-12-17 17:32:301432

半導體推出氮化鎵(GaN)功率半導體新系列

半導體(簡稱ST)推出了一個新系列——氮化鎵(GaN)功率半導體。該系列產品屬于半導體的STPOWER產品組合,能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。該系列的目標應用包括消費類電子產品的內置
2022-01-17 14:22:543358

半導體推出基于紅外信號的TMOS人體存在檢測傳感器

半導體(簡稱ST)推出基于紅外信號的TMOS(溫度感應半導體金屬氧化物)人體存在檢測傳感器,助力智能產品實現性能和功能新飛躍。
2022-05-09 16:10:403639

半導體ST60A3連接器優勢分析

半導體ST60A3 的設計與機械連接器的行為相似, 用高速無線射頻鏈路替代了機械連接器需要的金屬觸點。ST60A3 可以在兩個設備靠近時進行連接,能夠以高達每秒480Mbps的速度發送和接收信號。
2022-09-27 11:28:402077

半導體推出100W無線充電接收器芯片,業內額定功率最高

半導體(簡稱ST)推出了100W無線充電接收器芯片,這是業內額定功率最高的無線充電接收芯片,面向當前市場上最快的無線充電。使用意半導體的新芯片STWLC99,不到30分鐘即可將一部電池容量最大的高端智能手機充滿電。
2022-12-08 10:17:041588

半導體推出具超強散熱能力的車規級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT

半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體器件。與傳統 TO 型封裝相比,半導體先進的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡化組裝工序,提高模塊的功率密度。
2023-01-16 15:01:251612

半導體怎么樣

半導體怎么樣 半導體ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113010

半導體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品,第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發展方向,但半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393150

基于ST 半導體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。半導體GaN技術的開關頻率比傳統硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態設計規范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011

ST半導體stm8l052c6規格書下載

ST半導體stm8l052c6規格書下載半導體ST)集團于1987年6月成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月
2022-10-08 14:43:471

ST半導體stm8l052r8規格書下載

ST半導體stm8l052r8規格書下載半導體ST)集團于1987年6月成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月
2022-10-08 14:46:362

半導體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅動器

半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:361813

半導體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅動器

半導體ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器,這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性,還致力于提供高度的系統集成性和靈活性,以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:431511

半導體推出一款ST4E1240 RS-485收發器芯片

半導體推出ST4E1240 RS-485 收發器芯片。新產品具有40Mbit/s的傳輸速度和PROFIBUS兼容輸出,以及瞬變和熱插拔保護功能。
2024-04-24 11:11:131410

半導體推出ST4E1240 RS-485收發器芯片

半導體推出ST4E1240 RS-485 收發器芯片。新產品具有40Mbit/s的傳輸速度和PROFIBUS兼容輸出,以及瞬變和熱插拔保護功能。
2024-05-09 09:58:491276

半導體發布第四代SiC MOSFET技術

半導體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術,標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術,在能效、功率密度和穩健性方面均樹立了新的市場標桿,將為汽車和工業市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331622

半導體第四代碳化硅功率技術問世

半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時,半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195

半導體高壓功率MOSFET研討會即將來襲

???????? 即刻報名誠邀您參加意半導體高壓功率(HV)MOSFET研討會 - 11.19杭州站/11.21深圳站!了解更多ST HV MOSFET技術及產品,助力增強產品,潛力和市場優勢。
2024-11-07 14:11:36991

半導體發布250W MasterGaN參考設計

為了推動氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升,半導體近日推出了EVL250WMG1L參考設計。該設計基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)技術,是一款諧振轉換器
2024-12-25 14:19:481143

半導體推出創新網絡工具ST AIoT Craft

半導體推出了一款基于網絡的工具ST AIoT Craft,該工具可以簡化在意半導體智能MEMS傳感器的機器學習內核(MLC)上開發節點到云端的AIoT(物聯網人工智能)項目以及相關網絡配置。
2025-01-16 13:33:071075

半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151135

半導體新能源功率器件解決方案

在《半導體新能源功率解決方案:從產品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501644

半導體推出創新NFC技術應用開發套件

半導體推出一款創新的非接觸式近場通信(NFC)技術應用開發套件。這款開發套件包含意半導體推出ST25R200讀寫芯片,讓NFC技術的應用創新變得更加簡單容易。半導體新一代NFC收發器
2025-02-20 17:16:071442

半導體與新加坡能源集團共同開發新型雙溫冷卻系統

半導體(簡稱ST)委托新加坡能源公司(SP集團)升級半導體大巴窯工廠的冷卻基礎設施。大巴窯工廠是半導體重要的封裝研發和晶圓測試基地。新的冷卻系統將大大提高能源效率,預計每年可減少碳排放約2,140噸。
2025-06-14 14:45:541601

半導體推出EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計

為提供卓越的效率和功率密度,半導體加快了氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計進程,推出了基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16942

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