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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級(jí)STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數(shù)提高 40%

意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級(jí)STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數(shù)提高 40%

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2025-11-05 14:31:0559498

2013年半導(dǎo)體STM32暨μTenux全國(guó)巡回研討會(huì)火熱報(bào)名中!

for STemWin V1.7兩個(gè)版本,將加速您的嵌入式軟件開(kāi)發(fā)中,助您一臂之力。或直接聯(lián)系半導(dǎo)體銷售或市場(chǎng)代表,半導(dǎo)體將盡所能為您服務(wù)。順祝商祺!朱利安半導(dǎo)體南亞暨大中國(guó)區(qū)微控制器事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)
2013-09-11 16:23:48

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2020-11-12 09:52:03

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2020-09-25 15:55:42

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2020-11-30 16:16:20

半導(dǎo)體發(fā)布新款STSPIN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,可簡(jiǎn)化中低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),提高電機(jī)控制的靈活性

中國(guó),2018年8月27日——半導(dǎo)體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導(dǎo)通電阻RDS(ON)的功率開(kāi)關(guān),有助于簡(jiǎn)化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07

半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023

解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案 ▌峰會(huì)議程 ▌參會(huì)福利 1、即日起-9月27日,深圳用戶報(bào)名預(yù)約【半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36

半導(dǎo)體STM32 F0入門(mén)級(jí)簡(jiǎn)介及資料!!

半導(dǎo)體的STM32 F0系列 MCU集實(shí)時(shí)性能、低功耗運(yùn)算和STM32平臺(tái)的先進(jìn)架構(gòu)及外設(shè)于一身。STM32F0x0超值系列微控制器在傳統(tǒng)8位和16位市場(chǎng)極具競(jìng)爭(zhēng)力,并可使用戶免于不同架構(gòu)平臺(tái)
2020-09-03 14:59:55

半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議

功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密,不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56

半導(dǎo)體加強(qiáng)在超聲波市場(chǎng)布局,推出16通道高性能脈沖發(fā)生器

13日 – 針對(duì)重要的醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,半導(dǎo)體采用其經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的支持單片集成模擬電路(雙極晶體管)、數(shù)字電路(CMOS)和電源(DMOS)電路的BCD8s-SOI制造工藝,推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07

半導(dǎo)體和Sigfox合作,實(shí)現(xiàn)數(shù)十億設(shè)備聯(lián)網(wǎng)

服務(wù)提供商 Sigfox宣布一項(xiàng)技術(shù)合作協(xié)議,以支持并提高市場(chǎng)對(duì)各種應(yīng)用互聯(lián)設(shè)備的需求,包括供應(yīng)鏈管理、樓宇和設(shè)備維護(hù)、水和燃?xì)庥?jì)量、安保、交通、農(nóng)業(yè)、礦業(yè)和家庭自動(dòng)化。半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)工具將整合
2018-03-12 17:17:45

半導(dǎo)體推出《通過(guò)SensorTile了解嵌入式系統(tǒng)》物聯(lián)網(wǎng)課程

鼓勵(lì)其他大學(xué)的教授改編補(bǔ)充這套課程。 這套由8個(gè)自定進(jìn)度的教程組成的入門(mén)課程圍繞半導(dǎo)體的SensorTile設(shè)計(jì)。SensorTile是一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的具有物聯(lián)網(wǎng)功能的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng),集成在一個(gè)只有
2018-02-09 14:08:48

半導(dǎo)體推出專業(yè)MEMS開(kāi)發(fā)工具 實(shí)現(xiàn)MEMS傳感可視化

還有豐富的功能,能夠評(píng)測(cè)最新一代高分辨率工業(yè)級(jí)MEMS傳感器,例如,半導(dǎo)體最近推出具16位加速度計(jì)輸出和 12位溫度輸出的IIS3DHHC 三軸低噪加速度計(jì)。在開(kāi)啟項(xiàng)目前,用戶先將目標(biāo)傳感器模塊插入
2018-05-22 11:20:41

半導(dǎo)體推出功能豐富的電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,為碳化硅或硅功率晶體管提供更好控制和保護(hù)

有源米勒鉗位選配,提升高速開(kāi)關(guān)抗干擾能力中國(guó),2018年8月3日——半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓,準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25

半導(dǎo)體推出封裝小、性能強(qiáng)的低壓差穩(wěn)壓器創(chuàng)新產(chǎn)品

(STEVAL-LDO001V1)搭載1個(gè)STLQ020和3個(gè)其它型號(hào)低壓差(LDO)穩(wěn)壓器,售價(jià)9.68美元。相關(guān)新聞半導(dǎo)體(ST)發(fā)布世界領(lǐng)先的防水壓力傳感器,首張訂單來(lái)自三星高性能穿戴式產(chǎn)品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05

半導(dǎo)體推出支持汽車精確定位控制的新款高精度MEMS傳感器

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ,為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16

半導(dǎo)體推出更快、更靈活的探針,簡(jiǎn)化STM8和STM32案上及現(xiàn)場(chǎng)代碼燒寫(xiě)流程

中國(guó),2018年10月10日——半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫(xiě)及調(diào)試探針,進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫(xiě)及調(diào)試靈活性,提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03

半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

`中國(guó),2018年6月22日——半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49

半導(dǎo)體收購(gòu)圖形用戶界面軟件專業(yè)開(kāi)發(fā)公司Draupner Graphics

新聞半導(dǎo)體推出直觀的固件開(kāi)發(fā)工具,加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設(shè)計(jì)進(jìn)程半導(dǎo)體推出新圖形用戶界面配置器,讓STM8微控制器設(shè)計(jì)變得更快捷半導(dǎo)體(ST)推出新款STM32微控制器,讓日用品具有像智能手機(jī)一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39

半導(dǎo)體新增TinyML開(kāi)發(fā)者云

半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開(kāi)發(fā)環(huán)境放入云中,并配有可云訪問(wèn)的半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow,PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49

半導(dǎo)體第 21 年發(fā)布可持續(xù)發(fā)展報(bào)告

`中國(guó),5月28日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商半導(dǎo)體( STMicroelectronics ,簡(jiǎn)稱 ST ;紐約證券交易所代碼: STM )發(fā)布 了2018 年可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58

半導(dǎo)體高速、高分辨率電機(jī)驅(qū)動(dòng)板,使開(kāi)源3D打印機(jī)性能最大化

` 本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-11 16:17 編輯 中國(guó),2018年6月8日——半導(dǎo)體的EVALSP820-XS電機(jī)驅(qū)動(dòng)板將半導(dǎo)體工業(yè)控制專長(zhǎng)充分運(yùn)用
2018-06-11 15:16:38

半導(dǎo)體(ST)簡(jiǎn)化顯示模塊設(shè)計(jì)

 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì),為
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晶體管ON時(shí)的逆向電流

(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下,輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測(cè)定VBE的初始VBE1對(duì)晶體管輸入功率,使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù):測(cè)定VBE2從這個(gè)結(jié)果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24

晶體管分類及參數(shù)

晶體管分類  按半導(dǎo)體材料和極性分類  按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。  按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

型號(hào)的晶體管。 5.開(kāi)關(guān)三極的選用小電流開(kāi)關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開(kāi)關(guān)晶體管,其最高反向電壓低于100V,耗散功率低于1W,最大集電極電流小于1A,可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38

晶體管相關(guān)資料下載

1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種,通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱為晶體管,而單極型晶體管簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體器件,它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)(發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22

晶體管簡(jiǎn)介

(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下,輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測(cè)定VBE的初始VBE1對(duì)晶體管輸入功率,使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù):測(cè)定VBE2從這個(gè)結(jié)果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18

晶體管詳解

;    晶體管,本名是半導(dǎo)體三極,是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié),外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用,應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出
2010-08-12 13:57:39

IGBT絕緣柵雙極晶體管

)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管
2019-05-06 05:00:17

MACOM和半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

芯片,加快硅上氮化鎵在主流市場(chǎng)上的應(yīng)用。半導(dǎo)體和MACOM為提高半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年,按照目前時(shí)間安排,半導(dǎo)體預(yù)計(jì)2018年開(kāi)始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38

MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用注意事項(xiàng)

  MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě),也叫場(chǎng)效應(yīng),是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33

TCL通訊Alcatel 3V智能手機(jī)選用意半導(dǎo)體NFC技術(shù),為用戶帶來(lái)卓越的非接觸式體驗(yàn)

(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,半導(dǎo)體近場(chǎng)通信(NFC)技術(shù)將助力TCL通訊新發(fā)布的Alcatel 3V智能手機(jī)。該手機(jī)目前僅面向歐洲市場(chǎng) 。Alcatel 3V智能手機(jī)
2018-06-11 15:22:25

Velankani和半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)“印度制造”智能電表

整合了半導(dǎo)體的先進(jìn)產(chǎn)品,包括STCOMET智能電表系統(tǒng)芯片、智能電表研發(fā)專長(zhǎng),與Velankani的工業(yè)制造能力和引領(lǐng)印度向先進(jìn)智能電表基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的愿景。這些基于STCOMET的G3 PLCTM
2018-03-08 10:17:35

[原創(chuàng)] 晶體管(transistor)

的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管   雙極晶體管(bipolar transistor)指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過(guò)的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51

【合作伙伴】ST半導(dǎo)體--科技引領(lǐng)智能生活

ST半導(dǎo)體半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者,掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM),半導(dǎo)體與二十多萬(wàn)家客戶、成千上萬(wàn)名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34

【新聞】半導(dǎo)體技術(shù)助力Neonode為任意物品、表面或空間增加觸控交互功能

工業(yè)電腦應(yīng)用展覽會(huì)(2018年2月27日27 – 3月1日,德國(guó)紐倫堡)半導(dǎo)體展臺(tái)上展出。相關(guān)新聞奇手(Qeexo)和半導(dǎo)體(ST)共同推進(jìn)原始設(shè)備廠商(OEM)采用奇手
2018-02-06 15:44:03

【每日資料精選】半導(dǎo)體STM32&STM8各個(gè)系列MCU介紹和相關(guān)資料分享!

的停止模式下、以34μA典型的功耗實(shí)現(xiàn)性能和節(jié)電的獨(dú)特結(jié)合。而超值系列在功能上與其他系列產(chǎn)品并沒(méi)有多大差別,在經(jīng)濟(jì)方面是劃算的。2.半導(dǎo)體STM32 F0入門(mén)級(jí)簡(jiǎn)介及資料!!這里為什么要給大家?guī)?lái)
2020-09-03 22:34:17

什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度,晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能,包括放大器、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05

功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)如何?

功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54

場(chǎng)效應(yīng)是一種什么元件而晶體管是什么元件

甚至失去放大作用。晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。1.特征頻率fT晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率fβ或fα?xí)r,其電流放大系數(shù)β將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β降為
2012-07-11 11:36:52

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

開(kāi)啟萬(wàn)物智能:半導(dǎo)體攜最新的解決方案和生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品亮相2018年世界移動(dòng)大會(huì)-上海

2018年世界移動(dòng)大會(huì)(MWC)-上海 (6月27-29日)。圍繞“半導(dǎo)體,與智能同在”的主題,半導(dǎo)體將展示其用于物聯(lián)網(wǎng)連接與云服務(wù)、安全與工業(yè)、傳感與數(shù)據(jù)處理以及智能駕駛方面的先進(jìn)產(chǎn)品和解
2018-06-28 10:59:23

昂科在線燒錄器支持ST半導(dǎo)體的32位微控制器STM32F091CCT6的ic燒錄

芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表,其中ST半導(dǎo)體的32位微控制器STM32F091CCT6的燒錄已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持
2023-02-28 16:51:49

用普通運(yùn)放+晶體管實(shí)現(xiàn)100V,4M的信號(hào)輸出能行嗎?

請(qǐng)問(wèn)用普通運(yùn)放+晶體管實(shí)現(xiàn)100V,4M的信號(hào)輸出能行嗎?
2024-09-04 06:17:03

第六屆半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024

▌2024ST工業(yè)峰會(huì)簡(jiǎn)介 第六屆半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024 即將啟程!在為期一整天的活動(dòng)中,您將探索半導(dǎo)體核心技術(shù),實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新,推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展。參加意半導(dǎo)體及合作伙伴高的精彩主題演講
2024-10-16 17:18:50

講一下半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞

半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43

請(qǐng)問(wèn)用高速運(yùn)放+晶體管實(shí)現(xiàn)100V,4M的信號(hào)輸出能行嗎?

輸入信號(hào)4MHz,我想得到輸出幅度100V,4M的信號(hào),想用運(yùn)放+晶體管搭建或者M(jìn)OS,不知道可行不,急。 拜謝!!(之前本打算用PA98,它有100M的GBW,結(jié)果仿真的時(shí)候發(fā)現(xiàn)上了2M以上的信號(hào),出來(lái)后就失真了……)
2015-11-05 19:56:46

請(qǐng)問(wèn)用高速運(yùn)放和晶體管實(shí)現(xiàn)100V,4M的信號(hào)輸出可行嗎?

輸入信號(hào)4MHz,我想得到輸出幅度100V,4M的信號(hào),想用運(yùn)放+晶體管搭建或者M(jìn)OS,不知道可行不,急。 拜謝!!(之前本打算用PA98,它有100M的GBW,結(jié)果仿真的時(shí)候發(fā)現(xiàn)上了2M以上的信號(hào),出來(lái)后就失真了……)
2019-07-09 04:36:16

STM32F103C8T6,中密度性能,2個(gè)ADC、9個(gè)通信接口,ST半導(dǎo)體處理器

STM32F103C8T6,中密度性能,2個(gè)ADC、9個(gè)通信接口,ST半導(dǎo)體處理器
2023-02-17 11:55:11

STM8S003F3U6TR: 半導(dǎo)體的超值8位MCU

5962R7802005VEA(DS26F32MJRQMLV) 141 22+ NSC 渠道現(xiàn)貨帶接受價(jià)詢價(jià)STM8S003F3U6TR: 半導(dǎo)體的超值8位MCU產(chǎn)品信息
2024-04-14 23:03:01

Power SO-8LFPAK封裝60V100V晶體管

Power SO-8LFPAK封裝60V100V晶體管  恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V100 V晶體管,擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392762

半導(dǎo)體發(fā)布超低功耗整流二極

半導(dǎo)體發(fā)布超低功耗整流二極   功率半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)推出新的高能效功率整流二極
2010-04-06 13:29:521162

半導(dǎo)體發(fā)布全新微型封裝技術(shù)SMBflat

半導(dǎo)體(STMicroelectronics, ST) 日前發(fā)布全新微型封裝技術(shù) SMBflat ,據(jù)稱比 SOT-223 封裝薄40%,能有效縮減50%的印刷電路板占板面積
2011-03-28 11:39:301590

ST推出LET系列射頻(RF)功率晶體管

半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管
2011-10-12 11:35:112156

ST推出MDmesh V功率MOSFET晶體管打破世界記錄

半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管,MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管,擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102989

半導(dǎo)體晶體管的基本概念

屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)。雙極性場(chǎng)效應(yīng)是由2個(gè)pn結(jié)組成的,p代表正極,n代表負(fù)極,pn結(jié)可以有2中不同的排列方式。一種是PNP,另一種是NPN。? ? ?對(duì)于NPN行的晶體管,第一個(gè)N為發(fā)射級(jí),第二個(gè)N
2018-12-15 13:52:322065

半導(dǎo)體在深圳舉辦首屆工業(yè)峰會(huì)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)將在中國(guó)深圳君悅酒店舉辦首屆ST工業(yè)峰會(huì)。
2019-05-28 13:53:082530

半導(dǎo)體收購(gòu)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)

此次收購(gòu)將大幅提高半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費(fèi)級(jí)高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴(kuò)大其開(kāi)發(fā)計(jì)劃和業(yè)務(wù)。
2020-03-06 17:25:231419

半導(dǎo)體推出了新系列雙非對(duì)稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品

基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì),半導(dǎo)體推出了MasterGaN2,作為新系列雙非對(duì)稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品,是一個(gè)適用于軟開(kāi)關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769

半導(dǎo)體最新推出MasterGaN器件

半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管,以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能,可以簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668

半導(dǎo)體新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)

,還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 半導(dǎo)體800V STPOWER MDmesh K6系列,為這種超級(jí)結(jié)晶體管技術(shù)樹(shù)立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉?biāo)桿。MDmesh K6 的RDS(on) x
2021-10-28 10:41:252244

半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2021:創(chuàng)新技術(shù)讓世界更智能、更可持續(xù)

半導(dǎo)體將于 11 月 3 日在中國(guó)深圳福田香格里拉大酒店舉辦半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì) 2021 。
2021-11-03 10:44:532109

半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET 提高能效和開(kāi)關(guān)性能

半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。
2022-05-19 14:41:472191

半導(dǎo)體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹

VIPERGAN50是半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V
2022-05-20 10:58:482925

半導(dǎo)體推出先進(jìn)STripFET F8 技術(shù)

 半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)優(yōu)化體寄生二極特性,降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431804

半導(dǎo)體怎么樣

半導(dǎo)體怎么樣 半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113006

40V,100mA NPN 通用晶體管-PMBS3904-Q

40 V100 mA NPN 通用晶體管-PMBS3904-Q
2023-02-08 18:44:440

40V,100mA NPN/NPN 通用晶體管-PUMX1

40 V100 mA NPN/NPN 通用晶體管-PUMX1
2023-02-21 18:54:070

40V,100mA PNP 通用晶體管-2PA1774XMB_SER

40 V100 mA PNP 通用晶體管-2PA1774XMB_SER
2023-02-21 19:10:261

40V,100mA PNP 通用晶體管-PMBS3906

40 V100 mA PNP 通用晶體管-PMBS3906
2023-02-21 19:25:440

100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC

100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451

半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級(jí)STripFET F8晶體管優(yōu)系數(shù)提高40%

中國(guó)—— 半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on),優(yōu)系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:231110

半導(dǎo)體發(fā)布新型人體存在和移動(dòng)檢測(cè)芯片

????????半導(dǎo)體發(fā)布新型人體存在和移動(dòng)檢測(cè)芯片。STHS34PF80是一款帶有微加工熱敏晶體管(TMOS)的高集成度、超低功耗的紅外(IR)傳感器,可取代傳統(tǒng)的被動(dòng)紅外(PIR)傳感技術(shù),提升安保監(jiān)視系統(tǒng)、家庭自動(dòng)化設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等場(chǎng)景的的監(jiān)測(cè)性能。
2023-07-28 15:13:031593

半導(dǎo)體推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器

2023 年 9 月 6 日,中國(guó) ——半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054

半導(dǎo)體推出新系列IGBT晶體管

半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184

半導(dǎo)體的新型IGBT器件可將功耗降低11%

2023 年 9 月 11 日,中國(guó) – 半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:39:111438

半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效

2023 年 9 月 11 日,中國(guó) – 半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01691

ST半導(dǎo)體stm8l052r8規(guī)格書(shū)下載

ST半導(dǎo)體stm8l052r8規(guī)格書(shū)下載半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年6月成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月
2022-10-08 14:46:362

AP40N100LK 貼片mos100v 40a-40n100場(chǎng)效應(yīng)參數(shù)

供應(yīng)AP40N100LK 貼片mos100v 40a-40n100場(chǎng)效應(yīng)參數(shù),是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商,提供AP40N100LK規(guī)格參數(shù)等,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-10-23 17:25:132

半導(dǎo)體發(fā)布STSPIN9系列大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

2023年11月8日,中國(guó)---半導(dǎo)體發(fā)布STSPIN9系列大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,先期推出兩款產(chǎn)品,應(yīng)用定位高端工業(yè)設(shè)備、家電和專業(yè)設(shè)備。
2023-11-08 12:18:481184

德州儀器、半導(dǎo)體發(fā)布悲觀指引

的悲觀指引。據(jù)悉,兩大巨頭均表達(dá)了對(duì)2024年工業(yè)和汽車芯片成長(zhǎng)的擔(dān)憂。德州儀器聲稱,目前半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)的形勢(shì)惡化,業(yè)績(jī)展望報(bào)告體現(xiàn)出環(huán)境的疲軟,客戶正在再平衡庫(kù)存。 而最近幾年重點(diǎn)仰賴工業(yè)和汽車芯片市場(chǎng)的半導(dǎo)體也預(yù)計(jì),該公
2024-01-29 11:24:581285

40 V100 mA NPN通用晶體管PMBS3904-Q數(shù)據(jù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40 V100 mA NPN通用晶體管PMBS3904-Q數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-05 09:50:130

半導(dǎo)體推出SRK1004同步整流控制器

半導(dǎo)體近日發(fā)布了其全新同步整流控制器SRK1004,該控制器專為簡(jiǎn)化采用硅基或氮化鎵(GaN)晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)流程而設(shè)計(jì),同時(shí)顯著提高了轉(zhuǎn)換效率。該控制器適用于多種應(yīng)用,包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器以及AC/DC適配器等。
2024-03-12 10:53:171448

半導(dǎo)體推出新型40V工業(yè)級(jí)與汽車級(jí)線性穩(wěn)壓器

半導(dǎo)體近日推出了兩款全新的線性穩(wěn)壓器——LDH40和LDQ40,這兩款產(chǎn)品不僅具備出色的能效,還在設(shè)計(jì)上展現(xiàn)了極高的靈活性。
2024-05-11 10:31:42971

2024年半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)精彩回顧

???????? 展示工業(yè)技術(shù)產(chǎn)品和解決方案的頂級(jí)行業(yè)盛會(huì)——2024年半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)已經(jīng)圓滿閉幕。半導(dǎo)體和技術(shù)合作伙伴帶來(lái)了令人耳目一新的產(chǎn)品演示及深入的技術(shù)討論,向與會(huì)者展示了ST突破性的技術(shù)創(chuàng)新和完整的工業(yè)生態(tài)系統(tǒng),掀起了圈內(nèi)又一次技術(shù)熱潮。
2024-11-13 18:04:361512

半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管

半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì),并具備出色的抗噪能力,專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)
2024-12-11 14:27:00971

半導(dǎo)體發(fā)布250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)

參考設(shè)計(jì),旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實(shí)現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是半導(dǎo)體的創(chuàng)新之作,它將GaN功率晶體管與經(jīng)過(guò)優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器完美整合于一個(gè)封裝內(nèi)。這一設(shè)計(jì)不僅顯著提升了電源的性能和可靠性,還通過(guò)高度集成的方式,極大地加快了設(shè)計(jì)速度,并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143

半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271025

半導(dǎo)體工業(yè)級(jí)40V100V STripFET F8 MOSFET概述

STripFET F8與上一代產(chǎn)品相比,品質(zhì)因數(shù) (FoM) 提高40%,有助于工程師設(shè)計(jì)出更緊湊、功率密度更高的功率級(jí),適用于計(jì)算機(jī)和外設(shè)應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、電信、太陽(yáng)能、電源、電池充電器、家用和專業(yè)電器、游戲、無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域。
2025-10-10 09:34:20468

?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51509

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